Якивчик

Номер патента: 1152436

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Блохина, Изидинов, Потапчук, Якивчик

МПК: H01L 21/331

Метки: высоковольтных, силовых, создания, транзисторов

Способ создания силовых высоковольтных транзисторов с кремниевой n+-p-n-n+-структурой, содержащий операции создания слоя пористого кремния электрохимической обработкой нерабочей стороны пластины, формирования базовой и эмиттерной областей последовательной диффузией примесей в рабочую сторону пластины, отличающийся тем, что, с целью улучшения характеристик транзисторов, сначала с нерабочей стороны пластины создают монокристаллический n+-слой и затем в его объеме формируют слой пористого кремния при соотношении их толщин 0,5 - 0,7.

Номер патента: 1363328

Опубликовано: 30.12.1987

Авторы: Бабайлов, Думаневич, Каликанов, Туник, Фомин, Червяков, Якивчик

МПК: H01L 25/00

Метки: модуль, полупроводниковый, силовой

...виде капиллярно-пористых дисков со сквозными радиальнымипароотводящими каналами, закреплены 25на внутренней поверхности емкости спомощью эластичных зацепок 6, изготовленных из самовулканизирующегосякомпаунда. Для улучшения доступа промежуточного теплоносителя к теплоотводящим элементам эластичные зацепки 6 выполнены в виде полуколец срадиальными вырезами. Полупроводниковые структуры 4 и теплоотводящие элементы 5 соединены с помощью внешнегоприжимного устройства, состоящегоиз двух опорных шайб 7, двух пружин8, болта 9, и двух гаек 10. В целяхисключения механического повреждениягерметичной емкости токосъемные шины 4011 присоединены к ней с помощью сильфонов 12.Силовой полупроводниковый модульработает следующим образом.При прохождении через...

Номер патента: 285713

Опубликовано: 15.07.1974

Авторы: Думаневич, Молибог, Якивчик

МПК: H01L 29/74

Метки: 285713

...заштрихованнойчасти эмиттрра значительно больше, чем участканаходящегося под ним. Поэтому при10 включении структуры первоначально анодныйток протекает по эмиттерной области с малымсопротивлением. Величина диффузионногосопротивления определяется геометрией эмиттера, уровнем и профилем его легирования,15 При заданной геометрии сопротивление полевой части лепко можно изменить, меняя величину удельного поверхностного сопротивленияв этой части структуры, Кроме того, сопротивление увеличивается п 1 ри уменьшении глуби 20 ны диффузионной области, поэтому в районеполевой части глубина а-эмиттера может, бытьменьше, чем в центре. В качестве сопротивлений полевой части структуры могут быть выбраны,прямоугольные и клинообразные высту 25 пы...

Номер патента: 274839

Опубликовано: 15.07.1974

Авторы: Думаневич, Молибог, Челноков, Шмелев, Якивчик

МПК: H01L 27/00

Метки: многослойная

...рабочей частоты слс;Овация импульсов тока, я та 1(же искл 10- чсцпя искрения и эрозии поверхности цлчИзвестна многослойная структура полуп 1)ОВОдппкОВОГО прибора, содержащая 11 с мсцсс четырех слоев, чередующихся цо типу проводимости, и выход по крайней мере от одной из базовых областей, к которому примыкает слой эмиттерцой области, свободной от омического контакта.Цсль изООретспия - создяцис копстрмкии, кОГОРЯ 51 позВОл 51 сГ Умецп 1 иь ВРС.51;Я винного роста тока цри вклк)чсции тцристоря, я с(сдОГ 1(1 тсл 1 ИО, ускорить рост яцОДИОГЙ тока и узспьшить цсрсгрсв вклк)чсццой зоПредлагаемая структура отличается тем, что ца свободной от омического контакта части эмипсра имеется участок с улучшенным отводом тепла, отделенный от...

Номер патента: 285707

Опубликовано: 15.06.1974

Авторы: Думаневич, Молибог, Якивчик

МПК: H01L 29/74

Метки: 285707

...сигнал большой адля быстрого, переноса включеннония в новые области структуры.Цель предлагаемого изобретенияшение допустимой величины скоростания анодного тока и повышеничастоты.Для эффективннал полевой частистаточно большиз ого самовозоуждения сигэмиттера должен быть дот, что и осуществляется в представлена предлагаемая ерного слоя четырехслойной - основной управляющий ектрод полевой области, 3 - управляющий электрод.ет длинную полевую часть 1, позволяющуо возбудить включение в центре структуры.Таская геометрия четырехслойной структуры с самовозбужде:ием обладает. рядом преимуществ:а) позволяет увеличить амплитуду. сигнала управлеия, снимаемого с полевой части, для включения перферийных мест;б) первоначально устраняется, возможное...

Номер патента: 326915

Опубликовано: 15.06.1974

Авторы: Думаневич, Молибог, Сахарова, Толкунов, Челноков, Якивчик

МПК: H01L 21/02

Метки: 326915

...В. Гута)аи Т)Граса 760 Совета Министро открытий паб., д. 4,5Изд.1712сударствсиного комитетпо делам изобретенийМосква, Ж, Рауиска Под)ГсносСССР ип. Хары(. фил. пред. Патент ВяЛЬПОГО 110 роиКд. Г,сК ПОГ(ссЗЫВЯ 10 т ЭКСГСр 1- МСНТс.ЛЬПЫС ПССЛСДОВсП 51,;ЯВЛСИ 1 С с)01 Дифс,ЗДПГс 1 В Зс 30)С СТсц 1 ДВЛИВДСТС 5 0 С.11 быст )о. -)ТИГ 1:рс,ОГврс)щсстся иоявлсппс НС 1)ОБПОСТСЙ ф)0 Ггс ДПС)фУЗИП В ХГССТс)Х НСПО. средстцсицого коцтйкта пластин и ысстах, гдс СОПРПКОСПОВСПП 51 ПСТ.1(,с)пцсптрЯИИ 5 ДИСГ)1)уздГтс ЯЗОТГГОГ(СЛОГ) алюыпшя прп Г;тсутстгиш кГслорода в зоис. Дцфс) , Зии 5 ВЛ 5 СТ(51 ПОСТОЯНПОИ И СОСТс 3,151 СТ 0,01- О,ъ.ПрГГ ко 111 спт)ЯГИГГ дзотеокслого й:Омпнпя большс 0,1% иа полироваццой повсрхио- СТП 1 РС)ГНП 51 П 05 ВЛ 51 ОТС 51...

Номер патента: 176989

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Грехов, Лебедева, Линийчук, Тучкевич, Физико, Челноков, Шуман, Якивчик

МПК: H01L 21/34

Метки: алюминияв, диффузии, источника, кремний, создания

...А 40, с окислами каких-либо переходных металлов (Г, Та, Т),), Со н т,д).Прн высоких температурах присутствие паров окислов указанных металлов облегчает восстановление алюминия и несколько повышает его концентрацию.Предложенный способдифф 1 зни алюмння нзслужить для получения цводниковых приборов. Многослойные структуры, ндпрнмер, тнпд р-)г-р н )г-р-)г-р-и с регулируемой поверхностной концентрацией получают следующим путем.Предварительно проводят ннзкотемператур. ную диффузию бооа нлн фосфора нд воздухе, а затем на обе стороны пластины ндносят азотнокислый алюминий и проводят дальнейшую высокотемпературную диффузию на воз духе для создания р-и переходов требуемой 1 луои 1 ы. Дпффузн 51 оора н ал)омннн 51 прн этом идет сдновременно,...