Холуянов

Номер патента: 1399814

Опубликовано: 30.05.1988

Авторы: Вяземский, Холуянов

МПК: G11C 8/06

Метки: адресации, буферной, памяти

...а код Ом = 000000, Это объясняется тем, что разряд 2 кода часов изменяется не по двоичному закону. Поэтому для устранения ошибки в адресации изменение разряда 2 кода часов должно быть с необходимостью модифицированно, т.е. приведено к чисто двоичному закону, Таким образом,для принятого объема памяти продолжительность полного цикла изменениязначений Оч, О и Р составляет 48 ч.Устройство работает следующим образом.5На шину 7 поступают импульсы с периодом Т = 1 с от внешнего эталона. Как было принято выше младший разряд кода адреса (разряд 2 счетчика 1) меняется каждые 15 с, поэто му изменение двух старших разрядов счетчика 1 происходит по двоичному закону, по которому изменяются и младшие разряды счетчика 2 (графы 5 и 6 таблицы), Поэтому...

Номер патента: 316378

Опубликовано: 05.08.1976

Авторы: Виолин, Водаков, Кмита, Круглов, Ломакина, Маслаковец, Мохов, Павличенко, Рыжиков, Холуянов

МПК: H01L 33/00

Метки: источник, полупроводниковый, света

...прибора в области низких температур наличие сильнолегированного низкоомного р . слоя, Такой слой позволяет эффективно инжекти. ровать носители заряда со стороны р - области при низких температурах, так как концентрация дырок в низкоомном сильнолегированном р - слое приотемпературе около 60 С оказывается (несмотря на значительное уменьшение концентрации дырок с понижением температуры в дырочном карбиде кремния) существенно выше, чем концентрация носителей заряда в высокоомном активированном слое. Это обстоятельство влияет и на рабочее напряжение прибора, позволяя снизить его до минимально возможного.31 б 378 Фор мула изобретения Со ставитель М, ЛенешкинаРедактор Б. Федотов Техред Н. Андрийчук Корректор Т. КравченкоЗаказ 5055/423...

Номер патента: 327884

Опубликовано: 25.10.1974

Авторы: Бабенко, Боева, Виолин, Водаков, Иванова, Кмита, Круглов, Ломакина, Новиков, Павличенко, Рыжиков, Холуянов

МПК: H01L 27/00, H01L 33/00

Метки: 327884

...превышает 5 по крайней мерв в 10 раз сопротивление этого слоя по нормали к переходу.На чертеже изображен многоэлементный индикатор на карбиде кремния еВ пластине 1 карбида кремния,легированной азотом, формируют дввобласти: высокоомную р-область 2толщиной,напримвре Ое 2-Ов 5 мкм и 25 1 слаболегйрованную компенсированнуюсоставитель ЯЛОпешкин Редакгор 1 ЛарИНа ехред Н.СЕг 1 ИНЭ Корректор И Л 6 НИйа11 одиигиое зааз Дг/ над 11 з г о 1 Тираж 1) 1111111111 Государствеииого комитета Совета Мииисгров СССР ио делам изобретений и открытий Москва, 113035, Раушская иаб., 4 Предприятие Патеит, Москва, Г.59, 1 ережковская иаб., 24 область 5 толщиной не более 0,5- 1,2 мкм. Со стороны р-области вышлифовывают ступеньку Ф на глубину порядка 10-15...