Патенты с меткой «мдп-интегральных»

Номер патента: 764097

Опубликовано: 15.09.1980

Авторы: Булгаков, Еремин, Стоянов, Сухоруков, Хорошунов

МПК: H03B 5/36

Метки: генератор, мдп-интегральных, подложки, смещения, схемах

...1, диффе1 о зо ральной шины В устройстве по второму варианту делитель напряжения образован конденсаторами 13 и 14, средние выводы которых соединены с затвором транзистора 10 и со вторымвходом дифференциального усилителя 2:ЗО Второй вывод конденсатора 12 соединен-с истоком транзистора 10 и с шиной нулевогопотенциала 11. Второй вывод конденсатора 13 подключен к затвору транзистора 9и к выходу кольцевого генератора 3,В остальном конструкция генераторапо этому варианту та же, что и по первомуварианту.Предлагаемый генератор напряженияработает следующим образом,45 зо 53 ренциального усилителя 2, кольцевого генератора 3, формирователя напряжения 4 и блока 5 формирования напряжения сме. щения подложки.В первом варианте выполнения...

Номер патента: 1422398

Опубликовано: 07.09.1988

Авторы: Свердлов, Соскин

МПК: H03K 19/094

Метки: защиты, мдп-интегральных, статического, схем, электричества

...представлена схема уст.ройства для защиты МДП-интегральных 15 :схем от статического электричества.Устройство содержит биполярные транзисторы 1, первый вывод 2 устройства, соединенный с эмиттерами транзисторов 1, второй выход 3 устройст ва, соединенный с базами транзисторов 1, выводы 4 коллекторов соответствую:щих транзисторов 1, дополнительный биполярный транзистор 5, эмиттер кото рого соединен с выводом 2 устройства, 25 а коллектор и база - с выводом 3 устройства. Устройство соединено с интегральной схемой 6. Каждый из защищаемых выводов 7 ИС соединен с од" ними из выводов 4. Вывод 8 подложки ЗО соединен со вторым выводом 3 устройства, а общая шина 9 ИС - с первым выводам 2 устройства.Устройство работает следующим об,разом. 35 При...

Номер патента: 928953

Опубликовано: 23.10.1990

Авторы: Кудина, Лосев, Москалевский, Ярандин

МПК: H01L 21/8232

Метки: мдп-интегральных, схем

...силу нестабильного стехиометриеского состава такая пленка практически не удаляется кислотами илисмесями на основе НЮ, НБО, НС 1,ОН, Н ОУдаление пленки кипячением в НРО,Г(по аналогии с удалением ЯзГ 1,Г)также 25вляется невоспроизводимым, а кромегого, она взаимодействует с оголенным кремнием в активных областях ИС,что повышает фиксированный заряд идефектность в выращенном впоследствиина активных областях подзатворномокисле. Наличие кислорода в образовавшейся тонкой пленке на кремнии позволяет стравливать ее в составах,содержащих фтористоводородную кисло 35ту, В этом случаеподтравливается всяповерхность окисного слоя и происходит последовательный отрыв образовавшейся пленки от окисного "клюва и ее полное удаление, причем...

Номер патента: 1674022

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Бродницкая, Левковец, Мельницкий, Соболева

МПК: G01R 31/303

Метки: мдп-интегральных, параметрического, схем

...и к отказу микросхем.П р и м е р. На автоматическом изме" , рительном стенде произнсдят Измеренияпороговых напрякений и крутизн контрольных тестовых транзисторов В 10 микросхе" мах на пластине, Для 0 измеренных контрольных тестовых транзисторон Опредвено значение седней величины поро-О- вых напряжений .Г=1 (Б) и определена величина среднеГО КВВГцатического Откло" нения (СКО) гто =0,2 (Б), Среднее значение крутизны вольт-амперной караю еристики (БАХ) ф 1 измеренных тестовых транзисторов составило 21,4 м(А/Б со средним квадратическим Отклонением 0,43 мкА/Б, Рассчитали по известной формуле коэффлциенты вариации порогсных напряжений ( )Ъ ) и (., ) Крутиэнь, Которые соотнеггтвенно равны ) .1%) . 2 С( Их отношение К=)л / у, составило...

Номер патента: 1487759

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Крюков, Перов, Саночкин

МПК: H01L 21/8232

Метки: мдп-интегральных, структур, схем

...Рмци 51 .с и слоя нттт рида кремния .эце удалян)т, я используют в качествемежслойцой изоляции полцкремциеныхттИн первого уронця. Затем осаждаютвторой слой поликремция 9 (йттГ.А) 511 е 5 ирутот его и плазмохкмическкм травлением через маску двух слоев поликремния формируот области плавающего зат-вора 10 и управляющего затвора 11,причем травление проводят н цаправле".нки, перпеНдикулярном направлению поликремниевых шин перного уровня(фиг.5),Формирование областей истоков истоков 12 элементов памяти проводятпгмплацтаццей ионов мьпцьяка Б участкикремниеной подложки, нс:.срытые послесамосовмещенцаго транления первогои второго слоев полккремния, Ня заклсчительной стадии изготовленияструктур элемецтов памяти формируютторцовый оксид кремния 13...

Номер патента: 1410783

Опубликовано: 30.05.1994

Авторы: Гогиберидзе, Красножон, Паринов, Хворов

МПК: H01L 21/82

Метки: мдп-интегральных, структур, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР МДП-ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий последовательное формирование на рабочей стороне кремниевой подложки слоев двуокиси кремния, фоторезиста, нитрида кремния и поликремния, плазмохимическое травление этих слоев, формирование областей МДП-транзисторов и контактов к ним, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных структур за счет предотвращения электрического пробоя слоев двуокиси кремния толщиной до 75 нм на рабочей стороне подложки при плазмохимическом травлении, перед плазмохимическим травлением на обратной стороне подложки формируют слой двуокиси кремния в виде равномерно распределенных по площади участков толщиной не менее, чем на рабочей стороне подложки.

Номер патента: 1651697

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Корешков, Красницкий, Мамедов, Румак, Смаль, Турцевич

МПК: H01L 21/3105

Метки: мдп-интегральных, микросхем, структур

Способ изготовления структур МДП-интегральных микросхем, включающий формирование в кремниевой подложке охранных областей, создание слоя подзатворного окисла кремния, осаждение слоя кремния, легированного фосфором, при 550-580°C в реакторе при пониженном давлении, формирование на его основе затвора, создание истоковых и стоковых областей внедрением примеси и термообработкой при 800-10000°C, формирование межуровневого диэлектрика и металлизации, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и выхода годных МДП-интегральных микросхем путем повышения стабильности порогового напряжения, уменьшения токов утечки p-n-переходов, после осаждения слоя легированного фосфором кремния...

Номер патента: 1151153

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Буляк, Пухов, Румак, Хатько

МПК: H01L 21/316

Метки: изоляции, мдп-интегральных, межуровневой, структурах, схем

Способ изготовления межуровневой изоляции на структурах МДП-интегральных схем, включающий последовательное формирование на поверхности структуры подслоя и слоя двуокиси кремния, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических параметров структур за счет повышения стабильности величины порогового напряжения, подслой межуровневой изоляции формируют анодированием структур в кислородной плазме ВЧ-разряда при давлении кислорода 1,33-2,66 Па и температуре не более 150°С.