Способ создания подзатворного диэлектрика
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Описание
Способ создания подзатворного диэлектрика, включающий нагрев кремниевых пластин от контактной температуры до температуры окисления, формирование подслоя двуокиси кремния толщиной (7-12) нм термическим окислением пластин кремния при 900-1100°С и доокисления в атмосфере Ar-O2-HCl, содержащей (10-50) об.% кислорода при соотношении расходуемых объемов HCl/O 2 = 0,01-0,04, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных приборов за счет повышения качества подзатворного диэлектрика, подслой двуокиси кремния формируют в атмосфере Ar-O 2-HCl, содержащей (10-50) об.% кислорода и HCl не более 0,6 об.%.
Заявка
3786841/25, 08.09.1984
Физико-технический институт АН БССР
Румак Н. В, Хатько В. В, Плотников В. Н, Ясников В. Е
МПК / Метки
МПК: H01L 21/316
Метки: диэлектрика, подзатворного, создания
Опубликовано: 20.06.2012
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-1282767-sposob-sozdaniya-podzatvornogo-diehlektrika.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ создания подзатворного диэлектрика</a>
Предыдущий патент: Полевой транзистор
Следующий патент: Заготовка для изготовления композиционных материалов
Случайный патент: Устройство для автоматической сортировки постоянных магнитов