Способ создания подзатворного диэлектрика

Номер патента: 1282767

Авторы: Плотников, Румак, Хатько, Ясников

ZIP архив

Описание

Способ создания подзатворного диэлектрика, включающий нагрев кремниевых пластин от контактной температуры до температуры окисления, формирование подслоя двуокиси кремния толщиной (7-12) нм термическим окислением пластин кремния при 900-1100°С и доокисления в атмосфере Ar-O2-HCl, содержащей (10-50) об.% кислорода при соотношении расходуемых объемов HCl/O 2 = 0,01-0,04, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных приборов за счет повышения качества подзатворного диэлектрика, подслой двуокиси кремния формируют в атмосфере Ar-O 2-HCl, содержащей (10-50) об.% кислорода и HCl не более 0,6 об.%.

Заявка

3786841/25, 08.09.1984

Физико-технический институт АН БССР

Румак Н. В, Хатько В. В, Плотников В. Н, Ясников В. Е

МПК / Метки

МПК: H01L 21/316

Метки: диэлектрика, подзатворного, создания

Опубликовано: 20.06.2012

Код ссылки

<a href="https://patents.su/1-1282767-sposob-sozdaniya-podzatvornogo-diehlektrika.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ создания подзатворного диэлектрика</a>

Похожие патенты