Патенты с меткой «моп-структур»

Номер патента: 1091774

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Румак, Хатько

МПК: H01L 21/66

Метки: кремниевых, моп-структур

Способ контроля кремниевых МОП-структур, основанный на нагревании кремниевой пластины до температуры окисления, выдержке при этой температуре в окислительной среде, охлаждении структуры окисел - полупроводник до комнатной температуры, получении МОП-структуры путем нанесения полевого электрода, регистрации вольт-фарадных характеристик, по которым судят о качестве кремниевых МОП-структур, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности определения качества кремниевых МОП-структур, охлаждение производят со скоростью 15-20 K/с, после охлаждения на поверхность окисла наносят слой фосфоро-силикатного стекла, прикладывают к МОП-структуре напряжение смещения -(10-15) или +(5-10) В,...

Номер патента: 1575841

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Домород, Крищенко, Петрашкевич, Плотников, Румак, Хатько, Ясников

МПК: H01L 21/324

Метки: моп-структур

Способ изготовления МОП-структур, включающий формирование на кремниевой подложке подзатворного диэлектрика с толщиной 8-40 нм, нанесенного полевого электрода путем осаждения из смеси моносилан-аргон подслоя аморфного кремния при температуре из диапазона 823-853 K и слоя поликристаллического кремния до получения заданной толщины электрода при соотношении толщины подслоя и слоя 0,1-0,4, диффузионное легирование полевого электрода, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических характеристик МОП-структур за счет снижения дефектности и повышения зарядовой стабильности подзатворного диэлектрика, после осаждения подслоя аморфного кремния проводят отжиг в остаточной атмосфере при...

Номер патента: 1223789

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Плотников, Румак, Хатько, Ясников

МПК: H01L 21/316

Метки: моп-структур, создания

Способ создания МОП-структур, заключающийся в нанесении маски из Si3N4 на поверхность кремниевой подложки, селективном окислении во влажном кислороде, снятии Si3N4, предварительном окислении во влажной атмосфере, создании подзатворного диэлектрика и нанесении полевого электрода, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных структур путем уменьшения дефектности поверхностного слоя кремния, предварительное окисление проводят до получения толщины окисла 130-150 нм, а в качестве влажной атмосферы используют смесь H2-O2 или H2-O2 -HCl, содержащую 1-4% HCl.

Номер патента: 1240295

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Алиев, Малышев, Плотников, Румак, Хатько, Яковлев, Ясников

МПК: H01L 21/82

Метки: моп-структур, радиационно-стойких, создания

Способ создания радиационно-стойких МОП-структур, включающий формирование подзатворного диэлектрика на пластинах кремния, полевого электрода и отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения радиационной стойкости структур, отжиг проводят в атмосфере аргона после формирования подзатворного диэлектрика в одном из диапазонов температур 590-630°С, 680-720°С, 840-880°С в течение 3-120 мин.

Номер патента: 1338720

Опубликовано: 27.06.2012

Авторы: Плотников, Румак, Хатько

МПК: H01L 21/66

Метки: моп-структур, создания, тестовых

Способ создания тестовых МОП-структур, включающий нагрев кремниевой пластины до температуры окисления, выдержку пластины при этой температуре в окислительной среде, охлаждение полученной структуры окисел - полупроводник до комнатной температуры и нанесение полевого электрода из молибдена магнетронным распылением, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности определения качества подзатворного диэлектрика МОП-структуры, нанесение электрода на окисел структуры осуществляют при температуре кристаллизации двуокиси кремния в -кристобалит.