Способ создания тестовых моп-структур

Номер патента: 911639

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Ермоленко, Ильин, Каратаев, Медведев, Пиголицин, Шулятев

МПК: H01G 4/12

Метки: заготовку, керамическую, нанесения, пленочную, электродов

...кера мической заготовки обеспечивает вырубку электродов с четким рисунком и запрессовку их без деформации в керамическую пленочную заготовку на глубину равную толщине электрода, т.е. заподлицо с поверхностью керамической заготовки.Эластичная прокладка может. быть выполнена из того же .материала, чтои ленточный носитель слоя электрО- проводящего материала, например лавсана. Толщина используемой эпас тичной прокладки не должна быть мень ще одной толщины керамической пленочной заготовки, так как н противном случае не происходит операции. вырубки электродов из слоя электрб проводящего материала, закрецлекйого на временном ленточном ыосйтМе. В то же,время толщина эластичной прокладки не должна быть более чеж". рех тоящин керамической...

Номер патента: 96067

Опубликовано: 01.01.1953

Автор: Поздняков

МПК: H03H 3/02

Метки: диэлектрика, металла, нанесения, пластины, пьезоэлектрика, сусального, электродов

...клеящих веществ прц нанесении сусального металла ца поверхность пьезоэлектрцка обычно не удается, вследствие малой механической прочности сусального металла, толщина которого составляет менее одного микрона.Предлагаемый способ нанесения сусального металла на пластины из пьсзоэлектрика илц диэлектрика с помощью клеящих веществ позво- 2 Мв 9 б 067 П 1)слмст изоорстеии 51 Комитет ио делам изобретений и открытий лри Совете Министров СССР)тв, ре:иктор В. Л. ПваноиИнформационно-и:)да) ельс сия отдел. Поди. к и;н 1) -1),;и ).Объем 0,12) и. л. вя)к. 2.5:я Тирк ,й), Исиа "5 к)и,Гор, Алатырь, типография М 2 Министерства культуры 51 ува)иска АССР,ляса осуи 1 сствк 5 ть процесс ианессии 51 б)ыстро и Осз порчи суса;11 ц 01 О металла, а также...

Номер патента: 1504497

Опубликовано: 30.08.1989

Авторы: Клишина, Лысов, Шац

МПК: G01B 11/02

Метки: дифракционными, линейных, объектах, плоских, размеров, структурами, тестовыми, формы, элементов

...света с помощью зеркала 2 световой пучок направляется насистему 3 формирования пучка, которая формирует в плоскости держателя5 на объекте 17 измерения луч света с.равномерно распределенной интенсив ностью, Каждый модуль (кристалл) объекта 17 измерения содержит тестовую дифракционную решетку, составленную из элементов, подлежащих измерению,Отражаясь от полупрозрачного зеркала 4, световой пучок проходит через диафрагму 7 в эллиптическом зеркале 6 и нормально падает на базовую поверхность держателя 5 объекта измерения, При попадании пучка на тестовую дифракционную структуру в плоскости, перпендикулярной штрихам структуры и базовой плоскости держателя 5, формируется дифракционное изображение структуры,...

Номер патента: 966491

Опубликовано: 15.10.1982

Авторы: Волков, Герасимов, Ларионов, Мичков, Склянкин

МПК: G01B 11/02

Метки: дифракционными, линейных, объектах, плоских, размеров, структурами, тестовыми, формы, элементов

...фотоприемник установлен с возможйостью поворота вокруг точки пересечения оптической оси и базовой плоскости держателя объекта измерения, плоскость входного окна фотоприемника расположена по касательной к траектории его перемещения.На чертеже изображена принципиальная схема устройства для измерения линейных размеров и формы элементов на плоских объектах с дифракционными тестовыми структурами.Устройство содержит последонательно расположенные на оптической оси источник 1 когерентного света, например квантовый генератор, первую лин 30 зу 2, апертурную диафрагму 3, вторую линзу 4, третью линзу 5, фото" приемник 6 с блоком 7 управления и обработки сигнала и держатель 8 объекта 9 измерения. Фотоприемник б 35 установлен с возможностью...

Номер патента: 531540

Опубликовано: 15.10.1976

Авторы: Белоусов, Масленко

МПК: B01J 3/06

Метки: высокого, давления, создания, температуры

...давления. После установки контейнера и электровводов в устройство пазы 9 засыпаются порошком литографского камня.Устройство работает следующим образом, Под воздействием усилия, развиваемого прессом, матрицы 1 сближаются. Избыточный материал контейнера деформируется и истекает из углублений 2, заполняя прилегающую к ним зону, т, е. происходит образование уплотняющего заусенца. В дальнейшем создание давления в реакционном пространстве 5 осуществляется за счет продолжающегося перемещения материала из углублений 2, а также за счет уплотнения его в углублениях и в заусенце. Следует отметить, что интенсивному перемещению подвергаются лишь определенные зоны контейнера, в основном материал наружной части кольца 4, в то время как материал...