Способ определения профиля концентрации легирующей примеси в полупроводниках
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 893092
Авторы: Апанасенко, Гурский, Сигалов
Описание
Способ определения профиля концентрации легирующей примеси в полупроводниках, основанный на измерении вольт-фарадной характеристики МДП-структуры и определении профиля концентрации легирующей примеси расчетным путем, отличающийся тем, что, с целью расширения пределов определения профиля концентрации легирующей примеси, перед измерением вольт-фарадной характеристики к МДП структуре прикладывают через ограничивающий ток резистор линейно возрастающее напряжение до возникновения в диэлектрике проводимости от 10-11 до 10-9 (Ом·см)-1 .
Заявка
2981081/25, 26.06.1980
Физико-технический институт АН БССР
Гурский Л. И, Сигалов Б. Л, Апанасенко В. П
МПК / Метки
МПК: G01N 27/22, H01L 21/66
Метки: концентрации, легирующей, полупроводниках, примеси, профиля
Опубликовано: 27.05.2012
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-893092-sposob-opredeleniya-profilya-koncentracii-legiruyushhejj-primesi-v-poluprovodnikakh.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения профиля концентрации легирующей примеси в полупроводниках</a>
Предыдущий патент: Электродный узел плазматрона
Следующий патент: Способ контроля кремниевых моп-структур
Случайный патент: Ультрацентрифуга