Способ определения профиля концентрации легирующей примеси в полупроводниках

Номер патента: 893092

Авторы: Апанасенко, Гурский, Сигалов

ZIP архив

Описание

Способ определения профиля концентрации легирующей примеси в полупроводниках, основанный на измерении вольт-фарадной характеристики МДП-структуры и определении профиля концентрации легирующей примеси расчетным путем, отличающийся тем, что, с целью расширения пределов определения профиля концентрации легирующей примеси, перед измерением вольт-фарадной характеристики к МДП структуре прикладывают через ограничивающий ток резистор линейно возрастающее напряжение до возникновения в диэлектрике проводимости от 10-11 до 10-9 (Ом·см)-1 .

Заявка

2981081/25, 26.06.1980

Физико-технический институт АН БССР

Гурский Л. И, Сигалов Б. Л, Апанасенко В. П

МПК / Метки

МПК: G01N 27/22, H01L 21/66

Метки: концентрации, легирующей, полупроводниках, примеси, профиля

Опубликовано: 27.05.2012

Код ссылки

<a href="https://patents.su/1-893092-sposob-opredeleniya-profilya-koncentracii-legiruyushhejj-primesi-v-poluprovodnikakh.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения профиля концентрации легирующей примеси в полупроводниках</a>

Похожие патенты