Патенты с меткой «структурах»

Номер патента: 122213

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Корнилов, Хрюкин

МПК: G01B 9/04

Метки: отклонений, периодических, структурах

...спирали 4, Увеличенное проектором изображение структуры проходит перед диафрагмой б. Диафрагма имеет две щели, расположенные на расстоянии, равном изображению шага структуры минус половина изображения допуска шага структуры. Изменение светового потока в щелях диафрагмы вызывает периодическое изменение электрического сигнала на выходе преобразователей б и 7, в качестве которых могут использоваться фотоумножители. С преобразователей электрические сигналы подаются соответственно на блоки формирования импульсов 8 9Л 1 122213 совместно с импульсами, формируемыми блоком 9, подаются в блок совпадений 11В случае несовпадения импульсов, т. е. при отклонении шага структуры выше номинала, один из импульсов попадает на каскад совпадения...

Номер патента: 396659

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Вители, Горбушина, Московский, Проектно, Разведочного, Технического

МПК: G01V 5/00

Метки: выявления, геодинамических, движений, современных, структурах, тектонических

...диффузии радона в такой зоне. Однако вследствие того, что период полураспада Т эманаций мал (Т радона равен 3,82 сут, Т торона 54,5 сек), глубинность эманационного способа ограничена и по радону не превышает 8 - 10 л, т. е, с помощью радоновой эманационной съемки можно обнаружить зону разлома (или рудное тело) под чехлом рыхлых отложений мощностью не боСредняя концентрации эманаций Геодинамический показательНомера реперов 2,6 3,6 4,1 4,4 5,5 26 21 25 23 22 0,1950,2550,4650,5350,820 лее 8 - 1 О м. 1 лубинность торонового метода измеряется сантиметрами.С позиций современной теории эманацион. ного метода съемки (диффузия эманаций) нельзя объяснить появление ряда эманационных аномалий, например, в Донецком угольном бассейне, где...

Номер патента: 452811

Опубликовано: 05.12.1974

Автор: Чистяков

МПК: G05B 23/02

Метки: класса, неисправностей, релейных, структурах

...8 определяется числом точек на элементарной цепочке исходной структуры.Элемент "Запрет" 9 формирует "единичный" сигнал на выходе при "нулевом" и"единичном сигналах соответственно на его первом и втором входах.Элемент задержки 10 осуществляет задержку сигнала на время переходного процесса в генераторе сочетаний 5 и пороговых элементах 8.Перед началом работы счетчик 1 устанавливается в исходное состояние, затем в2 него вводится дополнение до числаСПи выдается команда "исходное, по которой триггер 2 переводится в "нулевое" состояние.По команде "Пуск" начинают поступать импульсы на входы счетчика 1 и элемента "И" 3, Импульсы заполняют счетчик 1 и одновременно поступают на входы генератора 5 и элемента "Запрет" 9 через открытый элемент "И"...

Номер патента: 508788

Опубликовано: 30.03.1976

Авторы: Василяускас, Лисицын, Ошемков, Уразов, Шохин

МПК: G01R 31/303, G06F 11/32

Метки: больших, интегральных, кон-троля, намоп, структурах, схем

...имеющихся в БИС для защиты от статического электричества и соединяющих каж 10 15 20 25 30 35 40 дый вывод БИС с подложкой. Если пороговый элемент регистрирует низкое напряжение, то контакт есть, если напряжение равно Е, то в цепи обрыв. В случае нормального контактирования из блока 4 определения контакта поступает разрешение на начало конроля БИС в блок 6 управления.Если какие-либо выводы БИС не законтактировали с контактирующим блоком 2, то блок определения контакта не дает разрешение на начало контроля БИС и на блоке 5 индикации отсутствия контакта включаются лампочки под номерами этих выводов, Когда оператор поправит выводы БИС в контактирующем блоке, лампочки гаснут и после повторного запуска поступает разрешение па...

Номер патента: 510668

Опубликовано: 15.04.1976

Авторы: Березин, Тарат, Туболкин

МПК: G01N 27/02

Метки: газожидкостных, контакта, поверхности, подвижных, структурах, фаз

...Пмают за секущую (фигурирующую в теории метода случайных секущих), которая может случайно в процессе хаотического движения газожидкостной структуры оказаться па перессчениР контакта фаз или вне такового, при этом точечныс электроды расставляют так, что рясстояцие между цх торцами составляет пс более самых малых газовых включений, учцгывать которые необходимо, в противном случае возможна такая ситуация, когда в момент определения факта пересечения секущей с поверхностью контакта фаз газовое включение окажется между точечными электродами ц несмотря па пересечение секущей с пов рхностью контакта фаз он цс будет зарспстрирован.Применительно к пенному слою это;)асстоянце берут, например, равным 1 мм.Тяе кае ГЯЗОВяя фаза пяходится В...

Номер патента: 517863

Опубликовано: 15.06.1976

Авторы: Двинских, Маслов, Парусов, Сергеев

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: легирующей, полупроводниковых, примеси, профиля, структурах

...смещения; 5 в селективный вольтметр первой гармоники; 6 - селективный вольтметр второй гармоники; 7 - фильтр, выделяющий первую гармонику.Устройство для измерения профиля представляет собой генератор 1 строго гармонических колебаний, соединенный с измерительной цепью, состоящий из последовательно соединенных испытуемого образца 2 и параллельного колебательного контура 3, настроенного на удвоенную частоту генератора. К выходу генератора 1 присоединен селективный вольтметр 5 первой гармоники. С колебательного контура 3 напряжение второй гармоники подается на селективный вольтметр 6 второй гармоники, а напряжение первой гармоники через фильтр 7 первой гармоники уппавляет выходным напряжением генератора 1,517863 3Параллельно...

Номер патента: 527708

Опубликовано: 05.09.1976

Автор: Чистяков

МПК: G06F 11/04

Метки: неисправностей, обнаружения, релейных, структурах

...элементовИ" 4, Коммутатор может быть выполнен, например, на пакетныхпереключателях.Счетчих 14 формирует импульс переполнения, когда все множество электрическине различимых комбинаций неисправностейсформировано,Элемент задержки 15 совместно с формирователем 16 осуществляет задержкууправляющих импульсов и формирует импульссы заданной длительности, поступающие науправляюший вход группы элементовИ 11.Триггер 17 предназначен для управленияэлементом И 6Элементы 5, 6, 7, 8, 14, 15, 16 и17 устройства функционально можно объединить в блок управления 18, первым выходом которого является выход элементаИ6, вторым выходом - выход формирователя16, третьим выходом - выход формирователя 8, четвертым выходом - нулевой выходтриггера 5. Входом...

Номер патента: 552600

Опубликовано: 30.03.1977

Авторы: Асатиани, Игнатущенко, Панцхава, Чачанидзе

МПК: G06F 1/00

Метки: однородных, операндов, синхронизации, структурах

...имеет информационные входы 29, 30, управляющие входы 31 ячеек 2 регистра, управляющие входы 32 ячеек 28 регистра, информационные связи 33 между разрядами ячеек 27, информационные связи 34 между разрядами ячеек 28. Цепь единичный выход триггера 18 (19) - задержка на один такт 9(10) реализована в ОС при помощи цепи нулевой выход триггера - задержка на один такт с инвертированием 35 (36); схемы И 11 - 15 - при помощи ячеек 37 - 41, а триггеры 16 - 19 - соответственно парами ячеек 42, 43, 44 и 45, настроенных на реализацию функции И - НЕ. Цепь единичный выход триггера 17 - нулевой вход триггера 18 реализована при помощи цепи нулевой выход ячейки 43 - схема НЕ 46 - нулевой вход ячейки 44; цепь единич 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 бО б 5...

Номер патента: 643859

Опубликовано: 25.01.1979

Авторы: Кабанец, Степанов

МПК: G06F 3/00

Метки: ввода, графических, информации, структурах

...Выходы элементов 15 соединены со входами логических элементов ИЛИ 16, выходы которых соединены с регистром 10,Входы уапа 12 соединены с выходами регистров 7 проекций ребер графов на ось У, а выходы соединены также с выходным регистром 10,Входы логических элементов ИЛИ 14соединены с выходными контактами клавиш 2 клавиатуры 1, которые объединены в группы 17. В свою очередьгруппыклавиш 18 соединены аналогичным образом с узлом 12 выбора кодов проекцийна вертикальную ось,Перед на галом работы ус-ройсгва)Подлежащий считыванию эскиз графа вписывается в сетку, т,е, через егоузловые точки проводятся координатныеосикоторые номеруются в соответствиис номерами осей сетки клавиатуры 1 иуказываются расстояния между осями,являющиеся проекциями ребер...

Номер патента: 824234

Опубликовано: 23.04.1981

Автор: Войнов

МПК: G06G 7/48

Метки: заряда, моделирования, носителей, полупро-водниковых, распре-деления, структурах

...достигается тем,что в известное устройство, содержащее п ячеек, каждая из которых состоит из двух источников тока, диф- .3 О фузии и дрейфа носителей, входы котощего влияние гецерации-рекомбинации в структуре определяется общеизвестными соотношениями 3 .Определяемые разности потенциалов в схеме устройства фиксируются с помощью вольтметров и осциллографов.Включение резисторов, моделирующих дрейфовый ток носителей заряда структуры параллельно емкости, определяющей изменение электростатического потенциала за счет тока смещения и использование источников тока, . учитывающих влияние концентрации дырок и электронов, а также отражающих влияние распределения концентрации легирующих примесей на электростатический потенциал позволяет осуществлять...

Номер патента: 862270

Опубликовано: 07.09.1981

Авторы: Бережной, Ловейко, Юхименко

МПК: H01L 21/324

Метки: величины, заряда, положительного, проводниковых, структурах, уменьшения

...диффузионным областям (на чертеже не показаны), создания металлических затворов 3, в уо пленке нитрида кремния вскрываются вспомогательные окна 4. Одновременно в одном технологическом цикле изготовлены контрольные приборы без вспомогательных областей 4, До отжига в водороде пороговые напряжения (Ут) МНОП-транзисторов для основной и контрольной группы приборов составляли - (6-8) В. После отжига в водороде пороговые напряжения транзисторов основной группы (с вспомога- ЗО тельными окнами 4) уменьшились по абсолютной величине до 3,0-3,5 В, а пороговые напряжения контрольных транзисторов практически не измени" лись. 35Настоящий способ можно реализовать и в других вариантах. Вскрытие вспомогательных окон 4 удобно совместить в технологическом...

Номер патента: 786728

Опубликовано: 23.04.1982

Авторы: Авдеева, Игнатов, Перов, Поляков

МПК: H01L 21/66

Метки: величины, границе, заряда, пленочных, раздела, структурах

...конденсатора;Я - заряд паразцтцой емкости, 1 а чертсжс приведена функциональная Еа устройства для реализации способа. стройство содсржг блок 1 управлсизмерительный прибор 2, источник 3 ояццого напряжения, регулируемого цо786728 Л СмирновКуклина оставитс Техрсд Л(оррсктор Е. Михе ктор Е. Хейфи Подпис 1 ираж 758когиитета СССРи открытииская иаб., д. 4/5 Заказ 292 Изд. М 125 1 ИПИ Государственно по делам изобретсш 035, Москва, Ж, Ра113 Загорская типография Уприолиграфиздата Мособлисполко:а 8величине, паразптпуо емкость 4, сопротивление 5 и емкость 6 исследуемой структуры, операционный усилитель 7, сопротивление ключа 8 - 9, эталонный конденсатор 10, входное сопротивление 11 и емкость 12 операционного усилителя.П р и м е р....

Номер патента: 934377

Опубликовано: 07.06.1982

Авторы: Златин, Иосим, Ройтруб

МПК: G01N 33/48

Метки: ацетилхолина, концентрации, мозга, структурах

...Редактор В.ПилипенкоВ а Ш Е Е В Е Еа ьюее е г ю Заказ 3927/40 Тираж 887 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП "Патент", г.ужгород, ул.Проектная, 4 заполненной аэрируемым раствором Креб.са с прозерином, и присоединяют к механической части электронного устройства. Исследование проводят притемпературе раствора в ванночке 1015 С, Перед началом опыта готовятостандартные растворы ацетилхолина(тестирующие) на растворе Кребса спрозерином.Опыт проводят в следующей после- оовательности, определение минимальной концентрации ацетилхолина,,вызывающей сокращение участка спинной мышцы пиявки, определение степени повторяемости отношения "доза" 15,эффект"...

Номер патента: 1001236

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Перов, Петров, Поляков

МПК: H01L 21/66

Метки: границы, полупроводниковых, потенциала, раздела, структурах

...гетероперехода осуществляется следующим образом.На гетеропереход подается напряжение смещения Ч и он освещаетсяимпульсом света, энергия квантов которого Е(Ъ)1 ЕстЕ 2. При таком освещении происходит спрямление зонв обоих полупроводниках, а так какток через гетеропереход поддерживается постоянным, то изменение напряжения на гетеропереходе вызвано только возникающей фото-ЭДС и равно ейпо величине (аналогично режиму холостого хода). В этом случае измеряе -мая величина фото-ЭДС насьпцения равна (-1(9, - Ч) . Достижение насыщенияЗОфото-ЭДС проверяется с помощью нейтральных фильтров, Затем гетеропереходосвещается импульсом света с Е ) ЕМ)Е 2, При этом измеряемая фото-ЭДСнасыщения равна - У/),. ЗдбИз двух проведенных измерений...

Номер патента: 805781

Опубликовано: 15.01.1984

Автор: Сергеев

МПК: H01L 21/66

Метки: легирующей, полупроводниковых, примеси, профиля, структурах

...управляемый источник второй гармоники, коммутатор и фильтр, выделяющий вторую. гармонику, прячем коммутатор соединен с регулируемым выходом управляемого. генератора гармонических колебаний, с выходом источника обратного смещения, селективным вольтметром второй гармоники и выходом управляемого источника второй гармоники, сигнальный вход которого соединен с нерегулируемым выходом генератора, а регулирующий вход через фильтр, выделяющий вторую гармонику, подключен к колебательному контуру.На чертеже приведена функциональ-ная схема предлагаемого устройства.805781 3Устройствосодержит управляемый генератор 1 гармонических колебаний частоты ш образец 2, параллельный колебательный контур 3, настроенный на частоту 2, источник 4 обратного...

Номер патента: 1078357

Опубликовано: 07.03.1984

Авторы: Бойченко, Кулинич, Николашин, Петрик, Пудло, Шварцман

МПК: G01R 29/00

Метки: времени, жизни, неосновных, носителей, структурах

...в виде соосно расположенных электродов с Токоотводами, блок, контроля обратного сопротивления,измерительный блок и шлифовальныйкруг с электроприводом, снабженозакрепленным,на корпусе узлом прижима с кронштейном, при,этом электроды контактного узла выполнены в видеупорного и прижимного валиков, установленных в подшипниках вращения,закрепленных. в корпусе и кронштейнесоответственно,Причем подшипник прижимного ва-.лика выполнен самоустанавливающимся, 60На фиг. 1 дано схематическое изображение механической части предлагае"мого устройства, на Фиг. 2 - электрическая схема устройства; на фиг. 3,осциллограмма напряжения на структуре 5 Механическая часть устройства со.держит диэлектрическую плату 1 иприжимной валик 2, посредством...

Номер патента: 1078363

Опубликовано: 07.03.1984

Авторы: Быков, Кондратенко, Кононенко, Кузнецов

МПК: H01L 21/66

Метки: заряда, мдп, поверхностного, структурах

...невысокой точности определения поверхностного заряда.Цель изобретения - повышение точности определения поверхностногозаряда.Цель достигается тем, что согласно способу определения поверхностного заряда в МДП структурах, включающему воздействие поперечного магнитного поля на структуру, измеряютвольт-фарадную характеристику довоздействия магнитного поля на струк туру и после воздействия, затем определяют напряжения плоских эон поотклонению экспериментально получен-ных вольт-фарадных характеристик оттеоретической, построенной без учета воздействия магнитного поля, иопределяют величину и стабильность поверхностного заряда по известнойзависимости, прк этом магнитную индукцию воздействующего поля устанавливают в пределах 0,1 с В с 1 Т.На фиг....

Номер патента: 902600

Опубликовано: 30.05.1984

Автор: Сергеев

МПК: H01L 21/66

Метки: легирующей, полупроводниковых, примеси, профиля, структурах

...работает следующим образом.С выхода управляемого генератора 1 гармонические колебания частоты й) через контакты коммутатора 8 подаются на измерительную цепь, представляющую собой последовательное соединение испытуемой структуры 2 и колебательного контура 3, имеющего резонанс на частоте, 2 И, Сюда же поступает напряжение обратного смещения от источника 4.Под действием протекающего через образец гармонического тока частотыО из-за нелинейных свойств барьерной емкости появляется ток второй гармоники, Оба тока создают на контуре 3 падения напряжений первой и второй гармоник. Напряжение первой гармоники выделяется с помощью фильтра первой гармоники 7 и используется для управления выходным напряжением генератора 1 с тем расчетом, что при...

Номер патента: 1098455

Опубликовано: 15.02.1985

Авторы: Локтаев, Лопуленко, Марквичева, Нисневич, Писарева

МПК: H01L 21/225

Метки: многослойных, областей, сильнолегированных, структурах, формирования

...полная. деструкция легированных фосфором и мышьяком пленок происходит при температуре 800 фС, а легированных бором при 1050 С. Поэтому загрузка пластин должна производиться в печь, нагретую на 50-350 С ниже, чем температура диффузии, Если температура загрузки пластин в печь будет ниже более чем на 350 С или менее чем нао50 С по сравнению с температурой диффузии, то в первом случае за счет увеличения длительности нагрева печи до температуры диффузии будет уменьшаться уровень легирования из-за излишнего испарения примесей, а во втором случае сближение температуры деструкции и диффузии ухудшит однородность и воспроизводимость легирования, так как диффузия и деструкция будут происходить одновременно, В зависимости от массы загружаемых...

Номер патента: 1101088

Опубликовано: 28.02.1985

Авторы: Гусев, Лысенко, Турчаников

МПК: H01L 21/66

Метки: глубоких, параметров, поверхностно-барьерных, структурах, уровней

...выполненный на базе дифференциального интегратора и устройства выборки и хранения, устройство дополнительно содержит цифроаналоговый преобразователь, соединенный с двухкоординатным самописцем и стробоскопическим интегратором, который дополнительно содержит блок управления, а блок регулировки температуры и источник импульсного смещения соединены со стробоскопическим интегратором. Блок управления стробоскопического инте. - гратора дополнительно содержит схему И, вычитающий и суммирующий счетчики,жение выбранного пика разностного релаксационного .сигнала на оси времени, определяют энергетическое поло. жение глубоких уровней по наклону прямой зависимости и 1Т от при построении которой необходимо знать координаты как минимум двух...

Номер патента: 1157947

Опубликовано: 30.09.1985

Авторы: Бабак, Кильчицкая, Стриха

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: качества, контактов, невыпрямляющих, полупроводниковых, структурах

...полупроводника 3 ведет при условии Ы 1 к генерации электроннодырочных пар в объеме полупроводника по всей глубине проникновения излучения вплоть до контролируемого контакта. В области 4, а также в области 2 при наличии в ней потенциального барьера может происходить разведение фотогенерированных носителей электрическими полями потенциальных барьеров, что регистрируется как пульсирующий фототок посредством наблюдения в точке 13 падения переменного напряжения на нагрузке 9 независимо от темнового тока через структуру, который пропорционален постоянной составляющей напряжения на нагрузке 9 в точке 14.Величина и направление фототока для случая слабопоглощаемого света зависят от собирания генерированных светом носителей заряда, т.е. от...

Номер патента: 1010997

Опубликовано: 23.11.1985

Авторы: Андреев, Сулима

МПК: H01L 21/66

Метки: выявления, дефектов, повышенными, полупроводниковых, структурах, токами, утечки

...меньшей напряжения отсечки до величины большей напряжения отсечки.Ограничение Оп с Оц обеспечивает стабильность пленки анодного окисла в процессе электрохимического осаждения металла, так как,пленка 3 . 101099 направлении, при котором ток через -11-переход течет только в местах дефектов 4 с повышенной утечкой тока, Силовые линии тока показаны .штриховыми линиями. 5Приведем обозначения величин напряжений, используемых в описании: 0 - напряжение при анодном окислеЦнии 0 - напряжение при электрохиф. ммическом осажцении металла, 0-, напряжение пробоя-Ь-перехода, 0 напряжение отсечки-Ь-перехода.Напряжение Ц 1, прикладываемое к электродам 7 и 8, падает в основном на-Ь-переходе в местах, 15 свободных от утечек. Для того, чтобы не...

Номер патента: 1061591

Опубликовано: 07.01.1986

Автор: Сергеев

МПК: H01L 21/66

Метки: легирующей, полупроводниковых, примеси, профиля, структурах

...составит не более 3 ч.Целью изобретения является увеличение надежности и быстродействияустройства.Цель достигается тем, что в устройство, содержащее шины для подключения исследуемой структуры, к одной из которых присоединен источникобратного смещения, а к другой -параллельный колебательный контури входы фильтров первой и второйгармоник сигнала, фильтр первойгармоники выполнен в виде последовательно включенных селективного усилителя, детектора и дифференциального усилителя, второй вход которого соединен с источником опорногонапряжения, фильтр второй гармоникивыполнен в виде последовательновключенных селективного усилителя,детектора и фазового детектора, выход фильтра первой гармоники соединен с управляющим входом...

Номер патента: 1297133

Опубликовано: 15.03.1987

Авторы: Ермаков, Перов, Поляков

МПК: H01L 21/66

Метки: границе, полупроводниковых, потенциалов, раздела, структурах

...зоны самого узкозонного материала (Са Ая, фиг.1), и с интенсивностью, достаточной для достижения фотоЭДС насыщения, и измеряется временная зависимость фотоЭДС Ч,р (е) (фиг. 2), на которой четко вйдны характерные участки и изломы.При таком освещении наличие трех характерных участков и двух резких изломов между ними (фиг, 2, кривая 1) свидетельствует о спрямлении барьеров с, суй в Са Ая и последовательном достижении насыщения связанных с ними барьерных фотоЭДСВ области первого излома достигает насыщения фотоЭДС от барьера Ч . Поэтому, экстраполируя участок зависимости Чпосле первого излома к моменту начала светового импульса при с=0, находим су =ц Ч =0,22 эВ, где и - заряд электрона. Экстраполяцией участка зависимости Ч (1:)...

Номер патента: 1317022

Опубликовано: 15.06.1987

Авторы: Бирюков, Фисинин, Шольц

МПК: C12N 9/02

Метки: 3-оксибутиратдегидрогеназы, активности, биологических, структурах

...кривую .зависимости светопоглощения,суспензии митохондрий от концентраций детергента. Эта зависимость имеет точки перегиба в области высоких и низких значений поглощения, Концентрация детергента, соответствующая таСоставитель 1 О,КононенкоРедактоР И.СеглЯник ТехРед М,Ходанич КоРРектоР А,ОбРУчаР Заказ 2394/23 Тираж 499 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5. Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул, Проектная, 4 П р и м е р. Митохондрии, выделенные из печени крыс весом 250-300 г линии Вистар, в количестве 0,5 мг белка вносят в 3 мл среды, содержащей 25 ммоль трис-НС 1 (рй 7,4), 2 ммоль НАД+, 1 мкмоль ротенона, Добавляют тритон Хдо...

Номер патента: 1528435

Опубликовано: 15.12.1989

Автор: Казанский

МПК: A61B 10/00

Метки: выявления, ионов, кальция, нейрона, структурах

...мононейронов. Ф о р м у л а и з о б р е т е н и яСпособ выявления ионов кальция в структурах нейрона путем фиксации срезов ткани в водном растворе четырех окиси осмин, обработки последовательно спиртом, смесью спирта с ацетоном (151), далее ацетоном, пропитки смесью ацетона с аралдитом, заливки в капсулы чистым аралдитом с последующим термостатированием и исследованием на электронном микроскоп о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью улучшения способа и сокращения сроков фиксации исследуемой ткани, в водный раствор четырехокиси осмия добавляют 2%-ный раствор пироа тимоната калия в равных пропорциях (1:1) . ится к медицине и ано и гистологии Изобретение относ может быть испг;льзонель изобретения соб и сокращение срСпособ осугестнля...

Номер патента: 1529288

Опубликовано: 15.12.1989

Авторы: Беккер, Петухов, Фомин, Фролов

МПК: G11C 11/40

Метки: бис, записи, информации, кмоп, структурах, хранения

...области пространственного заряда коллекторноо перехода, отклоняется от прямолиейной, Радиус кривизны траектории еоснованных носителей заряда пропорционален величине вектора силы Лорена Г Таким образом, при приложении агнитного поля определенной величи-. ны можно достичь полного ответвления ока, создаваемого основными носите-, ямн заряда при обтекании областей бъемных резисторов 5 и 6, шунтируюих эммитерные переходы транзисторов10, 7 и 8 прямой и обратной проодпмости, что устраняет возможность нжекции зарядов эммитерами составяющих транзисторов. Вследствие отутствия инжекции эммитеров устраня тся возможность увеличения тока, протекающего через паразитную тирисорную структуру, которое может приести к изменению коэффициентов усиения по току...

Номер патента: 1608551

Опубликовано: 23.11.1990

Авторы: Лузан, Орешкин

МПК: G01N 27/22

Метки: глубоких, параметров, полупроводниковых, структурах, центров

...время формирования0 опорного сигнала величина управляющегосигнала и соответственно период импульсовзадающего генератора 8 остаются неизменными. Период импульсов задающего генератора 8 строго пропорционален величине5 управляющего сигнала, поэтому управляющий сигнал можно использовать в качествевеличины, характеризующей период задающего генератора и характеризующей постоянную времени релаксации,0 Выбор арифметической операции (сложение или вычитание) осуществляется триггером 14, Высокий уровень сигнала навыходе триггера соответствует операциисложения, низкий уровень - операции вычи 5 тания, Триггер 14 имеет счетный вход и входустановки. Если управление осуществляется по входу установки, то счетный вход блокируется. Управление по счетному...

Номер патента: 1669407

Опубликовано: 07.08.1991

Авторы: Вольфгант, Дьердь

МПК: G01N 22/00

Метки: активных, п-переходом, полупроводниковых, примесей, структурах, электрически

...детектор 20, первый усилитель 55 21, блок 22 автоматической настройки частоты, второй усилитель 23, линию передачи 24, первый генератор 25 импульсов, второй генератор 26 импульсов, блок 27 обработки сигнала, ЭВИ28 и образец 29.Устройство (фнг. 3) содержит генератор 30, резонатор 31, СВЧ-детектор 32, генератор 33 импульсов, предусилитель 34, контур 35 удерживания,синхронный детектор 36, ЭВМ 37, блок38 регулирования температуры. Вместорезонатора можно использовать СВЧ-рефлектометр. В этом случае образец устанавливается в торцовой части волновода, а позади образца на регулируемом интервале располагается отражательсоответствующего размера,Устройство (фиг. 1) работает следующим образом.Излучение носителей из глубокихуровней, которые и...

Номер патента: 1679447

Опубликовано: 23.09.1991

Авторы: Большаков, Черепанов

МПК: G01N 27/18

Метки: акваторий, антиклинальных, дном, залежей, контуров, криолитозоной, положения, структурах, углеводородов

...вследствие увеличения межфаэных натяжений. Например, при изменении температуры от 70 до 20 С межфаэное натяжение в системе метан - вода возрастает с 3,5 102 до 7,5 10 н/м, что влечет за собой увеличение капиллярного давления более, чем в два раза.Известно, что вследствие формирования толщи многолетнемерэлых пород пластовые температуры в нефтегазоносных комплексах северных районов понизились на 30 - 50 С, В результате возникает ситуация, предотвращающая перемещение углеводородов по пластам, которые в прежних геотермических условиях, в период формирования залежи, для нефти и газа являлись1679447 скоплений отождествляют с их палеоконтурами,Составитель Э,ВолконскийТехред М,Моргентал Корректор М.Максимишинец Редактор А.Шандор Заказ 3213...