Патенты с меткой «межуровневой»

Номер патента: 1577617

Опубликовано: 20.12.1995

Авторы: Барсукова, Кастрюлев, Розес, Ткачева

МПК: H01L 21/28

Метки: больших, изоляции, интегральных, межсоединений, межуровневой, создания, схем

СПОСОБ СОЗДАНИЯ МЕЖУРОВНЕВОЙ ИЗОЛЯЦИИ МЕЖСОЕДИНЕНИЙ БОЛЬШИХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование первого уровня межсоединений, нанесение пленки полиимида, создание межуровневых контактов и межсоединений второго уровня, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности межуровневой изоляции межсоединений, перед нанесением полимида в него вводят бензимидазол в количестве 0,2-0,4% и проводят термообработку при 80-100oС.

Номер патента: 1780467

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Зайцев, Кабаков, Карпиевич, Козлов, Красницкий, Турцевич

МПК: H01L 21/76

Метки: борофосфоросиликатного, изоляции, интегральных, межуровневой, стекла, схем, формирования

Способ формирования межуровневой изоляции интегральных микросхем из борофосфоросиликатного стекла, включающий загрузку кремниевых подложек со структурами интегральных схем в реактор, нагретый до 600-700°С, вакуумирование реактора, раздельную подачу в реактор паров тетраэтоксисилана с азотом или кислородом посредством испарителя-барботера при 30-60°С, фосфина с парами триметилбората в инертном газе и кислорода, наращивание пленки борофосфоросиликатного стекла требуемой толщины с содержанием фосфора 2-5 мас.% и бора 3-6 мас.% при давлении 15-100 Па и соотношении ингредиентов фосфин-кислород более или равном 0,2 при температуре нагрева реактора, оплавление борофосфоросиликатного...

Номер патента: 1151153

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Буляк, Пухов, Румак, Хатько

МПК: H01L 21/316

Метки: изоляции, мдп-интегральных, межуровневой, структурах, схем

Способ изготовления межуровневой изоляции на структурах МДП-интегральных схем, включающий последовательное формирование на поверхности структуры подслоя и слоя двуокиси кремния, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических параметров структур за счет повышения стабильности величины порогового напряжения, подслой межуровневой изоляции формируют анодированием структур в кислородной плазме ВЧ-разряда при давлении кислорода 1,33-2,66 Па и температуре не более 150°С.