Патенты с меткой «межкомпонентной»
Способ изготовления межкомпонентной изоляции кмдп интегральных схем
Номер патента: 1542342
Опубликовано: 27.05.2012
Авторы: Батраков, Герасимчик, Зеленин, Лытко, Попов, Сенько, Шевчук, Ясников
МПК: H01L 21/76
Метки: изоляции, интегральных, кмдп, межкомпонентной, схем
Способ изготовления межкомпонентной изоляции КМДП интегральных схем, включающий формирование на кремниевой подложке с областями карманов нитридной маски, формирование n+ и p+ охранных областей, их локальное окисление, отжиг структур в инертной атмосфере и удаление нитридной маски, отличающийся тем, что, с целью повышения напряжения пробоя, снижения токов утечки изоляции и повышения воспроизводимости указанных параметров за счет снижения дефектности подложки в охранных областях и снижения уровня механических напряжений в подложке, p+ охранные области формируют до формирования нитридной маски, а после удаления нитридной маски структуры дополнительно...
Способ изготовления межкомпонентной изоляции к мдп интегральных схем
Номер патента: 1356895
Опубликовано: 20.06.2012
Авторы: Корешков, Плотников, Румак, Хатько, Шевчук
МПК: H01L 21/316
Метки: изоляции, интегральных, мдп, межкомпонентной, схем
Способ изготовления межкомпонентной изоляции К МДП интегральных схем, включающий создание в кремниевой подложке областей кармана, формирование на кремниевой подложке нитридной маски, охранных областей, их локальное окисление при температуре 900-1100°С до толщины 0,7-1,5 мкм и отжиг в атмосфере химически инертного газа, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных схем путем повышения зарядовой стабильности изоляции, перед локальным окислением проводят отжиг в диапазоне температур окисления в атмосфере химически инертного газа в течение 10-60 мин, а локальное окисление осуществляют в два этапа предварительным формированием подслоя двуокиси кремния, последовательной...