Патенты с меткой «окисел»

Номер патента: 454612

Опубликовано: 25.12.1974

Авторы: Ефимова, Никольский, Поспелов, Райхельсон, Федотова

МПК: H01M 13/00

Метки: биполярного, источника, металламеталл, окисел, системы, химического, электрода

...источника тока путем сдваивания металлических основ-подложек для экранизации внутренних поверхностей от воздействия электролита ванны и электрохимического осаждения активных материалов на наружные поверхности.Однако сварка необезжиренных, окисленных или зачищенных металлов не может обеспечить герметичность шва, а обработка металла под сварку нетехнологична.Цель изобретения - упрощение технологии изготовления биполярного электрода. Для этого сначала на подложку осаждают металл, затем разделенные основы переворачивают металлическим покрытием внутрь с герметичным соединением их по кромкам и осаждают окисел металла.Предлагаемый способ заключается в следующем.Две стальные основы одинакового размера толщиной 0,05 - 0,1 мм складывают...

Номер патента: 490279

Опубликовано: 30.10.1975

Авторы: Кэйс, Николас

МПК: B01K 3/02

Метки: активного, группы, металла, окисел, платиновой, подложки, покрытия, содержащего, титановой, удаления, электрода

...ерез 30 90 сек начинается бурное выдслецие газов. Электрод тут же вынимают из кислоты и промываот водой.Получсццыс рсзугптаты представлены в 3) 1 ябл. 1.Эр490279 Таблица 1 Потери веса тптдновой Н О Д Л И 1 К и Н.о.лс обр;. боскв, 1/Содержаниегидрида нат. РВЯ В Р 1 с.1, 1 11 с: С , вес. % Вес ндчальногсПОКРЫ(ИЯ/Вретя обработки вк.планевв Темпера. тура рас ланд, ( 1 7,5 39,5 22,7 1 с,8 1 7,8 38,8 345 350 370 310 370 375 8,6 15,2 4,6 3,8 2 1, 1,6 0,6 0,8 0,8 0,8 1,0 1,0 0,5 1,0 1,0 6,0 ч дблннд 2 П злектрод 1 зсзугьтс,ты опыов 1 злектрод Содержание гидрида натрия, вес. %Время обработки в расплаве, минНачальный вес электрода, гОбщая потеря веса, гПотери титана, г11 дружный ищ 1,521 о 02 56,02,5 1,521298,15,9 2 о спЛС НО ВСС ПОКРЫтие С...

Номер патента: 509923

Опубликовано: 05.04.1976

Авторы: Андреев, Козлова, Терентьев, Фишман

МПК: H01M 4/04

Метки: биполярногоэлектрода, источника, металла-металл, окисел, системы, химического

...о источника тока, например, системы двуокись свинца- свинец, путем сдваивания металлических основ-подложек зи экра- О низации внутренних поверхностей от воздействия электролита ванны и электрохимического осаждения активных материалов на наружные поверхности, При этом сначала на подложки осаждают металл, например свинец, 1 в затем разделенные основы переворачивают металлическим покрытием внутрь с герметичным соединением их по кромкам и осаждают окисел металла. Однако 50-90% электр. родов, полученных этим спЬсобом, отходит О в брак в связи с тем, что полученное покрытие двуокисью металла имеет плохую ад.езию к основе, шелушится и окапывается при вырубке, Это объясняется тем, что при осаждении окисла металла на сварную лластйну он509923...

Номер патента: 1108962

Опубликовано: 10.04.1995

Авторы: Мальцев, Милошевский, Нагин, Тюлькин, Чернышев

МПК: H01L 21/04

Метки: двухслойного, дефектности, диэлектрика, кремния, нитрид, окисел, проводник, структуре, уменьшения, —полупроводник

СПОСОБ УМЕНЬШЕНИЯ ДЕФЕКТНОСТИ ДВУХСЛОЙНОГО ДИЭЛЕКТРИКА В СТРУКТУРЕ ПРОВОДНИК НИТРИД КРЕМНИЯ ОКИСЕЛ КРЕМНИЯ ПОЛУПРОВОДНИК, заключающийся в проведении термообработки структуры нитрид кремния окисел кремния - полупроводник в атмосфере кислорода перед нанесением проводника, отличающийся тем, что, с целью увеличения времени хранения информации в структуре, термообработку проводят в атмосфере влажного кислорода при температуре 800 - 1150 oС в пределах одного часа, затем с поверхности нитрида кремния удаляют пленку оксида кремния, образовавшуюся в процессе термообработки, и перед нанесением проводника проводят отжиг в атмосфере водорода при 700 - 1000oС в течение 30 60 мин.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что отжиг...

Номер патента: 1082253

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Румак, Хатько

МПК: H01L 21/66

Метки: двуокиси, кремния, окисел, пограничного, системе, слоя, структуры, —полупроводник

Способ контроля структуры пограничного слоя двуокиси кремния в системе окисел - полупроводник, основанный на травлении окисла и регистрации электронограмм на отражение, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и снижения трудоемкости, травление окисла производят на клин со скоростью 3-4 Å/с, после чего производят дополнительное травление при температуре 1150-1180°С в течение 30-60 с в газообразном хлористом водороде, носителем которого является водород.

Номер патента: 1238630

Опубликовано: 27.06.2012

Авторы: Пухов, Румак, Сакун, Тишкевич, Хатько

МПК: H01L 21/66

Метки: двуокиси, кремния, окисел, пограничного, системах, слоя, структуры, —полупроводник

Способ контроля структуры пограничного слоя двуокиси кремния в системах окисел - полупроводник, включающий травление окисла в газообразном хлористом водороде, носителем которого является водород, и наблюдение структуры в электронном микроскопе, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости контроля, травление окисла проводят в течение 1,5 - 7 мин при объемном содержании хлористого водорода в водороде 0,8 - 1,2 об.%, а наблюдение структуры осуществляют в растровом электронном микроскопе, причем о кристаллической структуре судят по наличию темного ореола вокруг фигур травления.