Патенты с меткой «мдп»

Номер патента: 329834

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Сельков, Шагурин

МПК: G11C 19/28

Метки: двухтактный, динамический, мдп, регистр, сдвиговый, транзисторах

...н низкого уровней саответственно.Динамический регистр сдвига состоит и, 30 двух последовательно соединенных ннве:.329834 г.З Голубов Составптеллред корректор А. Васильева ко ехина едакто Заказ 3692/13 Изд. М 1579 Тираж 406 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Ж, Раушскаи наб д, 4/5 пр. Сапунова, 2 ипогра торов, каждый из которых содержит запоминающие конденсаторы 1 и 2 подключенные параллельно транзисторам 3 и 4. Затвор транзистора 3 является входом устройства, Стоки транзисторов 3 и 4 подключены к генераторам тактовых импульсов положительной полярности, а истоки через диоды 5 и б - к общей шине. Нагрузкой первого инвертора является,входная емкость 7второго инвертора. Второй...

Номер патента: 387436

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Хавкин

МПК: G11C 11/40, G11C 17/00

Метки: запоминающее, мдп, постоянное, транзисторах

...чертеже представлена схема предла мого постоянного запоминающего устройс на МДП транзисторах.Она содержит МДП транзисторы 1 и 2, включенные в диагональ матрицы ПЗУ, затвор 3 транзистора 1, соединенный с шиной У, сток 4 транзистора 1, соединенный с шиной Х, исток 5 транзистора 1, соединенный с истоком 6 гранзистора 2; сток 7 и затвор 8 (соответср ,венно) транзистора 2, соединенные вместе и одновременно с шиной считывания.Во вновь изготовленных матрицах во всем 5 массиве записан О. Для записи информациимодуль ПЗУ подсоединяется всеми своими внешними контактами к устройству записи, например устройству считывания с перфокарты или перфолсн, тумблер ному пульту 10 И т. п. ЕсЛи с помощью такого устройства присоединить одну из шин У к...

Номер патента: 387502

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Андреев

МПК: H03K 3/281

Метки: мдп, мультивибратор, транзисторах

...определяется удельной крутизной нагрузочного транзистора 8 (или 4) и емкостью конденсатора 5 (или б). Стабильность напряжения на стоке закрытого транзистора 1 (или 2) определяется отношением величин удельной крутизны транзисторов 8 и 8 (или 4 и 7) и напряжением на затворе транзистора 7 (или 8), т, е. отношением величин удсльпои к 1)утизны транзисторов 9 и 10. Длительность квазиустойчиво го состояния определяется эффективным значением емкости конденсатора 5 (или б), удельной крутизной транзистора 8 (или 7) и напряжением на затворе последнего.Рассмотрим работу мультивибратора с момента, когда транзистор 1 только что открыт, а транзистор 2 только что закрыт. Конденсатор 5 заряжен, конденсатор б имеет разность387502 Составитель Ю. Еркин...

Номер патента: 450230

Опубликовано: 15.11.1974

Автор: Тэнк

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающий, мдп, транзисторах, элемент

...считывания и регенерации числовую шину 5 необходимо раз. рядить до пулевого потенциала,Режим считывания. Адрссна на записи 6 подключается к нулевому и а. Баиковеменова корректор Н. Ау едакто Подписио Тираж 591тета Согета Министров ССС1 ий и открытийская наб д, 4/5 аказ 790,2 Типография, пр. Сапунова лу, а на адресную шину считывания 7 подается высокий (по абсолютной величине) готенциал. Если в ЗЭ хранится единица (конденсатор 4 заряжен), то информационный транзистор 2 открыт, и потенциал узла 8 становится равным потенциалу адресной шинысчитывания 7. Далее через открытый транзистор 3 высокий потенциал передается начисловую шину 5, заряжая паразитную емкость 9 числовой шины, Если в ЗЭ хранился 10логический нуль (конденсатор 4 не...

Номер патента: 452910

Опубликовано: 05.12.1974

Автор: Андреев

МПК: H03K 3/28

Метки: мдп, мультивибратор, танзисторах

...конденсатор 5 заряжен до величины порогово го напряжения транзистора Оо, инвертирующий усилитель 2 заперт и на его выхо де напряжение Е - Ц. Положим при этом, что напряжение постоянных источников регулировки частоты, подключенных к шинам 9 и 10 равны удвоенному пороговому напряжению транзистора схемы Орег= 2 Уо) 1-ачиная с этого момента, происходит линейный перезаряд конденсатора 5 током стока времязадающего транзистора 7 до тех пор, пока напряжение на входе инвертирующего усилителя 1 не станет равным порогу запирания Опор.эап Времязадающй транзистор 7 с этого момента запирается нарастающим напряжением на его истоке, а перебрасывание инвертируюшего усилителя 1 происходит за счет внутренней цепи положительной обратной связи при...

Номер патента: 458036

Опубликовано: 25.01.1975

Авторы: Мальцев, Нагин, Поспелов

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающее, интегральное, мдп, транзисторах

...1, дешифратора строк 2, дешифратора столбцов 3, ячейки матрицы накопителя 4, запоми нающего МДП-транзпстора с изменяемым пороговым напряжением 5, нагрузочного МДП-транзистора 6, активного МДП-транАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВОСТОРАХ зистора 7, шины питания 8, управляющих шин 9, МДП-транзистора 10, выходной шины ЗУ 11, выходной шины дешифратора строк 12 и выходной шины дешифратора столбцов 13.Для записи необходимого массива информации все запоминающие МДП-транзисторы 5 с изменяемым пороговым напряжением предварительно переводят в одно состояние (стирание). Для этого на шину 9 подают напряжение стирания, а шины 8 и 11 заземляют. Затем избирательно МДП-транзисторы 5 переводят в другое состояние. Для этого на шину 9 подают напряжение записи Еэ,...

Номер патента: 478361

Опубликовано: 25.07.1975

Автор: Караханьян

МПК: G11C 11/40

Метки: динамическая, мдп, транзисторах, ячейка

...представляющего собой открытое плечо ячейки, приравняем выражение5 05для вольт-амперной характеристики нагруэочного транзистора 5 к выражению;1 К, (,)вх ОО 1 ОВЦ)представляющему собой вольт-амперную характеристику информационно о транзистора 1 (точка пересечения кривых а и в на фиг, 3) Е, Е 0 О нормированноеЕИ 5 гииично о зиачеияо. чил"Вых 3редмет изобрете ни я, аб Пинал еская ячейка памяти иа ЛОЕ 1-транзисторах, содержащая ифорл 1 а.иииые транзисторы с индуцированным каналол 1, соединенные НО схеме триггера, эаиолшнаюцие конденсаторы, включенные между 60 затВоромистоком каже 10 го инфорлацоигде К , К, - удельные крутизны и иорооные напряжения транзисторов 1 и 5 соот-. иетственно, Ц , О - напряжение наВЫХ ВХсОке и зВоре рсиЗисгора...

Номер патента: 482012

Опубликовано: 25.08.1975

Авторы: Бугрименко, Шагурин

МПК: H03K 19/08

Метки: импульсный, мдп, мощности, транзисторах, усилитель

...Выходной сигнал снимается с выходного электрода 13 пушпульного каскада,Схема работает следующим образом,В исходный момент на входе действует высокий уровень напряжения, Тогдатранзисторы 1, 6, 8 и 9 открыты, Напряжение на выходе вентиля близко к нулю.Напряжение на затворе зарядного транзистора 5 определяется коэффициентом передачи реостатного делителя, образованногооткрытыми транзисторами 8 и 9, параметры которых выбраны: так, что зто напряжение равно пороговому напряжению МДПтранзисторов. При этом конденсатор 7 за-ряжен до напряжения, близкого к пороговому напряжению МДП-транзисторов, а "1482012 45 Составитель Н дубровс ая"даР О.Стенина "екРед Н,Ханеева КоРРектоР А Д, ва Лака Д /3 Иад, М1 ираж 902 1 одписвое ЦНИИ 11 осударствеииого...

Номер патента: 500588

Опубликовано: 25.01.1976

Авторы: Беленький, Берлинков

МПК: H03K 17/16

Метки: ключ, мдп, транзисторах, электронный

...3Позицией 8 обозначена эквивалентная емкость узла затвора транзистора 3. Затьэри сток транзистэра 2 подключены к шине(вход) 10 тактовых импульсов, Позицией11 обозначен обобщенный вход ключа.Электронный ключ работает следующимобразом,овская иаб 24 Предприятие Патент), Москва, ГПри действии тактового импульса повходу 9 происходит заряд емкостной нагрузки 6 выхода 7 ключа, Одновременно действует тактовый импульс по входу 10 и через дополнительный транзистор 5 происходит заряд емкости 8. По окончании импульса по входу 9 в зависимости от того замкнута или разомкнута цепь тоанзисторов в сборке 1 происходит разряд емкостной нагрузки 6 ключа плп заряд на ней сохраняется, что, в свою очередь, опоеделяет, сохранится заояд на ем. ости 8...

Номер патента: 513502

Опубликовано: 05.05.1976

Авторы: Герасимов, Гусаков, Кармазинский, Орлов, Штанько

МПК: H03K 19/00

Метки: интегральными, мдп, согласования, схемами, ттл

...на до-" полкяющвх МДП-транзис-орах, Недос,тетками этого устройства являются значительная величина потребляемой мощности и ухудшение надежности.С целью новыжения надежности и уменьшения потребляемой мошиости в предложенное устройстВо введены два дополнительных инверторе иа дополняющих МДП-транзисторах; затвор- ф -канального трайзистора первого дополнительного вввертора соедмиен с выходом второго дополиительиого внвертора, а затвор-канального транзистора второго дополнительного иывертора - с выходом первого дополнительного иивертора, затворы и -канальных транзисгоров первого и второго дополнительных инверторов соединены со входом и выходом инвертора сооьветственно.На чертеже представлена схема устройства, которое состоит из...

Номер патента: 525247

Опубликовано: 15.08.1976

Автор: Солод

МПК: H03K 19/08

Метки: импульсов, мдп, транзисторах, усилитель-формирователь

...подачи на входной вывод 1 нулевого потенциала накопительный конденсатор 10 заряжается через транзистор 9 до напряжения Епит - 0 о, где Уо - пороговое напряжение МДП-транзистора, в результате чего на верхней обкладке накопительного конденсатора 10 устанавливается потенциал Е - соС приходом на входной вывод 1 импульса открываются транзисторы 3 и 7. На правой обкладке накопительного конденсатора 8 и на выходном выводе 2 устанавливаются потенциалы, близкие к нулевому, а на верхней обкладке конденсатора 10 напряжение воз- раСТЯЕТ ДО уроВНя, раВНОГО Увх+Епит - 0 где Увх - амплитуда входных импульсов, при этом напряжение на верхней обкладке конденсатора 10 превышает напряжение питания, благодаря чему накопительный конденсатор 8 заряжается...

Номер патента: 547970

Опубликовано: 25.02.1977

Авторы: Копытов, Прокофьев, Сидоренко, Сирота, Таякин

МПК: H03K 17/60

Метки: выходное, мдп, транзисторах

...одного случая, аименно при лог,О", на входе вгэрогэ пэвР/ l35тэрителя, который при этом шуцгированвыходным сопрэгивлецием ицвергэра 8,При флог,1" на входе устройства конденсатор 4 и еыкэсть затворов гранзистэ 40ров 3 и 9 заряжены, конденсатор 7 и емкость затвэра транзистора 6 разряжены через выходное сопротивление инвергэра 8,гак как ца его выходе устанавливается"лог. Оф, В э врем я фазы Ф 2 транзистор 6закрыт, а грацзистэр 3 эткрыт. Импульсыф 2 не проходят на затвор трацзистэра 11парафазного каскада и трацзистор 11 эсгается закрытым,Транзистор 12 открывается и обеспечи-ваег разряд емкостей затворов транзисторов10 и 2, транзисторы 10 и 2 закрываются,За счет гогэ, что разряд конденсатора 4во время фазы ф 2 незначителен напряжение...

Номер патента: 554612

Опубликовано: 15.04.1977

Авторы: Берзин, Якимаха

МПК: H03K 3/281

Метки: автоколебательный, дополняющих, мдп, мультивибратор, транзисторах

...приложенного к затвору транзистора 4, то в момент переброса в другое квазистационарное состояние потенциал затвора транзистора 4 скачкообразно повышается до уровня, равного сумме напряжений источника питания на клемме 1 и порогового напряжения транзистора 4,Высокий потенциал затвора транзистора 9 обеспечивает его надежное отпирание и малое внутреннее сопротивление, что создает возможность быстрого разряда конденсатора 7, который разряжается по следующей цепи: клемма 1 источника питания, малое внутреннее сопротивление открытого транзистора 5, конденсатор 7, малое внутреннее сопротивление транзистора 9, клемма 2 источника питания. Разряд конденсатора 7 прекращается, когда потенциал затвора транзистора 4 понижается до уровня порога...

Номер патента: 591960

Опубликовано: 05.02.1978

Авторы: Копытов, Прокофьев, Сирота, Таякин

МПК: G11C 11/40, G11C 11/4063, G11C 7/00 ...

Метки: выборки, запоминающих, мдп, транзисторах, устройств

...в зто время низкий уровеньнапряжения. После окончания действиятактового импульса на шине 41 и доначала действия тактового импульсана шине 42 переключаемый конденсатор 409 разряжается через транзистор 7. Вовремя действия тактового импульса нашине 42 тактовый импульс передаетсяна выход блока возбуждения 1 черезоткрытый транзистор 3, и на выходе 45блока возбуждения 5 остается низкийуровень напряжения,Если во время действия тактовогоимпульса на шине 41 тактовых импульсов на адресном вх де 37 устанавливаЯ)ется низкий уровень напряжения, конденсатор 4 разряжается. Во время действия тактовых импульсов на шине 42тактовых импульсов на выходе блокавозбуждения 1 остается низкий уровеньнапряжения, а на выход блока 5 черезоткрытыи транзистор 8...

Номер патента: 601639

Опубликовано: 05.04.1978

Авторы: Казанцев, Фролов, Ширшов

МПК: G01R 31/27, G01R 31/28

Метки: диэлектрика, интегральных, мдп, обнаружения, подзатворного, пробоя, схемах, транзистора

...гальзанпческой связи между исследуемыми электрола:ш затвора; стока (истока) не является препятствием для ;рцмененпя данного способа, так как Определяется це абсолютная величина тока че)ез индикатор, а только его изменение. Отсутствие контактирования с затвором исключает поВреждение подзатворного диэлектрика прц контактировании и ооеопечивает неразрушаощий контроль.На чертеже показаны элементы интеральной схемы с подключенными источчиками питания и индикатором тока, поясняощие использование способа обнаружения пробоя подзатворного диэлектрика транзистора в МДП ИС согласно данному изобретению.МР)кду Выводасми легрова нцсй Ооластп стока (истока) 1 и тОдлоикп 2 исслелуемого МДП транзистора включен,пе;)вь:й цсточцитс питания 3, Затвор 4...

Номер патента: 535010

Опубликовано: 30.09.1978

Авторы: Копытов, Прокофьев, Сидоренко, Сирота, Таякин

МПК: H03K 17/60

Метки: выхода, индикатор, интегральных, мдп, схем

...следующим образо,м.С входной шины 9 поступает информация в виде последовательного двоичного кода. При каждом сдвиге информации: шины 8 разрядных нмпульсов вырабатывазо ется разрядный импульс, совпадающий вовремени с адним из тактовых импульсов шины 10, который открьпвает транзистор 4.При этом происходит разряд емкости затвора транзистора 6, и транзпгстор 6 закрывается. Одновременно с этим на входйую 1 шину 9 поступпает нсвая информация. Напряжение с входа передается на затвор транзистора 2 через транзистор 1 во время действия импульсав с шины 10, При поступлении логического 0 на входную шину 9 10 емкость затвора транзистора 2 и конденсатор 6 к концу тактового импульса с шины 10 разряжаются, транзистор 2 запирается, В результате...

Номер патента: 655996

Опубликовано: 05.04.1979

Авторы: Каплан, Колешко

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: гистерезисных, мдп, структур, характеристик

...измерений и автоматического синхронизатора 10, предназначенного для синхровизвции работы всего устройства. Ко входам схемы 8 вычитания подключены емкости 11, 12, предназначенные дня расширения импульсов, подаваемых нв иих вночвми 7 и 8, сигнальные входы которых подключены к генератору 4 пилообразного напряжения, а управляющие входы к пороговому устройству 6.При подаче сигнала от генератора 1 на испытываемую Мйй структуру 5, через нее прогекаег ток и нв твкосьемном резисторе 3 выделяегса напряжении, про-, порциональное емкости. Это напряжение усиливается и детекгируегся усилителем 2 измерительного сигнала, а затем попадаег на вход порогового устройства 6.По команде авгоматического синхро низа тора 10 запускается генератор 4...

Номер патента: 673941

Опубликовано: 15.07.1979

Авторы: Валитов, Ландэ, Осинцев, Пестрякова

МПК: G01R 31/26

Метки: мдп, модель, полевого, транзистора

...широких пределах пороговым напряжением и крутизной, причем имитируемый транзистор может работать по любой из известных схем включения.На чертеже представлена блок-схема модели МДП-транзистора.Описываемое устройство содержит входной МДП-транзистор 1, усилитель постоянного тока 2, блок зашиты выходного транзис. тора 3, выходной МДП-транзистор 4, блок индикации перегрузки 5, блок обратной связи 6, блок сдвига уровня 7, клемму затвора модели 8, клемму сброса защиты 9, клемму стока модели 1 О, клемму истока модели 11, клемму регулирования порогового напряжения 12, клемму регулирования крутизны 13.Устройство работает следующим образом.При нулевом напряжении на клемме затвора модели 8 выходное напряжение уси 15 20 25 З 0 зз лителя постоянного...

Номер патента: 677070

Опубликовано: 30.07.1979

Авторы: Берзин, Якимаха

МПК: H03K 3/281

Метки: автоколебательный, дополняющих, мдп, мультивибратор, транзисторах

...либо с источником 20 смещения противоположной полярности напряжения. Резистор 2 подключен между затвором аналогового ключа и шиной 17 питания,Мультивибратор на дополняющих МДП- транзисторах работает следующим образом.Если переключатель 3 находится в положении Выкв, то мультивибратор работает в автоколебательном режиме с определенной частотой и скважностью, Выход 6 мультивибратора отключен от выхода 16 элемента ИЛИ в , поскольку транзистор аналогового ключа заперт низким потенциалом затвора относительно истока.Пусть в произвольный момент времени на выходе 6 мультивибратора высокий уровень напряжения (логическая 1), а на выходе 9 - низкий уровень (логический О). При переключении переключателя 3 в положение Вкл высокий уровень...

Номер патента: 699454

Опубликовано: 25.11.1979

Автор: Боханкевич

МПК: H01L 21/66

Метки: мдп, параметров, структуры

...МДП транзисторов измерять дрейф этой характеристики.Использование импульсов малой длительности не приводит к развитию процессов пробоя диэлектрика, в то же время по ляризация диэлектрика, протекание токовутечки и токов смешения способствуют лучшей ионизации примесей-загрязнений в диэлектрике. Отсутствие воздействия высо699454 Формула изобретения Составитель Г. Дозоров Техред О. Луговая Корректор Н,.Задерновская Тираж 1073 Подписное ЦН И И П И Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб д, 4/5 филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4Редактор А. МорозоваЗаказ 7216(49 ких температур позволяет осуществлять контроль зарядовой стабильности диэлектрика МДП транзисторов в...

Номер патента: 790127

Опубликовано: 23.12.1980

Автор: Берлинков

МПК: H03K 3/286

Метки: мдп, транзисторах, триггер

...транзистора, а второй вход второго элемента ИЛИ-НЕ подключен к шине записи информации,На чертеже представлена принципиальная электрическая схема триггераЭаказ 9058 5ного комитеений и открРаушская на Тираж 9 сударстве ам изобре ва, Ж,ПодСССРий сно 4/ 113 илиал ППП "Патент", гУжгород, ул. Проектная, 4 Устройство состоит из первого логического элемента 1 ИЛИ-НЕ, который содержит два параллельно включенных переключающих транзистора 2 и 3 н нагрузочный транзистор 4, последовательно включенный с транзисторами 2 и 3 между шиной питания 5 и общей шиной. б. Один вход и выход элемента 1 подключены, соответственно, к выходу и к одному иэ входов второго логического элемента 7 ИЛИ-НЕ, вы,.полненного аналогично первому на транзисторах 8-...

Номер патента: 790330

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Герасимов, Гусаков, Кармазинский, Красильников, Трушин

МПК: H03K 19/02

Метки: быстродействующий, дополняющих, мдп, транзисторах, уровней

...поддерживается и на выходах этих элементов,н результате чего формирующие транзисторы 12 и 13 закрыты и не влияютна работу устройства в стационарном состоянии,При изменении напряжения на шине9 с логического "О" на логическую"1" переключающий транзистор 3 открывается, а транзистор 8 закрывается по истоку. В двухтактном повторителе 6 оба транзистора 7 и 8 закрыты, и напряжение на шине 10 не40 изменяется. В двухтактном инверуоре1 переключающий и нагруэочный транзисторы 3 и 2 открыты. Удельная крутизна переключающих транзисторов выбирается значительно большей по от 65 ношению к крутизнам нагрузочныхЗО транзисторов, которые необходимы тоЛЪко для удержания статистического состояния логической "1" на соответствующей выходной шине....

Номер патента: 797074

Опубликовано: 15.01.1981

Авторы: Грибов, Шафранский, Якушев

МПК: H03K 19/21

Метки: исключающеене-или, логический, мдп, транзисторах, элемент

...тора р-типа подключен к выходнойшине, а исток - к выходу инвертора.На чертеже представлена электрическая принципиальная схема логического элемента "Исключающее НЕ-ИЛИ"на МДП-транзисторах.5В логическом элементе иивертор 1,выполненный на комплемеитарной паре транзисторов 2 и 3, включен между шиной питания 4 и общей виюной 5, выход инвертора 1 подключен м,затвору транзистора б р-тина двунаправленного ключа 7, а .вход - к первой входной шине 8, на которую поступает сигнал А, к затвору транзистора 9 и-типа двунаправлеийого ключа 7 и к истоку транзистора 10 д-типа, сток 15 которого подключен к выходной шине 11, на которой формируется выходной сигнал 5 , и к стокам транзисторов б и 9 двунаправленного ключа 7, а затвор - к истокам транзисторов...

Номер патента: 905885

Опубликовано: 15.02.1982

Авторы: Мартяшин, Мельников, Рыжов, Светлов, Цыпин, Чайковский

МПК: H01L 21/66

Метки: мдп, параметров, структур, электрофизических

...регулируемое сопротивление 15, первый, второй и третий дополнительные ключи 16 - 18, дополнительный запоминающий блок 19, ключ 20, вычитатель напряжений 21, блок измерения постоянной времени 22, схема деления напряжений 23, коммутатор 24, самописец 25.Устройство работает следующим образом. В начальный момент времени д по команде блока управления 1 размыкаются ключи 8, 10 и 18, сбрасывается в исходное состояние запоминающий блок 11, источником 2 опорного напряжения вырабатывается прямоугольное напряжение амплитуды Бчастоты повторения йои скважности, равной двум, к исследуемому объекту 4 прикладывается через первый сумматор 3 сумма прямоугольного напряжения П от источника 2 и линейно изменяюцегося напряжения смещения от программируемого...

Номер патента: 920582

Опубликовано: 15.04.1982

Авторы: Мартяшин, Рыжов, Рябинин, Цыпин

МПК: H01L 21/66

Метки: мдп, параметров, структур, электрофизических

...(1) имеет вид: где ф ь 1 и Й 11 Из выражения (2) следует, что постоянная составляющая напряжения О навыхоце операционного усилителя б пропорциональна емкости С . Первый сум матор 10 сравнивает постоянную составляющую напряжения Об на выходе операционного усилителя б с постоянной составляющей напряжения О,(. на выходе управляемого делителя напряжения 4. Напряжение О рав но;О = О 0 К 1 + ОбК,где О 0 - значение найряжения на выходе второго выпрямителя 18,К 1 - коэффициент Передачи управляемого делителя напряжения 4.Напряжение О 2 на выходе первого сумматора 10 равно://тупает на информ Чап ционны азо аженивходы чпос ерво й н етсяПр вого о и второго 16 управляющие вхо напряжение Оьс этом напряжение фазоразделитедя Ф р зделител ды которых...

Номер патента: 932617

Опубликовано: 30.05.1982

Авторы: Воронцов, Ушаков

МПК: H03K 19/00

Метки: мдп, согласования, ттл, элементами

...транзисторов подключены к затворам нагруэочНых-канальных транзисторов.На чертеже представлена электрическая принципиальная схема устройства согласования.Устройство включает логический инвертор 1 на комплементарных МДП-транзисторах и первый и второй ТТЛ-инверторы 2 и 3 с открытым коллектором и включены между первой низковольтной шиной 4 питания и общей шиной 5, а два дополнительных инвертора 6 и 7 на МДП-транзисторах включены между второй высоковольтной шиной8 питания и общей шиной 5Затворы нагрузочного р -канального МДП-транзистора 9 и переключающего И -канального МДП-транзистора 10 инвертора 6 подключены к выходу инвертора 7, а затворы нагрузочного Р -канального ИДП-транзистора 11 и переключающего и -канального МДП-транзистора...

Номер патента: 968854

Опубликовано: 23.10.1982

Авторы: Иванисов, Павлов, Рыжов

МПК: G11C 11/40

Метки: мдп, памяти, транзисторах, ячейка

...напряжения. Если это усдовиенарушается, то, емкость между затвороми стоком, истоком существенно уменьшается. Таким образом, измерение напря:- жения на тактовой шине 7 будет передаваться на узловую емкость 10 толькодо тех пор, пока напряжение на тактовойшине 7 превышает напряжение на узловой .емкости 10, хотя бы на величину порогового напряжения, Поскольку в данном .случае на узловой емкости 10 запомнен40 уровень логической единицы, который незначительно отличается от уровня тактового импульса, то к емкостному делителю будет приложено небольшое изменение напряжения, равное разности между уров нями напряжения на тактовой шине 7 и уровнем логической единицы на узловой емкости 10. Это изменение напряжения вызовет изменение...

Номер патента: 989583

Опубликовано: 15.01.1983

Автор: Сафонов

МПК: G11C 7/06

Метки: запоминающего, мдп, считывания, транзисторах, усилитель, устройства

...диаграмма подачи управляющих напряжений. 15Усилитель содержит первый 1 и второй 2 нагрузоцные транзисторы, первый 3 и второйвходные транзисторы, первый 5 и второй 6 переключающие транзисторы, ключевой транзистор 7 20,Входные сигналы поступают на входы 8 и 9 усилителя из элемента 10 .памяти и опорного элемента 11. Управляющие напряжения О 1 и 1 подаются соответственно на затворы транзисто- р 5 ров 7 и 5. Усилитель считывания для запоминающего устройства на ИДП-транзисторах,содержащий входные, нагрузочные и ключевой транзисторы, причем стоки входных транзисторов соединены с истокомключевого транзистора, сток которогоподключен к шине питания, а затворявляется первым управляющим входомусилителя, истоки первого и второговходных...

Номер патента: 1032432

Опубликовано: 30.07.1983

Авторы: Бирюков, Кузнецов, Прозоровский

МПК: G05F 1/10

Метки: интегральной, мдп, порогового, стабилизации, схемы, транзисторов, эффективного

...Таким образом,напряжеНий ЕЕ 6питания выражениесмещения подложки,вид: при постоянствеисточников 2 и 6для напряжения4 имеет .следующий 1 1032432Изобретение относится к электротехнике и предназначено для исполь, зования при производстве интегральных схем на полевых тарнзисторах сизолированными затворами. 5Известно приспособление для стабилизации порогового напряжения ИДПтранзисторов интегральной схемы,представляющее собой фосфорсиликатное стекло, наносимое на поверхность 10подзатворного диэлектрика 1.1Недостаток известного техническогорешения проявляется в невысокомкачестве стабилизации, обусловлен"ном подверженностью стекла влиянию 15различных дестабилизирующих факторов, а именно температуры, ионизирующих излучений и т,п,Наиболее близким...

Номер патента: 1034031

Опубликовано: 07.08.1983

Автор: Быков

МПК: G06F 7/50

Метки: двоичный, комплементарных, мдп, одноразрядный, сумматор, транзисторах

...между, шиной питания и5 выходной шиной .трех Р-канальных тран.зисторов и трех в-канальных транзисторов, последовательно включенныхмежду выходной шиной и общей, приэтом затворы каждой пары этих тран 10 зисторов дополняющего типа подключе"ны к одной из трех входных шин, вего логическую часть формированиясуммы введены два Р-канальных транзистора, первый из которых подключенпараллельно первому и второму последовательно включенным Р-канальнымтранзисторам, а второй - параллельно второму итретьему последовательно включенным Р-канальным транзисторам, и два о -канальных транзистора, подключенных соответственнопараллельно первому и второму ивторому и третьему последойательновключенным и -канальным транзисторам,25 причем затворы...