Способ изготовления контактов шоттки
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Описание
Способ изготовления контактов Шоттки, включающий нанесение на полупроводниковую подложку с высокоомным эпитаксиальным слоем пленки на основе тугоплавкого металла или его сплава и дополнительной металлической пленки, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет снижения токов утечки и повышения термополевой стабильности, нанесение пленки на основе тугоплавкого металла или его сплава осуществляют ионно-лучевым методом в два этапа, причем на первом этапе наносят слой толщиной 25-35 нм при плотности мощности разряда 5-7×104Вт/м2, а на втором этапе доращивают слой до 60-90 нм при плотности мощности разряда (1,0-1,5)·105 Вт/м2.
Заявка
4677109/25, 11.04.1989
Физико-технический институт АН БССР
Васильев С. С, Румак Н. В, Хатько В. В
МПК / Метки
МПК: H01L 21/265
Опубликовано: 20.06.2012
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-1683449-sposob-izgotovleniya-kontaktov-shottki.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления контактов шоттки</a>
Предыдущий патент: Способ формирования нитридных покрытий
Следующий патент: Способ изготовления моп-структур
Случайный патент: Способ извлечения метана из углепородного массива