Ясников

Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика

Загрузка...

Номер патента: 1225430

Опубликовано: 27.06.2012

Авторы: Плотников, Румак, Хатько, Ясников

МПК: H01L 21/316

Метки: диэлектрика, подзатворного, создания, тонкого

Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика, включающий нагрев кремниевых пластин от комнатной температуры до температуры окисления, формирование подслоя двуокиси кремния термическим окислением пластин кремния при 900-1100°С в атмосфере Ar-O2 и доокисления в атмосфере, содержащей хлористый водород, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных приборов за счет повышения качества окисла, подслой двуокиси кремния толщиной 7-12 нм формируют последовательным повышением температуры до температуры окисления в течение 20-50 мин в атмосфере, содержащей 0,5-10 об.% кислорода и выдержкой в течение 3-45 мин в атмосфере, содержащей 10-50 об.% кислорода, а доокисление...

Способ создания радиационно-стойких моп-структур

Загрузка...

Номер патента: 1240295

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Алиев, Малышев, Плотников, Румак, Хатько, Яковлев, Ясников

МПК: H01L 21/82

Метки: моп-структур, радиационно-стойких, создания

Способ создания радиационно-стойких МОП-структур, включающий формирование подзатворного диэлектрика на пластинах кремния, полевого электрода и отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения радиационной стойкости структур, отжиг проводят в атмосфере аргона после формирования подзатворного диэлектрика в одном из диапазонов температур 590-630°С, 680-720°С, 840-880°С в течение 3-120 мин.

Способ создания подзатворного диэлектрика

Загрузка...

Номер патента: 1282767

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Плотников, Румак, Хатько, Ясников

МПК: H01L 21/316

Метки: диэлектрика, подзатворного, создания

Способ создания подзатворного диэлектрика, включающий нагрев кремниевых пластин от контактной температуры до температуры окисления, формирование подслоя двуокиси кремния толщиной (7-12) нм термическим окислением пластин кремния при 900-1100°С и доокисления в атмосфере Ar-O2-HCl, содержащей (10-50) об.% кислорода при соотношении расходуемых объемов HCl/O 2 = 0,01-0,04, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных приборов за счет повышения качества подзатворного диэлектрика, подслой двуокиси кремния формируют в атмосфере Ar-O 2-HCl, содержащей (10-50) об.% кислорода и HCl не более 0,6 об.%.

Способ создания моп-структур

Загрузка...

Номер патента: 1223789

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Плотников, Румак, Хатько, Ясников

МПК: H01L 21/316

Метки: моп-структур, создания

Способ создания МОП-структур, заключающийся в нанесении маски из Si3N4 на поверхность кремниевой подложки, селективном окислении во влажном кислороде, снятии Si3N4, предварительном окислении во влажной атмосфере, создании подзатворного диэлектрика и нанесении полевого электрода, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных структур путем уменьшения дефектности поверхностного слоя кремния, предварительное окисление проводят до получения толщины окисла 130-150 нм, а в качестве влажной атмосферы используют смесь H2-O2 или H2-O2 -HCl, содержащую 1-4% HCl.

Способ изготовления моп-структур

Загрузка...

Номер патента: 1575841

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Домород, Крищенко, Петрашкевич, Плотников, Румак, Хатько, Ясников

МПК: H01L 21/324

Метки: моп-структур

Способ изготовления МОП-структур, включающий формирование на кремниевой подложке подзатворного диэлектрика с толщиной 8-40 нм, нанесенного полевого электрода путем осаждения из смеси моносилан-аргон подслоя аморфного кремния при температуре из диапазона 823-853 K и слоя поликристаллического кремния до получения заданной толщины электрода при соотношении толщины подслоя и слоя 0,1-0,4, диффузионное легирование полевого электрода, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических характеристик МОП-структур за счет снижения дефектности и повышения зарядовой стабильности подзатворного диэлектрика, после осаждения подслоя аморфного кремния проводят отжиг в остаточной атмосфере при...

Способ создания тонких слоев оксида кремния

Загрузка...

Номер патента: 1371456

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Буляк, Плотников, Румак, Хатько, Шевчук, Ясников

МПК: H01L 21/316

Метки: кремния, оксида, слоев, создания, тонких

Способ создания тонких слоев оксида кремния для подзатворного диэлектрика МДП-структур, включающий нагрев монокристаллических кремниевых пластин от комнатной температуры до температуры окисления (700-950°С), формирование подслоя двуокиси кремния термическим окислением пластин кремния и доокисление его до толщины 10-50 нм в газовой смеси, содержащей кислород, водород и хлористый водород при расходе кислорода и водорода, равном соответственно 30-75 и 15-68 об.%, последующий отжиг в инертном газе, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных структур путем уменьшения дефектности подзатворного диэлектрика, подслой окисла формируют последовательной выдержкой сначала в...

Способ изготовления межкомпонентной изоляции кмдп интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 1542342

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Батраков, Герасимчик, Зеленин, Лытко, Попов, Сенько, Шевчук, Ясников

МПК: H01L 21/76

Метки: изоляции, интегральных, кмдп, межкомпонентной, схем

Способ изготовления межкомпонентной изоляции КМДП интегральных схем, включающий формирование на кремниевой подложке с областями карманов нитридной маски, формирование n+ и p+ охранных областей, их локальное окисление, отжиг структур в инертной атмосфере и удаление нитридной маски, отличающийся тем, что, с целью повышения напряжения пробоя, снижения токов утечки изоляции и повышения воспроизводимости указанных параметров за счет снижения дефектности подложки в охранных областях и снижения уровня механических напряжений в подложке, p+ охранные области формируют до формирования нитридной маски, а после удаления нитридной маски структуры дополнительно...

Способ получения танталатов или ниобатов трехвалентных редкоземельных элементов и скандия

Номер патента: 1762523

Опубликовано: 20.04.1997

Авторы: Алямовский, Зуев, Федюков, Фотиев, Ясников

МПК: C01F 17/00, C01G 33/00, C01G 35/00 ...

Метки: ниобатов, редкоземельных, скандия, танталатов, трехвалентных, элементов

1 Способ получения танталатов или ниобатов трехвалентных редкоземельных элементов и скандия, включающий смешивание оксидов редкоземельных элементов или скандия с оксидами тантала или ниобия в стехиометрическом соотношении, нагрев и последующее охлаждение, отличающийся тем, что, с целью достижения 100% -ного выхода конечного продукта, нагрев ведут при 1300 1600 С и давлении 50 77 кбар.

Способ получения фосфорилированного крахмала

Загрузка...

Номер патента: 1643556

Опубликовано: 23.04.1991

Авторы: Дячина, Козлова, Мельниченко, Пономаренко, Ясников

МПК: C08B 31/02

Метки: крахмала, фосфорилированного

...в 100 г воды при 20 Сза 15 мин. Вязкость полученного 1%-ного раствора 4 Па/с.П р и м е р 5. В смеситель, содержащий 0,62 моль (100 г) картофельногокрахмала добавляют 0,07 моль (4 г)мочевины и нагревают при перемешивании при 85 ОС в течение 2 ч. Смесьохлаждают и прибавляют постепенно0,048 моль (6,8 г) фосфорного ангидрида, нагревают 1 ч при 70 С и охлаждают. Массовое соотношение крахмала иФосфорного ангидрида 1:0,068,К 100 г полученного продукта прибавляют 150 г воды и выпивают слоемв 1,5 мм на разогретую до 180 С тефлоновую поверхность. Смесь выдержива "ют на подложке до удаления воль. Сухой продукт снимают с поверхности ввиде пластинок, Соотношение фосфорилированного крахмала к воде в суспензии в массовом соотношении 1;1,5Выход...

Удочка

Загрузка...

Номер патента: 1634202

Опубликовано: 15.03.1991

Автор: Ясников

МПК: A01K 87/00

Метки: удочка

...в отверстии, в котором крепится с натягом основание кивка.Кривошипно-шарнирнЮ меканизм,соедииямзций Вал электродвигателя 7 40 с основанием кивка, может быть выпалнен в виде скобы 19 (фиг, 3), конец которой, соединяющийся шарнирно с основанием кивка, отклонен от вертикали на угол Кравкюй углу установки оси кивка к оси корпуса удочки. Скоба 19 крепится на валу 7 электродвигателя жестко. Конец скобы 19 может быть выполнен (Фкг. 4) в анде жесткой стойки 20 с отверстием ипн двух пружин 21 с папуокружностямн 22, охватывающими конец основания кивка. Эластичен элемент крнваавпно-шарнирного механизма может Мта зыполкен в аиде капьцв 23 (фвг, 5), установленного в торцовую прорезь (кольцевую канавку) с конус-, щм направляющими 24 мааовнка 25,жестко...

Способ посева семян трав в дернину и устройство для его осуществления

Загрузка...

Номер патента: 1386064

Опубликовано: 07.04.1988

Авторы: Корзун, Прокопенко, Ясников

МПК: A01B 49/06, A01C 7/00

Метки: дернину, посева, семян, трав

...сферического диска. Тукопровод 3 для подачи удобрений установлен за большим диском 8, а семяпровод 4 для подачи семян трав - эа малым сферическим диском 9.Способ посева семян трав в дерни ну осуществляют следующим образом,При перемещении устройства по лу 1" гу режущие кромки перекатывающихся дисков 8 и 9, разрезают дернину и ди-. ски заглубляются в почву. При этом большой плоский диск 8 делает в дернине косой разрез и приподнимает подрезанный пласт 10, а малый сферический диск 9 вырезает в монолите почвы возле разреза полоску дернины 11 и отбрасывает ее в разрез, образуя семенное поле 12 в виде сферической канавки, Из установленного эа малым сферическим диском 9 семяпровода 4 на. семенное ложе 12 подают семена 13, а из установленного эа...

Способ получения фосфорилированного крахмала

Загрузка...

Номер патента: 1033501

Опубликовано: 07.08.1983

Авторы: Буланович, Галичев, Галичева, Завацкий, Козлова, Липтуга, Лозинский, Маловик, Марковский, Мельниченко, Николаенко, Прудников, Сандул, Свиридова, Сметанин, Спалис, Фролова, Шедов, Ясников

МПК: C08B 37/02

Метки: крахмала, фосфорилированного

...помещают в реак,тор и добавляют 1, 2 моль (67 г) КОНпри перемешивании. Смесь выдерживаютпри 30 С в течение 0,5 ч, добавляютпостепенно О, 4 моль (57 г) фосфорногоангидрида, нагревают при 80 С в течение 2 ч и охлаждают. Выход конечногопродукта; 2300 г (98%), Продукт содержит околЬ 1% фосфора, связанногос крахмалом в виде фосфорного эфира,Соотношение едкого калия к фосфорномуангидриду в молях 3: 1.П р и м е р 2. При интенсивном перемешивании в реактор, содержащий 6,2моль (1000 г) кукурузного крахмала,вноси О, 48 моль (26,8 г) КОН. Смесьвыдерживают 0,5 ч при 40 С, а затемприбавляют 0,24 моль (34, 2 г) фосфорного ангидрида и нагревают 2 ч при80 С и охлаждают. Выход 960 г (96%).Содержание. связанного фосфора 1, 49%.Соотношение бялого калия к...

Устройство для автоматического регулирования загрузки параллельно работающих помольных агрегатов

Загрузка...

Номер патента: 904778

Опубликовано: 15.02.1982

Авторы: Матюшкин, Петров, Ясников

МПК: B02C 25/00

Метки: агрегатов, загрузки, параллельно, помольных, работающих

...на два потока, поступает в агрегаты 15 и 16, а другой - на групповой конвейер 8, а затем на групповой делитель 36 и, рассекаясь на два потока, поступает в агрегаты 13 и 14. Если в рабочем состоянии находятся оба конвейера 7 и 8 и все четыре агрегата 13 - 16, то контакты 5, 6 и 9 - 2 замкнуты и при среднем положении движка реохорда 23 исполнительный орган исполнительного механизма 3 и связанный с ним делитель 1 занимают среднее положение. При этом движок реохорда 4 обратной связи также занимает среднее положение и в диагонали 4 - 23 наступает равновесие, на вход регулятора 24 сигнал не поступает, пускатель 25 отключен и исполнительный механизм 3, а вместе с ним и делитель 1 неподвижны. Поток материала делится на две равные части, которые...

Устройство для клеймения деталей

Загрузка...

Номер патента: 725864

Опубликовано: 05.04.1980

Авторы: Акатьев, Зисер, Колесниченко, Шкловский, Ясников

МПК: B25H 7/00

Метки: клеймения

...(кроме измерительного) принято рав-ным числу клейм 3 в клеймодержателе 2.Выходы потенциометров 14 - 23 через счетчик12 количества знаков в клейме диэъюнктивно(операция ИЛИ), совместно с выходом потенциометрического элемента 10 измерения углаповорота клеймодержателя 2, соединены свходом блока 7 управления приводом 5 клеймо.держателя 2. Управляющие входы 24 и 25 счетчика 12 количества знаков в клейме функцио.нально связаны с выходами датчика 13 регистрации перемещений бойка 4 и узла 9 программирования процесса клеймения соответственно.Блок 8 управления механизмом 6 перемещения бойка 4 также подключен к выходу блока 7 через юследовательно соединенные инвертор 26 н элемент 27 задержки времени.Так как каждый потенциометр 14-23 моста11...

Устройство для внесения удобрений в почву

Загрузка...

Номер патента: 528057

Опубликовано: 15.09.1976

Авторы: Верес, Юник, Ясников

МПК: A01C 23/02

Метки: внесения, почву, удобрений

...оет качественное внесение удобрени1 О на склонах при подкормке лугов. На фиг, 1 изображено устросения удобрений, вид сбоку; нажен механизм изменения угла д 15 вых ножей.Устройство для внесения удобрений в почвуимеет раму 1 с опорными колесами 2, на которой установлены туковысевающие аппараты 3 с тукопроводами, соединенными с патрубка ми 4 для подачи удобрений в щель, образованную в почве дисковыми ножами 5. Для внесения жидких органических удобрений на раме укреплен распределитель удобрений 6 со шлангами 7, для внесения жидких минераль ных удобрений - штанга 8 со шлангами 9 ивыливными трубками 10.К раме при помощи кронштейнов 11 крепится дисковая батарея, состоящая из набора плоских, установленных под углом дисковых 30 ножей 5. На...

Дисковая батарея

Загрузка...

Номер патента: 372955

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Нырко, Ясников

МПК: A01B 21/08

Метки: батарея, дисковая

...и целью полне- собой ге стоиными п а общей , что, с тареи вьмежду положи. Дисковами дисгтамгг,5 поводками,упрощения кона из отдельзвеньев с отороны концам 2. Батарея по и. с целью изменения поверхности почвь иия, крайние звенья поводках подвижн та их посредством в чаюгггаяся те установки ди правлению тареи закреп можностью и м, что, сков к 1, г)глг углов и к н оси б о, с во тулок,ж лены оворо Изобретение относится к области сельскохозяйственного машиностроения, в частности к почвообрабатывающим орудиям, например к дисковым батареям,Известны дисковые батареи, включающие наклонно расположенные плоские диски и поводки, в которых установка дисков под углом к поверхности почвы достигается применением втулок со скошенной опорной поверхностью,...

Поршень для сенного пресса

Загрузка...

Номер патента: 312581

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Пьёнтык, Ясников

МПК: A01F 15/04

Метки: поршень, пресса, сенного

...а консерПоршень для сен боковые стенки и д что, с целью возмо консервантов в пре поршня имеется пол пающим за его пове плунжером с отверст вантов,ного пресса, вкл нище, отличающ жности внесения ссуемую массу, ость, снабжеина рхность подпруж иями для выход имеется по 8 пряжиются сверлеполостьюПолость 2консервантов Изобретение охозяйства и мпрессах.Известен поршень длдержащий боковые стпоршень не может подаредину тюка.Для устранения указанного нднище предлагаемого поршнялость, снабженная выступающимверхность подпружиненным плунщим сверления для выхода консеПредлагаемый поршень для сесхематически изображен на чертеВ днище корпуса 1 поршнялость 2, снабженная плунжеромной 4, В корпусе плунжера имения 5, соединенные клапаном б си...

Способ модификации полиакрилонитрильныхволокон

Загрузка...

Номер патента: 292003

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Пакшвер, Селиванова, Ясников

МПК: D01F 11/04, D01F 6/18

Метки: модификации, полиакрилонитрильныхволокон

...прив лице.П р и м е р 2. Прядение осущест в примере 1. Свежесформованное ное волокно обрабатывают 20%-н ром сульфида натрия в течение 0 20 С, затем промывают и сушат пр туре 110 С, Далее волокно подверг вытяжке и термофиксации. Свойст приведены в таблице. П р и м е р 3, Прядение осуществляют, как в примере 1, Свежесформованное невысушенное волокно обрабатывают 20%-ным раствором сульфида натрия в течение 0,1 - 1 сек при 20 С и подвергают сушке (термообработке) при температуре 110 С до промывки. Затем волокно промывают, сушат, подвергают термофиксации. Свойства волокна приведены в таблице,П р и м е р 4. Прядение осуществляют, как в примере 1. Свежесформованное невысушенное волокно обрабатывают 20%-ным раствором сульфида натрия в течение...

287436

Загрузка...

Номер патента: 287436

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Пдшггно, Ясников

МПК: A01B 49/06, A01C 7/08

Метки: 287436

...емян в переве аскрывающиевиде послед нно к цаправ плоского и сф ян трав в дернцну, мян с высевающим оздораскрывающие гггся тем, что, с цернутый слой дернирабочие органы овательно установлению движения ц ерцчсского дисков. грегат,Изобретение относится к области сельскохозяйственного машиностроения, в частности к комбинированным машинам для обработки почвы и посева.Известны агрегаты для подсева семян трав в дернину, включающие бункер для семян с высевающим аппаратом и дисковые бороздораскрывающие рабочие органы. Они подготавливают семянное ложе путем вырезания полоски дерна дерноснимом или путем измельчения полоски дернины фрезой. Недостатки известных агрегатов заключаются в том, что наличие вырезаемых канавок портит поверхность...

Способ получения модифицированного волокна из полиакрилонитрила или его сополимеров

Загрузка...

Номер патента: 255480

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Пакшвер, Селиванова, Ясников

МПК: D01F 11/04, D01F 6/16

Метки: волокна, модифицированного, полиакрилонитрила, сополимеров

...невысушенное волокно обрабатывают 100%-ным раствором сульфида аммония в течение 30 лшн при 20 С, затем промывают и сушат. ряден сфорз -ным е 30 ым р кно пр яжкее осуще ованное в раствором вин. - 1 аствором омывают, т т рмообр твляют по олокно обсульфидаутки, при в течение сушат, подаботке. Пр из О пример батываю мония в локно пр обрабопествляют по олокно обраольфида ам- С, Затем воргают термое осущванное твором прп 70 и подв е р 3. Пряден 1. Свежесформо т 100 "й-ным рас течение 5,чин. омывают, с.цат е. 15 Свойства волокон, пол мым способом, приведен ученных предлагаы в таблице. ПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОДИФИЦИРОВАННОГО ВОЛОКНАИЗ ПОЛИАКРИЛОНИТРИЛА ИЛИ ЕГО СОПОЛИМЕРОВ255480 Таблица Теплостойкость р. км волокна при темпера- туре Ф 1ащц. хОб йае...

Способ получения модифицированных изделий из полиакрилонитрила

Загрузка...

Номер патента: 218373

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Пакшвер, Ясников

МПК: D01F 11/04

Метки: модифицированных, полиакрилонитрила

...П р и м е р 3, Волокно получают в условияхпримера 1, но обработку ПАН-волокна осу- ществляют 5%-ным водным раствором малеинового ангидрида.5 Пример 4. Волокно получают в условияхпримера 1, но обработку ПАН-волокна осуществляют 10%-ным водным раствором малеинового ангидрида.Прим ер 5. Волокно получают в условиях 10 примера 1, но обработку ПАН-волокна осуществляют 15%-ным водным раствором малеинового ангидрида. Результаты анализов полученного волокна приведены (примеры 1 - 5) в таблице.15Предмет изобретенияСпособ получения модифицированных изделий, например волокон из полиакрилонитрила, путем обработки их непосредственно пос ле формования водным раствором пластифицирующего агента с последующей тепловой обработкой, от,гакаюгггггйся тем,...