Патенты с меткой «легирующей»

Номер патента: 109326

Опубликовано: 01.01.1957

Автор: Фомин

МПК: B22C 3/00, B22D 27/18

Метки: легирующей, литейной, поверхностью, формы

...две формовочные смеси: лсгирую 1 цук 1 смесь, содержащую, иа;ример, 84,1 о углеродистого феррохрома, 10 о,"1 маршалита и 61 о пульвербакелита, и формовочную смесь, солеракашу 1 о 32 с варцсвого песка, 7 со порош.ка пу,1 ьвероакелита и 1 а, О жидкогобакелита.ФО 1)мовк ироцзвол 51 т по мета;1 лгческим молелям,На моделыгло плит., нагретую ло200 в 2, после оп 1 тыскиваиия разлелцтельцым составом насыпаю гснацала легируюцую смесь, а затемформовочную. После спекаиия оболочка формы легко снимается с моде,ш, Готовь:с оболоцки-полуформысоответственно спариваются междусооой и засьпа 10 тс 51 смесью в Опоках. Заливка металла производитсяобычным способом.Лсгцрованис поверхности отливок может производиться любымиприсадками при условии, если...

Номер патента: 240853

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Волхов, Лукь, Пантуев

МПК: H01L 21/66

Метки: легирующей, полупроводника, примеси, распределения, толщине

...Лг.От генератора 1 смещения к контактам исследуемого образца через резистор приложены импульсы линейно нарастающего напряжения смещения, повторяющиеся с частотой 1 кггг. Кроме того, к образцу подводится переменное напряжение от генератора 2 высокой (радио) частоты Ь,з 1 по 1 через конденсатор, величина которого выбрана существенно меньшей любого возможного значения емкости исследуемого образца. Вследствие этого амплитуда с 1 напряжения высокой частоты на образце обратно пропорциональна его емкости: Контур резонансного фильтра 5, подключенный к образцу через небольшую емкость, служит фильтром для отделения сигнала высокой частоты от импульсов генератора смещения. Осциллограмма напряжения (У 61 пьг) на контуре представляет собой...

Номер патента: 517863

Опубликовано: 15.06.1976

Авторы: Двинских, Маслов, Парусов, Сергеев

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: легирующей, полупроводниковых, примеси, профиля, структурах

...смещения; 5 в селективный вольтметр первой гармоники; 6 - селективный вольтметр второй гармоники; 7 - фильтр, выделяющий первую гармонику.Устройство для измерения профиля представляет собой генератор 1 строго гармонических колебаний, соединенный с измерительной цепью, состоящий из последовательно соединенных испытуемого образца 2 и параллельного колебательного контура 3, настроенного на удвоенную частоту генератора. К выходу генератора 1 присоединен селективный вольтметр 5 первой гармоники. С колебательного контура 3 напряжение второй гармоники подается на селективный вольтметр 6 второй гармоники, а напряжение первой гармоники через фильтр 7 первой гармоники уппавляет выходным напряжением генератора 1,517863 3Параллельно...

Номер патента: 857273

Опубликовано: 23.08.1981

Авторы: Вяткин, Крулевецкий, Новиков, Поживанов, Трухман, Федосенко, Хохлов

МПК: C21C 7/00

Метки: ввода, добавки, жидкую, легирующей, сталь

...сигналовс задатчиков 14 и блока счета импульсов 1 2, При выравнивании обеих сигналов через преобразователь 16 подается команда на выключение исполнительного механизма 17 и привода тянущих роликов 18 и после введения заданного количества подача проволоки прекращается.П р и м е р,1. Выплавка в 160-т конверторе стали Зсп с алюминием.В конвертор заваливают скрап и заливают жидкий чугун. Затем металл продувают кислородом для получения стандартного полупродукта, После окончания продувки расплав выпускают в ковш, куда в это время присаживаюткоксик, ферросилиций и силикомарганецдля получения марочного химическогосостава металла по этим элементам,После окончания выпуска металлпродувают аргоном и во время этойпродувки в ковш подают...

Номер патента: 805781

Опубликовано: 15.01.1984

Автор: Сергеев

МПК: H01L 21/66

Метки: легирующей, полупроводниковых, примеси, профиля, структурах

...управляемый источник второй гармоники, коммутатор и фильтр, выделяющий вторую. гармонику, прячем коммутатор соединен с регулируемым выходом управляемого. генератора гармонических колебаний, с выходом источника обратного смещения, селективным вольтметром второй гармоники и выходом управляемого источника второй гармоники, сигнальный вход которого соединен с нерегулируемым выходом генератора, а регулирующий вход через фильтр, выделяющий вторую гармонику, подключен к колебательному контуру.На чертеже приведена функциональ-ная схема предлагаемого устройства.805781 3Устройствосодержит управляемый генератор 1 гармонических колебаний частоты ш образец 2, параллельный колебательный контур 3, настроенный на частоту 2, источник 4 обратного...

Номер патента: 902600

Опубликовано: 30.05.1984

Автор: Сергеев

МПК: H01L 21/66

Метки: легирующей, полупроводниковых, примеси, профиля, структурах

...работает следующим образом.С выхода управляемого генератора 1 гармонические колебания частоты й) через контакты коммутатора 8 подаются на измерительную цепь, представляющую собой последовательное соединение испытуемой структуры 2 и колебательного контура 3, имеющего резонанс на частоте, 2 И, Сюда же поступает напряжение обратного смещения от источника 4.Под действием протекающего через образец гармонического тока частотыО из-за нелинейных свойств барьерной емкости появляется ток второй гармоники, Оба тока создают на контуре 3 падения напряжений первой и второй гармоник. Напряжение первой гармоники выделяется с помощью фильтра первой гармоники 7 и используется для управления выходным напряжением генератора 1 с тем расчетом, что при...

Номер патента: 1061591

Опубликовано: 07.01.1986

Автор: Сергеев

МПК: H01L 21/66

Метки: легирующей, полупроводниковых, примеси, профиля, структурах

...составит не более 3 ч.Целью изобретения является увеличение надежности и быстродействияустройства.Цель достигается тем, что в устройство, содержащее шины для подключения исследуемой структуры, к одной из которых присоединен источникобратного смещения, а к другой -параллельный колебательный контури входы фильтров первой и второйгармоник сигнала, фильтр первойгармоники выполнен в виде последовательно включенных селективного усилителя, детектора и дифференциального усилителя, второй вход которого соединен с источником опорногонапряжения, фильтр второй гармоникивыполнен в виде последовательновключенных селективного усилителя,детектора и фазового детектора, выход фильтра первой гармоники соединен с управляющим входом...

Номер патента: 1728900

Опубликовано: 23.04.1992

Авторы: Абрамов, Гурова, Макеев

МПК: H01L 21/26

Метки: концентрации, кремниевых, легирующей, примеси, профиля, структурах, эпитаксиальных

...график распределения концентрации носителей заряда+для структур типа и - и - и, иллюстрирующий предлагаемый способ,П р и м е р. Измерение профиля концентрации мышьяка осуществляют на электрохимическом профилометре в кремниевыхструктурах и - и - и, изготовленных методом газофазной эпитаксии. Травление и измерение емкости проводят в стандартнойячейке, состоящей из резервуара для электролита и прижимного устройства, создающего контакт к обратной стороне образца.В качестве электролита используют 2-З ный водный раствор НЕ:НМОз:Н 202=1:1:1,В процессе травления к барьеру Шотткиприкладывают напряжение смещения 1-2В, измеряемая плотность тока травления1-3 мА/см . Измеряют емкость барьераШоттки полупроводник-электролит при напряжении...

Номер патента: 1499634

Опубликовано: 20.07.1995

Авторы: Абатуров, Елкин, Кротова, Мишук, Плесков, Сахарова

МПК: H01L 21/66

Метки: концентрации, легирующей, полупроводниках, примеси, профиля

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПРОФИЛЯ КОНЦЕНТРАЦИИ ЛЕГИРУЮЩЕЙ ПРИМЕСИ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ, включающий формирование контакта к полупроводнику, воздействие на структуру возбуждающим высокочастотным электрическим сигналом и постоянным напряжением смещения и измерение возникающего сигнала отклика, по параметрам которого судят о профиле концентрации примеси, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и разрешающей способности измерения профиля, обеспечения возможности исследования высокоомных полупроводников и упрощения, в качестве возбуждающего сигнала используют амплитудно-модулированный высокочастотный гармонический сигнал тока через образец и измеряют амплитуду сигнала отклика в виде демодулированного напряжения на образце.

Номер патента: 893092

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Апанасенко, Гурский, Сигалов

МПК: G01N 27/22, H01L 21/66

Метки: концентрации, легирующей, полупроводниках, примеси, профиля

Способ определения профиля концентрации легирующей примеси в полупроводниках, основанный на измерении вольт-фарадной характеристики МДП-структуры и определении профиля концентрации легирующей примеси расчетным путем, отличающийся тем, что, с целью расширения пределов определения профиля концентрации легирующей примеси, перед измерением вольт-фарадной характеристики к МДП структуре прикладывают через ограничивающий ток резистор линейно возрастающее напряжение до возникновения в диэлектрике проводимости от 10-11 до 10-9 (Ом·см)-1 .