Установка ионного легирования
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Описание
Установка ионного легирования, включающая последовательно расположенные в вакуумной камере источник многозарядных ионов, масс-сепаратор, состоящий из магнита с полюсами, выполненными в форме секторов в плоскости, перпендикулярной магнитным силовым линиям, и расположенного между полюсами и повторяющего их форму в той же плоскости ионопровода, ускорительную трубу и подложкодержатель, отличающаяся тем, что, с целью увеличения производительности и возможности регулирования профиля концентрации внедренных ионов, каждый из секторов выполнен из n частей в форме полукольца и расположенных внутри него четвертьколец, изготовленных из однородных магнитных материалов, средние радиусы полукольца и четвертьколец выбраны из соотношения
где Rn - средний радиус полукольца, м;
Ri - средний радиус с i-го четвертькольца, м;
Bi - магнитная индукция, созданная i-м четвертькольцом в ионопроводе, Т;
Bn - магнитная индукция, созданная полукольцом в ионопроводе, Т;
n - количество частей полюса магнита, равное числу степеней ионизации ионов;
i - порядковый номер четвертькольца при отсчете в порядке возрастания их средних радиусов (i = 1, 2, 3,..., n-1).
Заявка
3882300/25, 09.04.1985
Автюшков Е. В, Борисов О. М, Гурский Л. И, Бобченок Ю. Л, Симонов В. В
МПК / Метки
МПК: H01L 21/265
Метки: ионного, легирования
Опубликовано: 20.06.2012
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-1292601-ustanovka-ionnogo-legirovaniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Установка ионного легирования</a>
Предыдущий патент: Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика
Следующий патент: Способ изготовления моп-интегральных схем
Случайный патент: Шиберная заслонка флотационной машины