Способ создания тонких слоев оксида кремния
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Описание
Способ создания тонких слоев оксида кремния для подзатворного диэлектрика МДП-структур, включающий нагрев монокристаллических кремниевых пластин от комнатной температуры до температуры окисления (700-950°С), формирование подслоя двуокиси кремния термическим окислением пластин кремния и доокисление его до толщины 10-50 нм в газовой смеси, содержащей кислород, водород и хлористый водород при расходе кислорода и водорода, равном соответственно 30-75 и 15-68 об.%, последующий отжиг в инертном газе, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных структур путем уменьшения дефектности подзатворного диэлектрика, подслой окисла формируют последовательной выдержкой сначала в атмосфере кислорода в течение 3-30 мин, а затем в атмосфере кислорода, содержащего 1·10 -4 - 3 об.% хлористого водорода в течение 3-15 мин, а доокисление подслоя осуществляют в газовой смеси, содержащей 1·10 -4 - 3 об.% хлористого водорода.
Заявка
4054773/25, 12.02.1986
Физико-технический институт АН БССР
Буляк Б. Н, Плотников В. Н, Румак Н. В, Хатько В. В, Шевчук И. Г, Ясников В. Е
МПК / Метки
МПК: H01L 21/316
Метки: кремния, оксида, слоев, создания, тонких
Опубликовано: 20.06.2012
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-1371456-sposob-sozdaniya-tonkikh-sloev-oksida-kremniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ создания тонких слоев оксида кремния</a>
Предыдущий патент: Способ создания биполярного кремниевого планарного транзистора
Следующий патент: Электродуговой плазмотрон
Случайный патент: Преобразователь частоты в цифровой код