Способ изготовления элементов металлизации интегральных схем
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Описание
Способ изготовления элементов металлизации интегральных схем, включающий нанесение на полупроводниковую подложку со сформированными активными слоями слоя металлизации методом магнетронного распыления в две стадии в едином цикле в среде аргона при давлении 1·10 -2 - 1·10-1 Па: на первой - нанесение тонкого слоя металлизации, на второй - нанесение слоя металлизации до требуемой толщины, формирование рисунка элементов металлизации с помощью фотолитографии, отличающийся тем, что, с целью повышения качества элементов металлизации при одновременном увеличении выхода годных приборов на операции фотолитографии, на первой стадии слой металлизации наносят при температуре подложки 293-573 K, плотности мощности разряда (2-6) ·104 Вт/м 2 до толщины перехода структуры пленки из островковой в сплошную.
Заявка
3978000/25, 18.11.1985
Румак Н. В, Васильев С. С, Хатько В. В, Пухов В. И
МПК / Метки
МПК: H01L 21/283
Метки: интегральных, металлизации, схем, элементов
Опубликовано: 20.06.2012
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-1331364-sposob-izgotovleniya-ehlementov-metallizacii-integralnykh-skhem.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления элементов металлизации интегральных схем</a>
Предыдущий патент: Способ окисления пластин кремния
Следующий патент: Способ определения температуры полиморфного превращения в и + -титановых сплавах
Случайный патент: Акустический изолятор