Установка ионного легирования

Номер патента: 1144560

Авторы: Автюшков, Бобченок, Борисов, Гурский, Круковский

ZIP архив

Описание

Установка ионного легирования, содержащая систему формирования и транспортирования пучка ионов, блок измерения дозы с усилителем постоянного тока, приемную камеру с расположенным в ней контейнером с кассетами, в которых выполнены сквозные пазы, совмещенные с датчиками Фарадея, находящимися внутри контейнера и электрически соединенными с входом усилителя постоянного тока, отличающаяся тем, что, с целью повышения процента выхода годных приборов, установка дополнительно содержит кристалл биполярного планарного транзистора, размещенный на кассете, и блок измерения времени рассасывания биполярных транзисторов, электрически соединенный с кристаллом транзистора, причем поверхность кристалла со сформированной в ней транзисторной структурой обращена к системе формирования и транспортирования пучка ионов, а толщина защитного покрытия структуры - не менее необходимой для обеспечения работоспособности транзистора и не превышает длины пробега ионов в материале покрытия.

Заявка

3606831/25, 17.06.1983

Физико-технический институт АН БССР

Автюшков Е. В, Борисов О. М, Гурский Л. И, Круковский В. Л, Бобченок Ю. Л

МПК / Метки

МПК: H01L 21/265

Метки: ионного, легирования

Опубликовано: 27.06.2012

Код ссылки

<a href="https://patents.su/1-1144560-ustanovka-ionnogo-legirovaniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Установка ионного легирования</a>

Похожие патенты