Патенты опубликованные 27.05.2012

Номер патента: 1486030

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Бондаренко, Вейник, Дубин, Поболь, Присекин, Степанков

МПК: H05B 7/22

Метки: плазмотрон, электродуговой

1. Электродуговой плазмотрон, содержащий корпус с центральным катододержателем и стержневым катодом, пристыкованное к корпусу сопло-анод с цилиндрическим выходным отверстием, подвижный элемент поджига, выполненный в виде цилиндрической втулки, снабженной на обращенной к соплу-аноду стороне равноудаленными друг от друга лепестковыми контактными наконечниками, расположенными в межэлектродном зазоре, и отверстия в опорных элементах плазмотрона для ввода плазмообразующего газа в межэлектродный зазор, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности путем устранения влияния перекосов элементов плазмотрона, упомянутая цилиндрическая втулка установлена в корпусе над рабочей зоной катода и...

Номер патента: 1371410

Опубликовано: 27.05.2012

Автор: Кадников

МПК: H05B 7/18, H05H 1/26

Метки: горелка, напыления, плазменная

Плазменная горелка для напыления, содержащая корпус, вдоль оси которого установлены катод, охватывающая его цилиндрическая камера вихреобразования с каналом для подачи плазмообразующего газа, расположенным по касательной к камере, и сопло-анод с каналом для подачи порошкового материала, выполненным со смещением относительно оси сопла-анода в сторону, противоположную расположению канала для подачи плазмообразующего газа, отличающаяся тем, что, с целью повышения коэффициента использования порошкового материала, дополнительно введен канал для подачи газа, размещенный параллельно оси канала подачи порошка.

Номер патента: 1082253

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Румак, Хатько

МПК: H01L 21/66

Метки: двуокиси, кремния, окисел, пограничного, системе, слоя, структуры, —полупроводник

Способ контроля структуры пограничного слоя двуокиси кремния в системе окисел - полупроводник, основанный на травлении окисла и регистрации электронограмм на отражение, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и снижения трудоемкости, травление окисла производят на клин со скоростью 3-4 Å/с, после чего производят дополнительное травление при температуре 1150-1180°С в течение 30-60 с в газообразном хлористом водороде, носителем которого является водород.

Номер патента: 1373230

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Готлиб, Григоров, Гурский, Зеленин

МПК: H01L 21/00, H05H 1/00

Метки: вакуумно-плазменного, травления

Устройство для вакуумно-плазменного травления, содержащее вакуумную камеру с размещенными в ней механизмом перемещения подложкодержателей и планарной системой электродов, подключенных к источнику ВЧ-мощности, систему газообеспечения, отличающееся тем, что, с целью повышения качества и производительности травления путем устранения загрязнения камеры продуктами износа трущихся частей, механизм перемещения подложкодержателей выполнен в виде магнитопровода с разноименными полюсами, охваченными электромагнитными катушками, образующими магнитную подвеску, включающую подъемные обмотки и обмотку бегущего магнитного поля, подключенные к источникам питания, а подложкодержатели и катод установлены...

Номер патента: 1607193

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Бакаев, Заргарова, Кошель, Чутаев

МПК: B22D 13/00, B22D 19/02

Метки: армированных, волокнами, типа, труб

1. Способ изготовления изделий типа труб, армированных волокнами, включающий намотку волокон на оправку из матричного сплава, ее расплавление и пропитку волокон в изложнице центробежной машины, отличающийся тем, что, с целью повышения прочности изделий за счет увеличения объемного содержания волокон, намотку волокон на оправку производят слоями с шагом в каждом слое, равным 1,2-1,6d, а между слоями волокон помещают прокладку из фольги матричного сплава толщиной, определяемой из соотношения где S - толщина фольги, мм; d, t - диаметр и шаг укладки волокон, мм;V - объемное содержание...

Номер патента: 1090245

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Вейник, Покровский, Присекин, Резванов, Соколов, Степанков, Хлибко

МПК: H05B 7/22, H05H 1/34

Метки: плазматрона, узел, электродный

1. Электродный узел плазматрона, содержащий охлаждаемый электрододержатель и закрепленный в нем нерабочим торцом стержневой электрод с центральным отверстием для подачи защитного газа, отличающийся тем, что, с целью увеличения срока службы электрода, отверстие в электроде выполнено ступенчато сужающимся в направлении рабочего торца, а в боковой стенке электрода на каждой из ступеней выполнено по меньшей мере по два одноразмерных, одинаковых по форме и эксцентричных относительно оси электрода круговых канала, соединяющих центральное отверстие с боковой поверхностью электрода, причем плоскость, в которой расположен каждый из каналов, наклонена под острым углом к оси электрода в направлении...

Номер патента: 893092

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Апанасенко, Гурский, Сигалов

МПК: G01N 27/22, H01L 21/66

Метки: концентрации, легирующей, полупроводниках, примеси, профиля

Способ определения профиля концентрации легирующей примеси в полупроводниках, основанный на измерении вольт-фарадной характеристики МДП-структуры и определении профиля концентрации легирующей примеси расчетным путем, отличающийся тем, что, с целью расширения пределов определения профиля концентрации легирующей примеси, перед измерением вольт-фарадной характеристики к МДП структуре прикладывают через ограничивающий ток резистор линейно возрастающее напряжение до возникновения в диэлектрике проводимости от 10-11 до 10-9 (Ом·см)-1 .

Номер патента: 1091774

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Румак, Хатько

МПК: H01L 21/66

Метки: кремниевых, моп-структур

Способ контроля кремниевых МОП-структур, основанный на нагревании кремниевой пластины до температуры окисления, выдержке при этой температуре в окислительной среде, охлаждении структуры окисел - полупроводник до комнатной температуры, получении МОП-структуры путем нанесения полевого электрода, регистрации вольт-фарадных характеристик, по которым судят о качестве кремниевых МОП-структур, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности определения качества кремниевых МОП-структур, охлаждение производят со скоростью 15-20 K/с, после охлаждения на поверхность окисла наносят слой фосфоро-силикатного стекла, прикладывают к МОП-структуре напряжение смещения -(10-15) или +(5-10) В,...

Номер патента: 1147205

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Плотников, Румак, Хатько

МПК: H01L 21/316

Метки: диэлектрика, подзатворного, создания, тонкого

Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика, включающий формирование слоя двуокиси кремния толщиной менее 50 нм путем термического окисления монокристаллической пластины кремния n-типа проводимости ориентации (100) при температуре 900-1100°С и отжиг в атмосфере инертного газа при температуре окисления, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных приборов, слой двуокиси кремния формируют толщиной 20-40 нм, а отжиг проводят в атмосфере аргона с добавлением 0,5-10 об.% кислорода.

Номер патента: 1151153

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Буляк, Пухов, Румак, Хатько

МПК: H01L 21/316

Метки: изоляции, мдп-интегральных, межуровневой, структурах, схем

Способ изготовления межуровневой изоляции на структурах МДП-интегральных схем, включающий последовательное формирование на поверхности структуры подслоя и слоя двуокиси кремния, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических параметров структур за счет повышения стабильности величины порогового напряжения, подслой межуровневой изоляции формируют анодированием структур в кислородной плазме ВЧ-разряда при давлении кислорода 1,33-2,66 Па и температуре не более 150°С.

Номер патента: 1510627

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Пухов, Румак, Томченко, Хатько

МПК: H01L 21/28

Метки: моп-интегральных, схем

Способ изготовления МОП-интегральных схем, включающий осаждение на нагретую полупроводниковую подложку со сформированными активными областями и подзатворным диэлектриком слоя металлизации ионно-плазменным методом в две стадии, с толщиной слоя на первой стадии 10-40 нм, формирование рисунка металлизации, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических характеристик интегральных схем за счет уменьшения фиксированного заряда в подзатворном диэлектрике, осаждение слоя металлизации проводят при температуре подложки 523-573 K, при этом к подложке прикладывают отрицательное напряжение смещения 40-75 В на первой стадии и 80-120 В на второй стадии.

Номер патента: 1393233

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Васильев, Згировская, Румак, Хатько

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, схем

Способ изготовления интегральных схем, включающий нанесение на полупроводниковую подложку со сформированными активными областями первого слоя кремния, слоя силицида тугоплавкого металла, второго слоя кремния, формирование рисунка элементов металлизации, формирование пассивирующего покрытия высокотемпературным отжигом в среде кислорода, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических характеристик и упрощения способа за счет формирования рисунка элементов металлизации и пассивирующего покрытия в едином технологическом цикле, второй слой кремния наносят толщиной от 100 до 150 нм, затем проводят травление этого слоя в соответствии с рисунком элементов металлизации, после чего...

Номер патента: 1155108

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Лосева, Петраковский, Соколович

МПК: H01C 7/04

Метки: материал, терморезистивный

Терморезистивный материал, содержащий полупроводниковое соединение на основе сульфида хрома, отличающийся тем, что, с целью повышения термочувствительности за счет снижения температуры перехода полупроводник - металл до интервала 250-320°С, он содержит в качестве полупроводникового соединения на основе сульфида хрома халькогенидное соединение хрома, отвечающее общей химической формулеCr S1-xSex , где 0<x 0,5.

Номер патента: 1457683

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Зеленин, Покрышкин, Шишмолин

МПК: H01C 17/00

Метки: импульсной, пленочных, резисторов, стабилизирующей

Устройство для импульсной стабилизирующей обработки пленочных резисторов, содержащее генератор импульсов обработки, блок синхронизации, компаратор, первую и вторую контактные клеммы для подключения резистора, причем вторая контактная клемма соединена с общей шиной, отличающееся тем, что, с целью повышения качества обработки, оно дополнительно снабжено источником постоянного тока, усилителем постоянного тока, первым и вторым блоками выборки и хранения, причем выход источника постоянного тока соединен с первой контактной клеммой, выходом генератора импульсов обработки и входом усилителя постоянного тока, выход которого соединен с первым входом генератора импульсов обработки и с первыми...

Номер патента: 1226855

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Алексеева, Галеева, Городецкий, Дьяков, Завозин, Кисилева, Корюков, Роднин

МПК: C22B 25/02, C22B 34/36

Метки: вольфрама, извлечения, концентратов, оловянных

Способ извлечения вольфрама из оловянных концентратов, включающий шихтование их с коксом, расплавление шихты и введение в расплав кремния с последующим выпуском полученного металла и шлака, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности извлечения вольфрама из низкосортных оловянных концентратов, введение кремния осуществляют при температуре 1100-1300°С в количестве 0,1-0,3% от суммы содержания олова и вольфрама в расплаве и с одновременным добавлением оборотного шлака с последующим измельчением полученного шлака и выделением и гравитацией вольфрамовой фракции.

Номер патента: 1464810

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Апанасенко, Гурский, Покрышкин, Сигалов

МПК: H01L 21/66

Метки: инверсии, мдп-структур

Способ измерения напряжения инверсии МДП-структур, включающий подачу на МДП-структуру линейно изменяющегося напряжения смещения, высокочастотного измерительного напряжения, выделение напряжения, пропорционального емкости МДП-структуры, дифференцирование этого напряжения, измерение величины производной, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения напряжения инверсии, напряжение смещения изменяют со скоростью 101-10 3 В/с, периодически выдерживают его на постоянном уровне, осуществляя в эти моменты дифференцирование, а напряжение инверсии определяют по напряжению смещения, при котором производная становится больше нуля.

Номер патента: 1586469

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Канищев, Куксо, Пекуров, Румак, Тишкевич, Хатько

МПК: H01L 29/76

Метки: затвором, изолированным, полевых, транзисторов

Способ изготовления полевых транзисторов с изолированным затвором, включающий формирование на полупроводниковой подложке областей исток - сток, нанесение подзатворного диэлектрика, создание области высокоомного канала в подзатворном диэлектрике, образование затвора, контактов к областям истока - стока, дополнительных контактов к области высокоомного канала, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных приборов путем улучшения однородности высокоомного канала, после образования дополнительных контактов к области высокоомного канала проводят электротренировку в течение 32-66 с при заземленном затворе, положительном напряжении на истоке с напряженностью поля (1,6-2,8)...

Номер патента: 1840824

Опубликовано: 27.05.2012

Автор: Варгин

МПК: G01S 17/00, G01S 17/02

Метки: объектов, пространственной, формы

Способ определения пространственной формы объектов, включающий импульсный подсвет объекта, разделение отраженного излучения на два пучка и регистрацию изображения объекта в каждом пучке, отличающийся тем, что, с целью повышения разрешающей способности по дальности, модулируют интенсивность излучения одного из пучков в процессе регистрации изображения объекта и определяют форму объекта по известному закону модуляции и полученным распределениям освещенности в обоих изображениях.

Номер патента: 1066443

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Вейник, Присекин, Степанков

МПК: H05B 7/22, H05H 1/34

Метки: плазмотрон, электродуговой

Электродуговой плазмотрон, содержащий корпус, внутри которого по продольной оси установлены снабженный возвратной пружиной катододержатель с закрепленным в нем большим основанием катодом переменного профиля, и сопло переменного сечения, выполненное в виде обращенного к катоду большим основанием усеченного конического участка, переходящего в цилиндрический, отличающийся тем, что, с целью продления срока его службы, в коническом участке сопла установлена графитовая вставка с равномерно расположенными по ее поверхности радиальными канавками, а катод в продольном сечении выполнен составным из сопряженных дугообразной поверхностью конического и цилиндрического участков, причем конусность...

Номер патента: 1358653

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Гурский, Жебин, Зеленин, Шишмолин

МПК: H01C 17/00, H01C 3/00

Метки: пленочных, резисторов

Способ изготовления пленочных резисторов, включающий нанесение резистивной пленки на диэлектрическое основание, термическую обработку, формирование контактов, подгонку сопротивления и импульсную токовую тренировку, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности параметров, термическую обработку диэлектрического основания с нанесенной резистивной пленкой проводят при температуре на 30-50 K ниже температуры начала рекристаллизации резистивной пленки в течение 40-60 мин, а импульсную токовую тренировку осуществляют перед подгонкой сопротивления импульсами длительностью 10 -5 - 5·10-4 с, причем амплитуду каждого последующего импульса увеличивают на 3-5 В и...

Номер патента: 1025287

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Гурский, Зеленин, Кисляк, Конюшенко

МПК: H01L 21/28

Метки: контактов, полупроводниковых, приборов

Способ изготовления контактов полупроводниковых приборов, включающий нанесение алюминия в места формирования контактов, создание контактных площадок и присоединение золотого вывода, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности контактов путем исключения образования интерметаллических соединений, на слой алюминия дополнительно наносят пленку алюминия с добавлением сурьмы в количестве 0,1-0,5 вес.% и после присоединения вывода контакты обрабатывают в среде водорода при температуре 623-723 K в течение 0,25-4,0 ч.

Номер патента: 1542342

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Батраков, Герасимчик, Зеленин, Лытко, Попов, Сенько, Шевчук, Ясников

МПК: H01L 21/76

Метки: изоляции, интегральных, кмдп, межкомпонентной, схем

Способ изготовления межкомпонентной изоляции КМДП интегральных схем, включающий формирование на кремниевой подложке с областями карманов нитридной маски, формирование n+ и p+ охранных областей, их локальное окисление, отжиг структур в инертной атмосфере и удаление нитридной маски, отличающийся тем, что, с целью повышения напряжения пробоя, снижения токов утечки изоляции и повышения воспроизводимости указанных параметров за счет снижения дефектности подложки в охранных областях и снижения уровня механических напряжений в подложке, p+ охранные области формируют до формирования нитридной маски, а после удаления нитридной маски структуры дополнительно...