Способ изготовления моп-интегральных схем

Номер патента: 1609399

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Иванковский

МПК: H01L 21/8232

Метки: моп-интегральных, поликремниевыми, резисторами, схем

...и разводку. Область поликремниевых резисторов при этом закрытаслоем фоторезиста,Далее известными методами формируют области истоков, стоков и- и р-канальных40 .транзисторов, межслойную изоляци о, омические контакть и алюминиевую разводку,П р и м е р 2. Процесс проводят попримеру 1 до операции вскрытия резистивных участков поликремния резисторов45 включительно.Далее удаляют фотомаску в смеси Ка-ро и формируют фоторезистивную маску.для . формирования электродов затворов имежсоединений. Проводят плазмохимиче 50 ское травление слоев нитрида кремния ипервого слоя поликристаллического кремния, Область поликремниевых резисторовпри этом закрыта слоем фоторезиста. Послеудаления фотомаски создают новую для55 проведения ионной имплантации...

Номер патента: 643099

Опубликовано: 15.01.1979

Авторы: Джеймс, Джордж

МПК: G01R 31/28

Метки: интегральных, подложки, потенциалом, схем, схема, твердых

...конденсатором 35 и трзнзисторами 36, 37 н 2 О образуют схему инвертора, которая по своему действию подобна каскаду генера.тора 17, но обладает более высокой способностью к раскачке, Хронирующий сигнал с узла 28 поступает нз затворы входного )В транзистора 36 и дополнительного управляю" щего транзистора 38, который .Соединяется последовательно с транзистором 32 и землей в точке 39. Подобным образом узел 29, нз который поступает выходной сигнал с гене ратора, Присоединяется к входному затвору транзистора 37 инвертора и к затвору сле-.дующего управляющего транзистора 40, также соединенного последовательно с транзистором 32, Затвор транзистора 2 О инвертора . соединяеся со схемой детектора 19, которая 2 ф будет Описана киже. Выходной сигнал...

Номер патента: 1222149

Опубликовано: 30.12.1994

Авторы: Брюхно, Жарковский, Комаров, Сахаров, Шер

МПК: H01L 21/74

Метки: диэлектрической, изоляцией, интегральных, компонентов, кремниевых, структур, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР КРЕМНИЕВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ КОМПОНЕНТОВ, включающий формирование в монокристаллической кремниевой пластине локальных скрытых слоев, вытравливание канавок в пластине, защиту полученного рельефа диэлектриком, осаждение со стороны рельефа поликристаллического кремниевого опорного слоя, формирование монокристаллических областей, формирование в этих областях р-п-переходов, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных структур и надежности интегральных схем путем повышения напряжения пробоя р-п-переходов, канавки вытравливают в пластине на расстоянии от локальных скрытых слоев, не меньшем глубины проникновения примеси скрытых слоев в пластину, после проведения операций защиты...

Номер патента: 1223784

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Латышев, Ломако, Прохоцкий, Соловьев, Тарасова

МПК: H01L 21/26

Метки: интегральных, схем

...1,х В:.О/ай ОК И 1 СОКОГО ) 1)ОИ 1(1;,;,;. - ВХОДЦОИ 1к низкого ровня Па 1 л 0)(Оццае цаг)р 1)ке 1 Р 18 питацР 1/ сост 1 ляла - 5,2 В, 1-а 1 ластице и)з)0 ци/1 и 00 р 1 "1 ую 1 рОВ-Ок)/ ).ехцэ фн" ;ци 01 иравацие и строили Г 1 стООГрдмлы РзсгРеДеле 11 Я :ЗРамт08 Г 10 Ос) аткла" дывд/и 0 цашециа числа фу ц:;Р 01 иру 10- 1 ЗМ 80 Е 1)/ Г)аРаМетРКГОлнаму чис.)схем ца 1;лзстице, па Оси Х - 3; ач 811 я а 18 лиг ируемаГО Г 1 арз/18;ра. г 13- ,)акааКУ , ГОДЫе) 8 1 Ы 1 ЗОВОДРОи ( 11ЛСсл 1 С) У Ь й Я"О 1 /1 У, 1 ак, 111;)им 3 р, па ) эза)1 цым Т)ГОДными язля 10 тс /С с гзлР;янам)1 Й,х1,6 В, ), ,50 мкА.ИсОльзавание в техцалаРчес ам працсссе Операций )адиациацна"термической Обрабг)ткиицтегрэльцы;пагак .=- 1,0 х 10 час Ги -.; см 1 Р) /д0 Сп в 1 дР)ла...

Номер патента: 1755338

Опубликовано: 15.08.1992

Авторы: Белоус, Силин, Стадник

МПК: H01L 27/04

Метки: интегральная, схема

...металлизированные шинц 8 питания и общие шины 9, В интегральной схемеполупроводниковые области 12-14 с р-канальным МОП-транзистором 4, первым и -30 р-и-транзистором 5 и резистором 7сформированы над общим скрытым слоемвторого(п+) типа проводимости 19, выведенном на планарную поверхность интегральной схемы посредством дополнительной35 полупроеоднйковой области 21 второго (и)типа проводимости, выполненной под шиной 8 питания и соединенной с ней, Полупроводниковые области 15 и 16 си-канальными транзисторами 2 и 3 сформи 40 рованы над общим скрытым слоем 18 первого(р+) типа проводимости, выведенном напланарную поверхность интегральной схемы посредством дополнительной полупроводниковой области 22 первого (р+) типа45 проводимости,...