Способ изготовления моп-интегральных схем

Номер патента: 1331364

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Васильев, Пухов, Румак, Хатько

МПК: H01L 21/283

Метки: интегральных, металлизации, схем, элементов

Способ изготовления элементов металлизации интегральных схем, включающий нанесение на полупроводниковую подложку со сформированными активными слоями слоя металлизации методом магнетронного распыления в две стадии в едином цикле в среде аргона при давлении 1·10 -2 - 1·10-1 Па: на первой - нанесение тонкого слоя металлизации, на второй - нанесение слоя металлизации до требуемой толщины, формирование рисунка элементов металлизации с помощью фотолитографии, отличающийся тем, что, с целью повышения качества элементов металлизации при одновременном увеличении выхода годных приборов на операции фотолитографии, на первой стадии слой металлизации наносят при...

Номер патента: 1459539

Опубликовано: 10.05.2012

Авторы: Гурский, Сенько, Снитовский

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, металлизации, системы, схем

1. Способ изготовления системы металлизации интегральных схем, включающий нанесение на полупроводник изоляционного слоя полиамидокарбоновой кислоты, формирование на нем фоторезистивной маски, вскрытие контактных окон к поверхности полупроводника, удаление фоторезистивной маски, напыление металлического слоя, полное отверждение слоя полиамидокарбоновой кислоты в полиимид, формирование рисунка металлической разводки, вжигание металлизации, отличающийся тем, что, с целью повышения качества системы металлизации за счет увеличения напряжения пробоя изоляции и адгезии металлического слоя, полное отверждение слоя полиамидокарбоновой кислоты в полиимид проводят перед формированием на нем...

Номер патента: 1477175

Опубликовано: 30.07.1994

Авторы: Алексеев, Валеев, Гущин, Сулимин, Шишко

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, металлизации, создания, схем

1. СПОСОБ СОЗДАНИЯ МЕТАЛЛИЗАЦИИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование на полупроводниковой подложке с активными и пассивными элементами проводников различной ширины, нанесение диэлектрической пленки, нанесение пленки резиста, локальное удаление пленки резиста с использованием литографического процесса, формирование органической пленки из жидкой фазы, одновременное травление органической и диэлектрической пленок до вскрытия проводников, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности и процента выхода годных схем за счет улучшения планаризации рельефа проводников, локальное удаление пленки резиста проводят над центральной частью поверхности проводников так, что оставшаяся часть пленки резиста покрывает пространство между...

Номер патента: 1736304

Опубликовано: 20.03.1998

Авторы: Валеев, Волк, Воротилов, Петровский

МПК: H01L 21/324

Метки: диэлектрического, изолирующего, интегральных, металлизации, многоуровневой, планаризации, слоя, схемах

Способ планаризации изолирующего диэлектрического слоя многоуровневой металлизации в интегральных схемах, включающий нанесение плазмохимическим методом на поверхность интегральной схемы с металлизацией первого слоя диоксида кремния, последующее нанесение пленкообразующего спиртового раствора тетраэтоксисилана, отжиг при 100-150oC при нагревании со стороны подложки с образованием планаризующего слоя диоксида кремния, плазмохимическое травление этого слоя, нанесение второго слоя диоксида кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения качества планаризации за счет устранения растрескивания и отслаивания слоев диоксида кремния, нанесение пленкообразующего раствора производят при температуре подложки 40-60oC, а отжиг...

Номер патента: 1389603

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Иванковский, Сульжиц

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, металлизации, создания, схем

...вторую термообработку. После чего удаляют второй слой кремния,ного давления при давлении 66 Па в среде азота, При этом на участках монокремния и поликристаллического кремния образуется смесь моносилицида титана и дисилицида титана, а на областях двуокиси кремния образования силицидов не происходит.Травление слоев кремния и молибдена проводят в плазме фторосодержащих соединений СР 4 в течение 4 мин, при этом слой непрореагировавшего титана не травится,Далее травят непрореагировавший в процессе термообработки слой титана. Травление проводят в смеси "Каро" (горячая серная кислота с перекисью водорода, соотношение Н 2504: Н 202 = 7:3, температура 433 К) в течение 1 мин, Слой силицида при этом не травится. Сопротивление его составляет 6...