Томченко

Номер патента: 1510627

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Пухов, Румак, Томченко, Хатько

МПК: H01L 21/28

Метки: моп-интегральных, схем

Способ изготовления МОП-интегральных схем, включающий осаждение на нагретую полупроводниковую подложку со сформированными активными областями и подзатворным диэлектриком слоя металлизации ионно-плазменным методом в две стадии, с толщиной слоя на первой стадии 10-40 нм, формирование рисунка металлизации, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических характеристик интегральных схем за счет уменьшения фиксированного заряда в подзатворном диэлектрике, осаждение слоя металлизации проводят при температуре подложки 523-573 K, при этом к подложке прикладывают отрицательное напряжение смещения 40-75 В на первой стадии и 80-120 В на второй стадии.

Номер патента: 693371

Опубликовано: 25.10.1979

Авторы: Абуладзе, Жуков, Медведев, Томченко, Шабданов

МПК: G06F 7/50

Метки: арифметическое, действия, последовательного

...(сложение - 0 вычитание - 1) первого и второго операндов, а в триггеры прямого и обратного кодов заносятся знаки обрабатываемых операндов, причем как коды операций, так и 10 знаки операндов заносятся в регистрй,операндов совместно с информа.ционной частью операндов. Еслиоперанд положителен, то открывается соответствующий элемент И, изначения разрядов, операндов, начиная с младшего информационногоразряда, последовательно поступаютна сумматор н прямЬм коде, Если опе"ранд отрицателен, то открывается 20 соответствующий триер прямого иобратного кодов, и разряды этогооперанда поступают на вход сумматора в обратном коде, Алгебраическоесложение операндов производитсяпо следующему правилу. В исходномсостоянии триггеры прямого и обратного...