Способ изготовления полевых транзисторов с изолированным затвором

Номер патента: 1586469

Авторы: Канищев, Куксо, Пекуров, Румак, Тишкевич, Хатько

ZIP архив

Описание

Способ изготовления полевых транзисторов с изолированным затвором, включающий формирование на полупроводниковой подложке областей исток - сток, нанесение подзатворного диэлектрика, создание области высокоомного канала в подзатворном диэлектрике, образование затвора, контактов к областям истока - стока, дополнительных контактов к области высокоомного канала, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных приборов путем улучшения однородности высокоомного канала, после образования дополнительных контактов к области высокоомного канала проводят электротренировку в течение 32-66 с при заземленном затворе, положительном напряжении на истоке с напряженностью поля (1,6-2,8) МВ·см-1 и отрицательном напряжении на стоке с напряженностью поля 0,2-1,1 МВ·см-1.

Заявка

4303409/25, 11.06.1987

Физико-технический институт АН БССР

Румак Н. В, Тишкевич Г. И, Хатько В. В, Куксо В. В, Пекуров В. С, Канищев А. Ф

МПК / Метки

МПК: H01L 29/76

Метки: затвором, изолированным, полевых, транзисторов

Опубликовано: 27.05.2012

Код ссылки

<a href="https://patents.su/1-1586469-sposob-izgotovleniya-polevykh-tranzistorov-s-izolirovannym-zatvorom.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления полевых транзисторов с изолированным затвором</a>

Похожие патенты