Способ изготовления полевых транзисторов с изолированным затвором
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Описание
Способ изготовления полевых транзисторов с изолированным затвором, включающий формирование на полупроводниковой подложке областей исток - сток, нанесение подзатворного диэлектрика, создание области высокоомного канала в подзатворном диэлектрике, образование затвора, контактов к областям истока - стока, дополнительных контактов к области высокоомного канала, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных приборов путем улучшения однородности высокоомного канала, после образования дополнительных контактов к области высокоомного канала проводят электротренировку в течение 32-66 с при заземленном затворе, положительном напряжении на истоке с напряженностью поля (1,6-2,8) МВ·см-1 и отрицательном напряжении на стоке с напряженностью поля 0,2-1,1 МВ·см-1.
Заявка
4303409/25, 11.06.1987
Физико-технический институт АН БССР
Румак Н. В, Тишкевич Г. И, Хатько В. В, Куксо В. В, Пекуров В. С, Канищев А. Ф
МПК / Метки
МПК: H01L 29/76
Метки: затвором, изолированным, полевых, транзисторов
Опубликовано: 27.05.2012
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-1586469-sposob-izgotovleniya-polevykh-tranzistorov-s-izolirovannym-zatvorom.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления полевых транзисторов с изолированным затвором</a>
Предыдущий патент: Способ измерения напряжения инверсии мдп-структур
Следующий патент: Способ определения пространственной формы объектов
Случайный патент: Способ подавления шума в слуховом органе