Способ создания металлизации интегральных микросхем

Номер патента: 1736304

Опубликовано: 20.03.1998

Авторы: Валеев, Волк, Воротилов, Петровский

МПК: H01L 21/324

Метки: диэлектрического, изолирующего, интегральных, металлизации, многоуровневой, планаризации, слоя, схемах

Способ планаризации изолирующего диэлектрического слоя многоуровневой металлизации в интегральных схемах, включающий нанесение плазмохимическим методом на поверхность интегральной схемы с металлизацией первого слоя диоксида кремния, последующее нанесение пленкообразующего спиртового раствора тетраэтоксисилана, отжиг при 100-150oC при нагревании со стороны подложки с образованием планаризующего слоя диоксида кремния, плазмохимическое травление этого слоя, нанесение второго слоя диоксида кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения качества планаризации за счет устранения растрескивания и отслаивания слоев диоксида кремния, нанесение пленкообразующего раствора производят при температуре подложки 40-60oC, а отжиг...

Номер патента: 1814432

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Боднар, Кастрюлев, Корольков

МПК: H01L 21/265

Метки: барьера, высоту, диодами, имеющими, интегральных, микросхем, потенциального, различную, создания, схем, шоттки

...получить максимальный эффектувеличения высоты потенциального барьера высокобарьерных диодов Шоттки при минимальных токах утечки обратной ветви. Известно, что в процессе образования дисилицида титана на 1 нм . толщины слоя титана расходуется 2,27 нм толщины кремния. Таким образом, на взаимодействие, например, 45 нм титана расходуется 103 нм слоя кремния, что требует применения ионной имплантации бором с энергией 30 кэВ.Реализация самосовмещенной технологии формирования дисилицида титана с помощью одностадийной импульсной фотонной обработки в указанных режимах позволяет получать величины максимального логического перепада при минимальном 2 уровне легирования акцепторной примесью за счет большей степени электроактивации,. более...

Номер патента: 1589932

Опубликовано: 20.12.1995

Авторы: Боднар, Кастрюлев, Корольков

МПК: H01L 21/306

Метки: барьера, высоту, диодами, имеющими, интегральных, микросхем, потенциального, различную, создания, шоттки

1. СПОСОБ СОЗДАНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ С ДИОДАМИ ШОТТКИ, ИМЕЮЩИМИ РАЗЛИЧНУЮ ВЫСОТУ ПОТЕНЦИАЛЬНОГО БАРЬЕРА, включающий формирование пассивных элементов и активных структур в монокремниевый подложке n-типа, нанесение диэлектрического покрытия, вскрытие в диэлектрическом покрытии контактных окон к эмиттерным областям и формирование эмиттерных структур, вскрытие контактных окон в диэлектрическом покрытии к базовым областям и областям формирования высокобарьерных диодов Шоттки, нанесения слоя платины и формирование силицида в открытых контактных областях, вскрытие контактных окон к областям формирования незкобарьерных диодов Шоттки, последовательное нанесение барьерного и токопроводящего слоев и формирование контактных электродов и...

Номер патента: 1123012

Опубликовано: 07.11.1984

Авторы: Степанова, Тихонова, Шиханов

МПК: G03C 1/52

Метки: диэлектрических, композиция, микросхем, светочувствительная, слоев, толстопленочных

...фенол зитивиого фоторезиста ФП - 383 и добавляют: . формальдегидной смолы, 3,08 г новолачной фе 12,13 г свинецсодержащего. стекла марки СЦ- нолформальдегндной сионы и 5;94 г диоксана, 273., содержащего,%: РЬО 45,5; 80 29,5;. после чего добавляют .15,0 г. свинсцсодержащего ЕпО 18,5; Т 0 40 и АЫ О. 2,5 размером,стекла 611 - 273 размером частиц 0,5-2;5 мкм. частиц О;5 - 2,5 мкм.50Фоторезист ФП - 383 содержит. 2;59 г 1,2-наф- Состав композиции .следующий, мас.%: тохинондиазид(2).5-сульфоэфира.бромнрован. Свипецсодержащее стекло 50,0ной новолачной феиолфцрмальдегидной смолы, Светочувствительний компонент 6,2 4,31 новолачной фенолформальдегидной смолы . Новолачная фенолформальдегид. мол.м. 700 и 8,34 г дноксаиа, 55 ная смола мол, м....

Номер патента: 1662021

Опубликовано: 07.07.1991

Авторы: Безруков, Иванов, Спиридонов, Суходолов

МПК: H05K 3/12

Метки: диэлектрических, микросхем, проводящих, рисунка, слоев

...отклоняющегоэлектрического поля меньше 5 кВ/см прак тически не происходит отклонения полетакапель, а при превышении напряженности свыше 30 кВ/см полет капель сопровождается помехами из-за спонтанных коронных или покровных разрядов в зоне межэлект родного промежутка.Конкретные примеры реализации способа сведены в таблицу,15 Формула изобретенияСпособ изготовления рисунка проводящих и диэлектрических слоев микросхем, включающий формирование струи рабочей жидкости под давлением и ее подачу на под ложку при относительном перемещенииподложки и струи и термообработку полученных слоев, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения производительности, экономичности и разрешающей способно сти процесса, давление при формированииструи рабочей...