Способ изготовления интегральных схем

Номер патента: 561331

Опубликовано: 25.10.1977

Авторы: Белый, Гуманский, Соловьев, Ташлыков, Тишков

МПК: B01J 17/30

Метки: карбида, кремния, слоев

...- увеличениетолщины слоя карбида кремния и его од нородности.Поставленная цель достигаетсятем, что на поверхность монокристаллакремчия предварительно наносят слойуглерода толщиной 300 - 800 1, а бом бардировку ионами ведут импульсамидлительностью 1 - 20 мсек с частотойследования 15 - 20 импульсов в 1 сек.Способ поясняется чертежом,Ионы углерода, используемые для З 0 легирования, получают из графитовых561331 формула изобретения 1 О бородоваКорректор СПодписноенистров СССРийВ 4 Й Составитель ВезТехреп С,БецаТираж 947комитета Совета Иибретений и открытРаушская наб., ужгород, ул. Пр Л.Жаворонков Редакт 1/7 ИПИ Государстве по дел 113035 МоскваЗаказ ого изо Жт, г лиал ППП Пате оек электродов 1 и 2, разделенных изоляторами 3, ускоряются в...

Номер патента: 1075867

Опубликовано: 27.11.1996

Авторы: Погоцкий, Полякова, Точицкий

МПК: H01L 21/312

Метки: большой, интегральной, оригинала, рисунка, схемы, топологического

Способ изготовления оригинала топологического рисунка большой интегральной схемы, включающий нанесение на прозрачную подложку маскирующей пленки и получение рельефа в маскирующей пленке, содержащего элементы топологического рисунка и реперные знаки, методом фотолитографии с использованием генератора изображения, отличающийся тем, что, с целью повышения точности взаимного расположения элементов топологического рисунка, при получении рельефа в маскирующей пленке формируют часть топологического рисунка и реперные знаки, после чего на подложку наносят дополнительную маскирующую пленку, прозрачную для видимого света, а затем методом контактной или проекционной фотолитографии в дополнительной маскирующей пленке формируют оставшуюся часть...

Номер патента: 510057

Опубликовано: 25.06.1977

Авторы: Васильева, Дроздов, Репинский, Свиташев

МПК: H01L 21/20

Метки: двуокиси, кремния, получени, слоев, сособ

...слоев двуокиси кремния одинаковой толщины по всей длине изотермического кварцевого реактора.Сущность изобретения заключается в том, что процесс окисления силана ведут в избытке кислорода при мольном отношении кислорода к силану 70: 1, концентрациях силана (0,5 - 2) 10 влголь л, при скорости потока газовой смеси 19 - 20 см сек и температуре 430 - 500 С.Поскольку скорреакции окисленияцентрации кислород ость радикально-цепнои силана зависит от кона, выбираются такие условия, когда изменением этой скорости по длине реактора компенсируют наблюдаемый обычно эффект обеднения газовой смеси по силану.5Согласно предложенному способу слоидвуокиси кремния выращивают в горизонтальном изометрическом реакторе диаметром 45 лл, с зоной равномерной...

Номер патента: 676100

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Васильева, Дроздов

МПК: H01L 21/20

Метки: двуокиси, кремния, слоев

Способ получения слоев двуокиси кремния посредством окисления моносилана кислородом в потоке газа-носителя в горизонтальном трубчатом реакторе, отличающийся тем, что, с целью повышения равномерности слоев двуокиси кремния по длине реактора, процесс проводят при равномерно возрастающей температуре 0,3 - 3oC/см по направлению движения газового потока в интервале температур 300 - 450oC.

Номер патента: 1398484

Опубликовано: 30.10.1994

Авторы: Водаков, Мохов, Рамм, Роенков

МПК: C30B 23/02, C30B 29/36

Метки: карбида, кремния, слоев

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СЛОЕВ КАРБИДА КРЕМНИЯ путем конденсации паров источника на подложку карбида кремния в инертной атмосфере при температуре выше 1800oС и температурном градиенте, перпендикулярно поверхности подложки, отличающийся тем, что, с целью повышения морфологического и структурного совершенства слоев, конденсацию паров ведут на подложку с одной или несколькими выступающими квадратными площадками высотой 5 - 200 мкм, площадью 0,01 - 1,0 мм2 при дополнительном радиальном температурном градиенте 10 - 50 град/см, скорости роста не более 100 мкм/ч в течение не менее 10 мин.