Способ изготовления межкомпонентной изоляции кмдп интегральных схем

ZIP архив

Описание

Способ изготовления межкомпонентной изоляции КМДП интегральных схем, включающий формирование на кремниевой подложке с областями карманов нитридной маски, формирование n+ и p+ охранных областей, их локальное окисление, отжиг структур в инертной атмосфере и удаление нитридной маски, отличающийся тем, что, с целью повышения напряжения пробоя, снижения токов утечки изоляции и повышения воспроизводимости указанных параметров за счет снижения дефектности подложки в охранных областях и снижения уровня механических напряжений в подложке, p+ охранные области формируют до формирования нитридной маски, а после удаления нитридной маски структуры дополнительно отжигают в инертной атмосфере при 950-1200°С в течение 10-60 мин.

Заявка

4425590/25, 17.05.1988

Попов Ю. П, Зеленин В. А, Сенько С. Ф, Шевчук И. Г, Лытко Л. Н, Ясников В. Е, Батраков Н. Ф, Герасимчик Н. Н

МПК / Метки

МПК: H01L 21/76

Метки: изоляции, интегральных, кмдп, межкомпонентной, схем

Опубликовано: 27.05.2012

Код ссылки

<a href="https://patents.su/1-1542342-sposob-izgotovleniya-mezhkomponentnojj-izolyacii-kmdp-integralnykh-skhem.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления межкомпонентной изоляции кмдп интегральных схем</a>

Похожие патенты