Способ изготовления межкомпонентной изоляции кмдп интегральных схем
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Описание
Способ изготовления межкомпонентной изоляции КМДП интегральных схем, включающий формирование на кремниевой подложке с областями карманов нитридной маски, формирование n+ и p+ охранных областей, их локальное окисление, отжиг структур в инертной атмосфере и удаление нитридной маски, отличающийся тем, что, с целью повышения напряжения пробоя, снижения токов утечки изоляции и повышения воспроизводимости указанных параметров за счет снижения дефектности подложки в охранных областях и снижения уровня механических напряжений в подложке, p+ охранные области формируют до формирования нитридной маски, а после удаления нитридной маски структуры дополнительно отжигают в инертной атмосфере при 950-1200°С в течение 10-60 мин.
Заявка
4425590/25, 17.05.1988
Попов Ю. П, Зеленин В. А, Сенько С. Ф, Шевчук И. Г, Лытко Л. Н, Ясников В. Е, Батраков Н. Ф, Герасимчик Н. Н
МПК / Метки
МПК: H01L 21/76
Метки: изоляции, интегральных, кмдп, межкомпонентной, схем
Опубликовано: 27.05.2012
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-1542342-sposob-izgotovleniya-mezhkomponentnojj-izolyacii-kmdp-integralnykh-skhem.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления межкомпонентной изоляции кмдп интегральных схем</a>
Предыдущий патент: Способ изготовления контактов полупроводниковых приборов
Следующий патент: Способ создания биполярного кремниевого планарного транзистора
Случайный патент: Фотоэлектрический способ измерения размеров и концентрации взвешенных частиц