Способ создания биполярного кремниевого планарного транзистора

Номер патента: 1649965

Опубликовано: 20.07.1996

Автор: Романов

МПК: H01L 21/331

Метки: биполярных, кремниевых, свч-транзисторов

Способ изготовления кремниевых биполярных СВЧ-транзисторов, включающий формирование на поверхности кремниевой подложки диэлектрической пленки, вскрытие окон под области базы и введение в них легирующей базовой примеси, вскрытие окна под область эмиттера и введение в нее легирующей эмиттерной примеси, нанесение диэлектрической кремнийсодержащей пленки, термообработку в окисляющей атмосфере, вскрытие контактных окон и металлизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных и надежности транзисторов за счет сглаживания рельефа поверхности структуры перед металлизацией, диэлектрическую кремнийсодержащую пленку наносят перед вскрытием окна под область эмиттера, термообработку в окисляющей атмосфере проводят до образования на...

Номер патента: 316135

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Викин, Королев, Кравцова, Малькова

МПК: H01L 21/31

Метки: высокочастотного, кремниевого, планарного, транзистора

...производят в атмосфере сначала влажного, а затем сухого кислорода, причем время пропускапия влажного кислорода по предлагаемому способу увеличено. Пропускание сухого кислорода в конце процесса диффузии способствует уплотнению слоя стекла и уменьшению количества растворенной в нем воды, Таким образом, фосфорносиликатное стекло в предлагаемом способе не только не удаляют с поверхности окисла, но принимают ъ 1 еры для увеличе 1 гня толщины и повышения плотности его слоя, После образования слоя фосфорносиликатного стекла на поверхности окисла кремниевую пластину дважды помещают в кипящую азотную кислоту и держат ее там до полного ооесцвечивания кислоты. Затем пластину погружаот на 2 - 5 1 ин в кипящую серную кислоту. В известном спосоое...

Номер патента: 602583

Опубликовано: 15.04.1978

Авторы: Авдентов, Бадаев, Михайлов, Потанин

МПК: C22C 1/06

Метки: алюминиево-кремниевых, заэвтектических, легированных, модификатор, сплавов

...Фтористый натрий Криолит 0,5-1,5 ол ификаторвес.% х Фосфористая медь кусками до 300 г 46 18,7 3 2737 7 2 СЕь 2 Яаблетка из ранулирован ой фосфорно еди 3-4 мм60 2,7 3 3,31 СЕ 34 аГ 4 ЛЯГь 2 Таблетка из пылевидного феррофосфора 24 Са СР 28М 1 386 4 Зк 13 18,2 49,0 3 аа А 16 1 предлагаемы фористой меди. Фосфористая медь мед- ленни растворяется в расплаве, уменьшая стабильность модифицирующего эффекта, и способствует образованию обогащенных фосфором включений, которые снижают механические свойства сплавов.Целью изобретения является повышение измельчения первичных кристаллов кремния и механических свойств сплавов. Это достигается тем, что модифи- р катор дополнительно содержит серу, а в качестве утяжелителя - измельченный феррофосфор и...

Номер патента: 779412

Опубликовано: 15.11.1980

Авторы: Белугин, Колышкин, Кохова, Семендий, Шигарев

МПК: C21D 1/26

Метки: заготовок, изотермического, легированных, отжига, сталей

...необходимое для завершейия прогрева сердцевины поковок,устанавливают экспериментально),подвергают замедленному охлаждению со скоростями 1,25 С/мин и 4,3 С/минО(подстуживание) до 800 С и 770 ОС соответственйо, После этогопрбводят "усХоренйоеохлаждение до температурыперлитйого превращения 640 С Соо среднимй скоростями 32, 39, 20 и 43,3 С/мин; выдержку при этой температуре в течение 4 ч и последующееохлаждение на воздухе до комнатнойтемпературы.Для получения сравнительных данных проводят обработку поковок изтой же стали известным способом:нагрев до 940 С с выдержкой в течеОние 80 мин, после чего ведется ускоренное охлаждение со средней скооростью 32 С/мин в интервале температур 800-640 ОС с выдержкой при темпе ратуре 640 С 4 ч и...

Номер патента: 1295971

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Красножон, Сухоруков

МПК: H01L 21/82

Метки: больших, интегральных, мдп, схем

...и выращивают подзатворныйокисел 6 кремния толщиной 0,07 мкмопри 950 С в среде увлажненного кислорода с добавлением хлористого водорода.Фотолитографическим способомвскрывают, контактные окна 7 в слое 6,наносят поликремний толщиной 0,5 мкм,проводят его легирования фосфоромпри 900 С до Кз = 15-40 Ом/ст и формируют затворы 8 иэ поликремния имежсоедицения 9 (поликремниевьтешины),После травления поликремния удаляют с активных областей открытый слойподзатворного диэлектрика 6 и окисел10 на поликремнии путем травленияв буферном растворе на основе фтористоводородной кислоты. После химобработки на всю поверхность структурынаносят пиролитическим разложениемодихлорсилана в аммиаке при 800 Сслой 11 нитрида кремния толщиной0,2 мкм.Затем...