Способ создания моп-структур
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Описание
Способ создания МОП-структур, заключающийся в нанесении маски из Si3N4 на поверхность кремниевой подложки, селективном окислении во влажном кислороде, снятии Si3N4, предварительном окислении во влажной атмосфере, создании подзатворного диэлектрика и нанесении полевого электрода, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных структур путем уменьшения дефектности поверхностного слоя кремния, предварительное окисление проводят до получения толщины окисла 130-150 нм, а в качестве влажной атмосферы используют смесь H2-O2 или H2-O2 -HCl, содержащую 1-4% HCl.
Заявка
3768789/25, 13.07.1984
Физико-технический институт АН БССР
Румак Н. В, Хатько В. В, Плотников В. Н, Ясников В. Е
МПК / Метки
МПК: H01L 21/316
Метки: моп-структур, создания
Опубликовано: 20.06.2012
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-1223789-sposob-sozdaniya-mop-struktur.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ создания моп-структур</a>
Предыдущий патент: Способ изготовления моп-структур
Следующий патент: Способ изготовления омических контактов
Случайный патент: Система автоматического управления режимом варки оптического стекла в ванной печи