Способ создания моп-структур

Номер патента: 1223789

Авторы: Плотников, Румак, Хатько, Ясников

ZIP архив

Описание

Способ создания МОП-структур, заключающийся в нанесении маски из Si3N4 на поверхность кремниевой подложки, селективном окислении во влажном кислороде, снятии Si3N4, предварительном окислении во влажной атмосфере, создании подзатворного диэлектрика и нанесении полевого электрода, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных структур путем уменьшения дефектности поверхностного слоя кремния, предварительное окисление проводят до получения толщины окисла 130-150 нм, а в качестве влажной атмосферы используют смесь H2-O2 или H2-O2 -HCl, содержащую 1-4% HCl.

Заявка

3768789/25, 13.07.1984

Физико-технический институт АН БССР

Румак Н. В, Хатько В. В, Плотников В. Н, Ясников В. Е

МПК / Метки

МПК: H01L 21/316

Метки: моп-структур, создания

Опубликовано: 20.06.2012

Код ссылки

<a href="https://patents.su/1-1223789-sposob-sozdaniya-mop-struktur.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ создания моп-структур</a>

Похожие патенты