Автюшков

Номер патента: 1505158

Опубликовано: 27.09.2013

Авторы: Автюшков, Бобченок, Тралле, Цыбульская

МПК: G01N 1/28

Метки: исследований, образцов, подготовки, электронно-микроскопических, электронографических

Способ подготовки образцов для электронно-микроскопических и электронографических исследований, включающий размещение исходной заготовки на поверхности нейтральной жидкости исследуемой стороной вниз, нанесение на обратную сторону заготовки порции жидкого травителя и выдержку заготовки до появления в ней сквозных микроотверстий, отличающийся тем, что, с целью повышения качества образцов за счет уменьшения подтравливания приповерхностных слоев заготовки, при выдержке заготовки в поверхностном слое нейтральной жидкости создают ее поток со скоростью 0,1-0,2 м/с в направлении, параллельном плоскости заготовки.

Номер патента: 1284430

Опубликовано: 27.06.2012

Авторы: Автюшков, Бобченок, Гурский, Зеленин

МПК: H01L 21/66

Метки: контактного, сопротивления, удельного

Способ измерения удельного контактного сопротивления, включающий создание p-n-перехода в полупроводниковой подложке, нанесение четырех металлических контактов, расположенных на одной линии, подключение зондов к контактам, пропускание тока I через первый и четвертый контакты, измерение падения напряжения U 1 между первым и вторым, а также U2 между вторым и третьим контактами, вычисление удельного контактного сопротивления по формуле где U = U1 - U2;S к - площадь...

Номер патента: 1144560

Опубликовано: 27.06.2012

Авторы: Автюшков, Бобченок, Борисов, Гурский, Круковский

МПК: H01L 21/265

Метки: ионного, легирования

Установка ионного легирования, содержащая систему формирования и транспортирования пучка ионов, блок измерения дозы с усилителем постоянного тока, приемную камеру с расположенным в ней контейнером с кассетами, в которых выполнены сквозные пазы, совмещенные с датчиками Фарадея, находящимися внутри контейнера и электрически соединенными с входом усилителя постоянного тока, отличающаяся тем, что, с целью повышения процента выхода годных приборов, установка дополнительно содержит кристалл биполярного планарного транзистора, размещенный на кассете, и блок измерения времени рассасывания биполярных транзисторов, электрически соединенный с кристаллом транзистора, причем поверхность кристалла со...

Номер патента: 1292601

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Автюшков, Бобченок, Борисов, Гурский, Симонов

МПК: H01L 21/265

Метки: ионного, легирования

Установка ионного легирования, включающая последовательно расположенные в вакуумной камере источник многозарядных ионов, масс-сепаратор, состоящий из магнита с полюсами, выполненными в форме секторов в плоскости, перпендикулярной магнитным силовым линиям, и расположенного между полюсами и повторяющего их форму в той же плоскости ионопровода, ускорительную трубу и подложкодержатель, отличающаяся тем, что, с целью увеличения производительности и возможности регулирования профиля концентрации внедренных ионов, каждый из секторов выполнен из n частей в форме полукольца и расположенных внутри него четвертьколец, изготовленных из однородных магнитных материалов, средние радиусы полукольца и...

Номер патента: 1163765

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Автюшков, Бобченок, Войтик, Гурский

МПК: H01L 21/265

Метки: контактов, омических

Способ изготовления омических контактов, включающий легирование кремниевой подложки для создания мелкозалегающего p-n-перехода, нанесение барьерного слоя переходного металла, облучение его потоком ионов, нанесение токопроводящего слоя, термообработку в вакууме при температуре 673-1073 K, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей, легирование кремния проводят до получения поверхностной концентрации 8·10 23 - 8·1024 м-3, а в качестве барьерного слоя используют пленку тантала или вольфрама.

Номер патента: 1186030

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Автюшков, Бобченок, Борисов, Гурский

МПК: H01L 21/265

Метки: биполярного, кремниевого, планарного, создания, транзистора

Способ создания биполярного кремниевого планарного транзистора, включающий легирование путем облучения ионами расположенных над массивными областями базы и покрытых слоем окисла кремния участков поверхности сформированной транзисторной структуры и последующий отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных транзисторов путем уменьшения тока утечки через переход база - коллектор, легирование проводят ионами фосфора в слой окисла на глубину проецированного пробега, равную 0,6-0,8 толщины слоя, дозой 1012 - 1015 см -2, а отжиг проводят при температуре 573-723 K в течение 6·102 - 3,5·103 с.

Номер патента: 838221

Опубликовано: 15.06.1981

Автор: Автюшков

МПК: F16J 15/40

Метки: высоковакуумное, разъемное, соединение

...ками 5 и 6, прикрепленными к днищамстаканов. Стаканы установлены один в другом так, что между кольцевыми пе регородками 5 и б образуются канцентричные камеры. Для обеспечения соосности стаканов, в днище стакана 4 выполнены кольцевые канавки 7, равные по ширине толщине перегородок б. При этом кольцевые камеры сообщаются между собой посредством каналов, например в виде пазов 8, выполненных в . кольцевых перегородках 5, Высота пазов 8 должна быть больше глубины канавок 7. В кольцевых камерах размещаются две несмешивающиеся жидкости - жидкость 9 с большей плотностью и жидкость 10 с меньшей плотностью, В днище стакана 3 выполнены отверстия 11 15 перекрываемые крышкой 12 с прокладкой 13.Устройство работает следующим образом.При...