Способ изготовления мдп интегральных схем

Номер патента: 1295971

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Красножон, Сухоруков

МПК: H01L 21/82

Метки: больших, интегральных, мдп, схем

...и выращивают подзатворныйокисел 6 кремния толщиной 0,07 мкмопри 950 С в среде увлажненного кислорода с добавлением хлористого водорода.Фотолитографическим способомвскрывают, контактные окна 7 в слое 6,наносят поликремний толщиной 0,5 мкм,проводят его легирования фосфоромпри 900 С до Кз = 15-40 Ом/ст и формируют затворы 8 иэ поликремния имежсоедицения 9 (поликремниевьтешины),После травления поликремния удаляют с активных областей открытый слойподзатворного диэлектрика 6 и окисел10 на поликремнии путем травленияв буферном растворе на основе фтористоводородной кислоты. После химобработки на всю поверхность структурынаносят пиролитическим разложениемодихлорсилана в аммиаке при 800 Сслой 11 нитрида кремния толщиной0,2 мкм.Затем...

Номер патента: 1436768

Опубликовано: 09.06.1995

Авторы: Вахтель, Гитлин, Ивакин, Кадменский, Колесников, Левин, Лобов, Остроухов

МПК: H01L 21/268

Метки: интегральных, мдп-больших, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-БОЛЬШИХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ (МДП-БИС) с пороговым напряжением Uо, включающий формирование в кремниевой пластине областей истока, стока и слоя подзатворного диэлектрика, формирование металлизированной разводки и подгонку порогового напряжения путем облучения пластины рентгеновским излучением, отличающийся тем, что, с целью уменьшения разброса параметров МДП-БИС и увеличения процента выхода годных, облучение рентгеновским излучением проводят до дозы насыщения, затем снимают гистограмму распределения порогового напряжения МДП-БИС на пластине, определяют по гистограмме величину минимального порогового напряжения Uмин и разность

Номер патента: 1644706

Опубликовано: 15.12.1994

Авторы: Барабанов, Мещеряков

МПК: H01L 21/82

Метки: p-канальных, больших, интегральных, мдп, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ P-КАНАЛЬНЫХ МДП БОЛЬШИХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование в кремниевой подложке активных и полевых областей, формирование подзатворного оксида кремния, буферных поликремниевых областей над каналами активных МДП-транзисторов, вскрытие контактных окон, формирование алюминиевой разводки с образованием МДП-транзисторов, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности МДП интегральных схем за счет повышения порогового напряжения высоковольтных паразитных МДП-транзисторов, одновременно с формированием буферных поликремниевых областей формируют поликремниевые области над каналами высоковольтных паразитных МДП-транзисторов, после чего осаждают слой пиролитического оксида кремния, проводят его термообработку и...

Номер патента: 1143702

Опубликовано: 07.03.1985

Авторы: Ермолаева, Кошелев, Петрова

МПК: C03C 3/085

Метки: интегральных, стекло, схем

...проводят в индукционной печи в платинородиевом тигле при 1700 С с выдержкой 10 ч после расплавления шихты. Выработку стекол проводят в виде гранулята путем отливки расплава стекломассы в дистиллированную воду. Лля измерения КТЛР и Г отливают образцы в виде штабиков (50 х 5 х 5 мм).; Гранулят стекла измельчают в яшмовом барабане на планетарной мельнице до удельной поверхности 5000 .см/г.Формирование стекловидных слоев на кремниевых пластинах осуществляют методом ВЧ магнетронного распыления. При распылении используют мишень из порошкового стекла, формирование которой осуществляют путем равномерного нанесения порошка стекла на металлический катод (диаметр 130 мм). ,Толщина слоя стекла составляет 4 мм.Формирование стекловидных пленок...

Номер патента: 1791853

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Брагин, Дяконенко, Зубарева, Косова, Мерченко

МПК: H01B 3/08

Метки: диэлектрическая, изоляции, маркировочных, межслойной, паста, слоев, схем, толстопленочных

...90+5 мин.Контроль электрофизических характеристик изоляции осуществляли на тест- платах с 2-уровневой проводниковой разводкой, выполненной из проводниковых паст Пи П - 0704 по ТУ 6-09-4780-84.Межслойная изоляция изготавливалась путем четырехкратного нанесения и вжигания диэлектрических паст,Составы паст и основные свойства межслой ной изоляции представлены в таблице. Данные таблицы свидетельствуют о том, что оптимальный состав имеют пасты 6 - 8. обес1791355 ро ние таблиц йни НалСиниь О тсутстезу-КГ ют печивающие возможность формирования маркировочных и изоляционных слоев при высоких (850-870 С) температурах с низкой удельной емкостью (63 - 74 пФ/см ).гИспользование диэлектрической пасты 5 предлагаемого состава позволит повысить...