Способ изготовления тонких пластин кремния

Номер патента: 1282757

Авторы: Ибрагимов, Реутов

Описание

1. Способ изготовления тонких пластин кремния, включающий их отделение от слитка путем формирования поверхности скола, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности и воспроизводимости изготовления, поверхность скола формируют облучением слитка потоком легких ионов преимущественно водорода, дейтерия, гелия и нагревом слитка.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что слиток облучают дозами по крайней мере 1017 см-2 при комнатной температуре.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что слиток облучают дозами по крайней мере 1016 см-2 при температуре не менее 700 К.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что слиток облучают дозами по крайней мере 1015 см-2 при температуре послерадиационного отжига не менее 840 К.

Заявка

3719121/25, 30.12.1983

Институт ядерной физики АН КазССР

Реутов В. Ф, Ибрагимов Ш. Ш

МПК / Метки

МПК: H01L 21/265

Метки: кремния, пластин, тонких

Опубликовано: 27.06.2000

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-1282757-sposob-izgotovleniya-tonkikh-plastin-kremniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления тонких пластин кремния</a>

Похожие патенты