Способ изготовления тонких пластин кремния
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Описание
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что слиток облучают дозами по крайней мере 1017 см-2 при комнатной температуре.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что слиток облучают дозами по крайней мере 1016 см-2 при температуре не менее 700 К.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что слиток облучают дозами по крайней мере 1015 см-2 при температуре послерадиационного отжига не менее 840 К.
Заявка
3719121/25, 30.12.1983
Институт ядерной физики АН КазССР
Реутов В. Ф, Ибрагимов Ш. Ш
МПК / Метки
МПК: H01L 21/265
Метки: кремния, пластин, тонких
Опубликовано: 27.06.2000
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1282757-sposob-izgotovleniya-tonkikh-plastin-kremniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления тонких пластин кремния</a>
Предыдущий патент: Способ соединения полупроводниковой структуры с термокомпенсатором
Следующий патент: Вакуумный конденсатор переменной емкости
Случайный патент: Устройство для соединения ферритовых сердечников магнитной головки