Термокомпенсатор мощных кремниевых полупроводниковых приборов

Номер патента: 1828719

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 21/331

Метки: кремниевого, мощного, транзистора

1. Способ изготовления мощного кремниевого транзистора, включающий создание в высокоомном слое кремниевой n-n+-структуры эмиттерной области, легированной примесью первого типа проводимости, имеющей атомный радиус, больший или меньший атомного радиуса кремния, создание базовой области, легированной примесью второго типа проводимости, одновременную разгонку эмиттерной и базовой примесей, легирование эмиттерной области на глубину h компенсирующей примесью, имеющей атомный радиус, соответственно меньший или больший атомного радиуса примеси первого типа эмиттерной области, подлегирование базовой области примесью второго типа проводимости, отличающийся тем, что, с целью уменьшения числа высокотемпературных процессов, создание базовой...

Номер патента: 1828720

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 21/331

Метки: кремниевого, мощного, транзистора

1. Способ изготовления мощного кремниевого транзистора, включающий предварительную диффузию примеси р-типа проводимости в базовую область кремниевой n-n+-структуры, предварительную диффузию примеси n-типа проводимости в эмиттерную область и дальнейшую совместную разгонку базовой и эмиттерной примесей, отличающийся тем, что, с целью разрушения кластерных областей в объеме полупроводниковой структуры, предварительную диффузию примеси n-типа проводимости в эмиттер проводят при 800-1100oC, а совместную разгонку базовой и эмиттерной примесей проводят при температуре, выбираемой из интервала 1100-1250°С из условия обеспечения степени легирования эмиттерной области Ns<3

Номер патента: 1018543

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Глущенко, Красножон

МПК: H01L 21/331

Метки: кремниевых, мощных, транзисторов

...с образованиемокисного покрытия 11 в условиях глубокого окисления поверхности кремния в области активной базы 10, изменившей свой профиль вслерствие эФ"йекта сегрегации примеси на границераярела двуокиси кремния - кремний,при этом область контакта 7 сомкнулась с областью базы 10, йиг, чподложка 1 после удаления окисногопокрытия 11 с области активной базы10 и проведения в то же окно диФФузии ронорной примеси в змиттернуюобласть 12, Фиг,5 - подложка 1 после вскрытия контактных окон к области змиттера и базы и создания двухслойной токопроводящей разводки кзмиттеру и однослойной к базе наоснове высоколегированного поликристаллического кремния 13 и слояалюминия 14,Контакт к области коллектора осуществляют с рругой стороны подложки.При этом...

Номер патента: 1785048

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Литвак, Моисеев, Чарыков, Яковлев

МПК: H01L 21/208

Метки: арсенида, гетероэпитаксиального, индия-алюминия, наращивания, основе, раствора, слоев, твердого

...А 1-ЗЬ, Использование эвтектики позволяет перейти от гомогенного расплава к безградиентной твердой фазе и, таким образом, получить, далее, беэградиентный четырехкомпонентный расплав ойределенного состава, Отсутствие Однородности именно в твердой фазе не позволяло ранее получать гетероэпитаксиальные слои твердого раствора п-А 1-Аз-ЗЬ, Только используя эвтектический сплав А 1+ ЗЬ, авторамвпервые в миреудалось получить их,Нагрефй интервале 900 С Т1000 С позволяет получить полнестью гомогенный расплав. При Т900 С затруднено равноМерное перемешивание компонентов в жидкой фазе йз-за диффузионных ограничений, Повышение температуры увеличивает скорость перемешивания, но при Т1000 С резко возрастает давление пара ЗЬ над расплавом, что ведет...

Номер патента: 1827143

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 21/331

Метки: кремниевого, мощного, транзистора

Способ изготовления мощного кремниевого транзистора, включающий предварительную диффузию базовой примеси р-типа проводимости в базовую область кремниевой n-n+-структуры на глубину h, предварительную диффузию эмиттерной примеси n-типа проводимости в базовую область с формированием эмиттерной области n+-типа проводимости, совместную разгонку базовой и эмиттерной примесей, в результате которой получают транзисторную n+-p-n-n-структуру с шириной активной базы Wакт, глубиной базовой области Н и глубиной эмиттерной области L, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости параметров транзистора, предварительную диффузию базовой примеси проводят в течение 1-40 ч при 1100-1250°С на глубину...