Способ формирования мезаструктур при изготовлении кремниевых высоковольтных диодов

Номер патента: 147118

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Каплунник, Холмянская, Цыбулевский

МПК: B05C 5/00, B05C 9/04

Метки: изготовлении, масок, нанесения, светочувствительного, слоя

...изготовления кинескопов.На чертеже схематически изооражена предлагаемая машина.Металлическая пластина 1 для нанесения на нее светочувствительного слоя крепится к кольцеобразному ободу 2 при помощи специальной рамки о.Обод опирается на три ролика 4, 5, б, предохраняющие его от радиальных перемещений, и на три пары роликов 7, 8, 9, ограничивающих обод от перемещений его в осевом направлении. Одна пара роликов 9, связанная с роликом 10, является ведущей и приводит обод во вращение в вертикальной плоскости. Полив пластины осущестзляется одновременно с двух сторон двумя соплами 11 и 12, совершающими движение от центра пластины к ее периферии автоматически Движение сопел происходит при помощи винтовых передач 13 и 14, вращающихся синхронно...

Номер патента: 772985

Опубликовано: 23.10.1980

Авторы: Иткин, Молодыко

МПК: C03C 27/12

Метки: изготовлении, многослойных, остекления, промежуточного, слоя

...чертеже схематически изображенпакет, общий вид,П р и м е р 1. Производят склейку триплексов - слоистых панелей,состоящих из стекол 1 и 2, и промежуточного слоя 3 при использовании уплотнительного элемента - замкнутогорезинового контура 4, изготовленного из резиновой трубки диаметром10 мм, с нанесенным на нее разделительным покрытием 5.Нанесение покрытия производятследующим образом, Трубку погружаютв ванну, заполненную жидкостью, всостав которой входит, вес.ч.: желатина 15, глицерин 15 и вода 70. Эатем трубку сушат в течение 24 ч при15-25 С, после чего погружают вванну, заполненную составом, включающим, вес.ч.; крахмал 36, глюкоза 45,глицерин 34, вода 505. После 24-часовой сушки при 15-25 ОС производятсборку пакета: между стеклами...

Номер патента: 872482

Опубликовано: 15.10.1981

Автор: Молодыко

МПК: C03C 27/12

Метки: изготовлении, многослйных, остекления, промежуточного, слоя

...6-8 10Глюкоза 9-11Вода 170-185П р и м е р 1. Производят склейкутриплексов - слоистых панелей, состоящихиз стекол и промежуточного слоя при использовании уплотнительного элемента -замкнутого резинового контура изготовленного из резиновой трубки диаметром10 мм, с нанесенным на нем разделительным слоем, Нанесение слоя производятслецующим образом: трубку погружают вванну, заполненную жидкостью, в составкоторой вхоцит, вес;ч. желатин 15, глицерин 22, глюкоза 9, крахмал 6, вода170, Затем трубку сушат в течение 24 чпри 1,эС, После сушки произвоцятсборку пакета: между стеклами устанавливают уплотнительную трубку, пакет сжимают винтами струбцин до заданной толщины, после чего полость пакета заполняют ЗОжидким твердеющим материалом....

Номер патента: 1478913

Опубликовано: 10.12.1995

Авторы: Белозубов, Михайлов, Ульянов

МПК: H01L 21/78

Метки: кремниевых, тензопреобразователей, чувствительных, элементов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ КРЕМНИЕВЫХ ТЕНЗОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ по авт. св. N 1144667, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и прочности чувствительных элементов, окна для травления профиля в маскирующем слое на пластинах формируют с размерами, определяемыми соотношением:где ak размер входного отверстия углубления в k-й пластине;A0 рабочий размер мембраны чувствительного элемента;Hi толщина i-й пластины;t0 толщина мембраны чувствительного элемента; -показатель анизотропии, угол между боковой гранью...

Номер патента: 1222149

Опубликовано: 30.12.1994

Авторы: Брюхно, Жарковский, Комаров, Сахаров, Шер

МПК: H01L 21/74

Метки: диэлектрической, изоляцией, интегральных, компонентов, кремниевых, структур, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР КРЕМНИЕВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ КОМПОНЕНТОВ, включающий формирование в монокристаллической кремниевой пластине локальных скрытых слоев, вытравливание канавок в пластине, защиту полученного рельефа диэлектриком, осаждение со стороны рельефа поликристаллического кремниевого опорного слоя, формирование монокристаллических областей, формирование в этих областях р-п-переходов, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных структур и надежности интегральных схем путем повышения напряжения пробоя р-п-переходов, канавки вытравливают в пластине на расстоянии от локальных скрытых слоев, не меньшем глубины проникновения примеси скрытых слоев в пластину, после проведения операций защиты...