Способ изготовления полупроводниковых приборов

Номер патента: 1362597

Опубликовано: 30.12.1987

Авторы: Гетман, Тарасенко, Трубицын

МПК: B23K 31/02

Метки: герметизации, контактной, полуавтомат, полупроводниковых, приборов, сваркой

...часть, взаимодействующая с роликом 26 каретки вертикального перемещения, опускается. Такжеопускается каретка 19 вертикальногоперемещения вместе с упором-досылателем 20, закрепленным на нижнем ееконце, до упора 33, размещенного накаретке 18 горизонтального перемещения.Опускание каретки 19 вертикального перемещения вместе с подпружиненным упором-досылателем 20 до упора33 происходит на небольшом по сравнению с общей длиной наклонной поверхности копира 27 участке. Упордосылатель 20 занимает такое положение, при котором его нижняя частьрасполагается ниже уровня крьппки 11,но немного выше верхней поверхностикорпуса 10. При дальнейшем перемещении штока 15 по наклонной поверхности копира 27 упор-досылатель 20 совершает только...

Номер патента: 1547998

Опубликовано: 07.03.1990

Авторы: Тарасенко, Трубицын

МПК: B23K 31/02

Метки: герметизации, контактной, полуавтомат, полупроводниковых, приборов, сваркой

...вертикального перемещения, опускается. Также опускается каретка 19 вертикального перемещения вместе с упором-досылателем 20, закрепленным на нижнем ее конце, до упора 34, размещенного на каретке 18 горизонтального перемещения. Причем опускание каретки 19 вертикального перемещения вместе с подпружиненным упором-досылателем 20 до упора 34 происходит на небольшом по сравнению с общей длиной наклонной поверхности копира 27 участке.Упор-досылатель 20 занимает такое положение, при котором его нижняя часть располагается ниже уровня крышки, но немного выше верхней поверхности корпуса 10. При дальнейшем перемещении штока 15 по наклонной поверхности копира 17 упордосылатель 20 совершает только горизонтальное перемещение до ободка корпуса 10....

Номер патента: 1590290

Опубликовано: 07.09.1990

Автор: Трубицын

МПК: B23K 31/02

Метки: герметизации, контактной, полуавтомат, полупроводниковых, приборов, сваркой

...наезжает на наклоннуюповерхность копира 27 и перемещаетсявверх. При этом одновременно копир16, закрепленный на подпружиненномштоке 15, через ролик 17 перемещаеткаретку 18 горизонтального перемещения вправо, и поднимает один конецкоромысла 25 относительно его оси,закрепленной на каретке 18 горизонтального перемещения, при этом второй конец коромысла 25 взаимодейству"ет с фиксатором 21 и его (коромыслакриволинейная часть, взаимодействуяс роликом 28 каретки 19 вертикальногоперемещения, опускается вниз. Такжеопускается каретка 19 вертикальногоперемещения вместе с упором-досылателем 20, закрепленным на нижнем ееконце, до упора 33, размещенного накаретке 18 горизонтального перемещения,Причем опускание каретки 19 верти"кального перемещения...

Номер патента: 55905

Опубликовано: 01.01.1939

Автор: Курто

МПК: B23H 3/04, B23H 9/16

Метки: поверхностей, прибор, путем, электролиза

...на выступы предварительно механически прошабренной обрабатываемой поверхности при замыкании цепи тока, в которой катодом .служит медный шток, а анодом - обрабатываемый предмет.При этом для сообщенделений цилиндра с электржит цилиндрический кранем; поворотом этого крруется сила тока в цепи.На чертеже представлено устройство прибора.Прибор состоит из эбонитового цилиндрического корпуса 1 с расширяющейся конически нижней частью 8, днищем которой является круглая стеклянная шаберная плита 2, снабженная большим количеством мелких отверстий а, На некоторой высоте цилиндра 1 помещен кран 3, разделяющий цилиндр на две камеры А и В, сообщение между которыми регулируется углом поворота крана 3,В верхней камере В цилиндра 1 помещается...

Номер патента: 1168021

Опубликовано: 27.10.1995

Авторы: Мельник, Мокеев, Нидаев

МПК: H01L 21/76

Метки: мдп-приборов, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР МДП-ПРИБОРОВ, включающий формирование на кремниевой подложке пленки двуокиси кремния, осаждение слоя поликристаллического или аморфного кремния, разделение слоя кремния на изолированные области, рекристаллизационный обжиг, отличающийся тем, что, с целью увеличения подвижности носителей заряда в изолированных областях кремния и сохранения исходной формы этих областей, слой поликристаллического или аморфного кремния разделяют на изолированные области методом локального прокисления этого слоя до пленки двуокиси кремния.