Способ изготовления силовых полупроводниковых приборов

Номер патента: 1504495

Опубликовано: 30.08.1989

Авторы: Большаков, Ильинская, Нагибина

МПК: G01B 11/24, G01B 9/021, G03H 1/04

Метки: голографического, записи, оптического, поверхности, формы, элемента

...полос, 1 ОНа чертеже представлена оптическая схема получения голографического оптического элемента (ГОЭ), формирующего пространственную интерференционную сетку,Схема получения ГОЭ содержит источник 1 когерентного излучения, расположенные по ходу излучения фотоэатвор 2, коллиматор 3, светоделитель 4, расположенные в объектном 20пучке поворотное зеркало 5, и фотопластинку 6, на которую записываютГОЭ, и установленное в опорном пучке зеркало 7.Способ осуществляют следующим 25образом.Луч от источника 1 когерентногоизлучения проходит через фотоэатвор2, расширяется коллиматором 3 и падает на светоделитель 4, которыйформирует объектную и опорную волны.Объектной волной с помощью поворотного зеркала 5 освещают фотопластин"ку 6....

Номер патента: 1783447

Опубликовано: 23.12.1992

Авторы: Ватуев, Каминский, Руфов

МПК: G01P 15/13

Метки: акселерометра, кварцевого, компенсационного, маятникового, металлизации, толщины, чувствительного, элемента

...чем Р 1.Для нахождения зависимости междуир 2 предполагают, что на поверхности 5 кварцевого волокна, имеющего форму цилиндрического длинного стержня диаметром д и длиной 1, находится жестко связанная с ним металлическая пленка в виде тонкостенного полого цилиндра без 10 разрывов, одинаковой толщины й. В соответствии с законом Гука для двухструнного упругого торсионного подвеса справедливо соотношение 15 М=2 6 Т =М 2 =2 - (О Т++61 Т 1), (5) где М 1, М 2 - внешние крутящие моменты (от силы тяжести), действующие на рамку-маятник при отклонении основания ЧЭ относи тельно гравитационной вертикали до и после нанесения тонкой пленки соЬтветственно;6, 01 - модули сдвига кварцевого стеклаи материала пленки, соответственно; 2 Т, Т 1 - полярные...

Номер патента: 1538830

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Лукасевич, Манжа, Соловьева, Шевченко

МПК: H01L 21/82

Метки: биполярных, транзисторах

Способ изготовления ИС на биполярных транзисторах, включающий формирование в кремниевой подложке первого типа проводимости высоколегированных областей второго типа проводимости под скрытый слой, наращивание эпитаксиального слоя второго типа проводимости, создание охранных областей первого типа проводимости под области изоляции, формирование областей изоляции и глубокого коллектора, осаждение на поверхность эпитаксиального слоя первой пленки поликремния, ее локальное прокисление вне базовых областей транзисторов, ее легирование примесью первого типа, формирование первой диэлектрической пленки, вскрытие в ней окон под эмиттерные области транзисторов, вытравливание во вскрытых окнах первой пленки поликремния, формирование пристеночных...

Номер патента: 587116

Опубликовано: 05.01.1978

Авторы: Бельский, Калашников

МПК: C03C 21/00

Метки: ограничительный, поверхности, стекла, электрохимической, элемент

...мигрируют в стекло, и механизм их натяжения, последний выполнен в.виде биметаллической дуги.На чертеже изображен ограничительный элемент струнного типа.Ограничительный элемент содержит основание 1, биметаллическую дугу 2, металлическую спираль 3, навитую на металлические струны 4. Биметаллическая дуга 2 жестко скреплена с основанием 1 и на ней с предварительным натягом закреплены струны 4. Основание 1 выполнено в виде прямоугольной крестовины, имеющей ответные пазы на подвижной горизонтальной балке, что587116 Формула изобретения акто И,Ква Составитель С.Белобоковазе Техред З.фанта Ко ектоП.Макареви Подписноетета Совета Министров Стений и открытий илиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная,обеспечивает быстрый съем ограничительного...

Номер патента: 684520

Опубликовано: 05.09.1979

Авторы: Гимпельман, Маурин, Плинер, Рутман, Таксис, Торопов

МПК: G05D 23/00

Метки: нагревательного, окисного, поверхности, рабочей, температуры, элемента

...дифференциального уравнении теплопроводности для бесконечной пластины с внутренними источниками 3этой поверхности уменьшается, в сопротивление увеличивается. Это приводит ктому, что плотность тока вблизи даннойповерхности уменьшается, а вблизи рабочей поверхности - соответственно возрастает.Увеличение плотности тока вблизи рабочей поверхности окисного нагревательного элемента в свою очередь приводитк повышению ее температуры. При этоммаксимум температуры смещается к рабочей поверхности окисного нагревательного элемента, что позволяет существенноповысить максимально возможную температуру рабочей поверхности этого элемента. Подвергая охлаждению определенныеучастки противолежащей поверхности нагревательного элемента, можно...