Патенты с меткой «мезаструктур»

Номер патента: 1579340

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Битюрин, Миронов, Петров, Чириманов

МПК: H01L 21/18

Метки: диодов, лавино-пролетных, матрицы, мезаструктур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАТРИЦЫ МЕЗАСТРУКТУР ЛАВИНО-ПРОЛЕТНЫХ ДИОДОВ, включающий формирование на подложке германиевой или арсенидгаллиевой структуры типа n+-p-p+ (n+-n-p+), нанесение металлизации на структуру и ее разделение на отдельные активные элементы, отличающийся тем, что, с целью расширения частотного диапазона генерации и повышения КПД диодов, в качестве материалв подложки используют медь, трехслойную структуру формируют путем нанесения на подложку слоев типа n+-p(n+-n), их рекристаллизации при 400 500oС, а p+-слои формируют на рекристаллизованной двухслойной структуре методом низкотемпературной диффузии.

Номер патента: 1340484

Опубликовано: 27.06.2000

Автор: Бротиковский

МПК: H01L 21/28

Метки: защищенных, мезаструктур, никелирования, пленками, свинцово, силикатными, стекловидными

Способ никелирования мезаструктур, защищенных свинцово-силикатными стекловидными пленками, включающий активацию поверхности структур в золотосодержащем активаторе и химическое осаждение никеля, отличающийся тем, что, с целью уменьшения себестоимости приборов, после активации мезаструктуры обрабатывают в кипящей азотной кислоте.

Номер патента: 1535272

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Бротиковский, Минков

МПК: H01L 21/78

Метки: высоковольтных, диодов, изготовлении, кремниевых, мезаструктур, формирования

Способ формирования мезаструктур при изготовлении кремниевых высоковольтных диодов, включающий изготовление на полупроводниковой пластине диффузионной структуры с р-n переходом контактов, нанесение защитной маски, формирование мезаструктур путем надрезания пластины алмазным диском с последующим химическим травлением по образованным надрезам, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных приборов с повышенными значениями обратных пробивных напряжений, надрезание осуществляется со стороны n-слоя структуры с частотой вращения диска от 20 до 50 тыс.об/мин со скоростью подачи от 1 до 30 мм/с при толщине алмазной режущей кромки от 150 до 400 мкм и величине алмазного зерна от 0,5 до 20...