Павлынив

Номер патента: 1340476

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Грипас, Локтаев, Марквичева, Насекан, Нисневич, Павлынив

МПК: H01L 21/225

Метки: n+pnpp+, многослойных, структур, типа

1. Способ изготовления многослойных структур n+-p-n-p-p+ типа силовых тиристоров, включающий создание на p-n-p-структуре маскирующей пленки, локальной со стороны катода и сплошной со стороны анода, загонку донорной примеси, полное удаление маскирующей пленки, осаждение на анодную сторону раствора, содержащего соединения бора, складывание пластин в стопку и разгонку, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических параметров тиристора за счет повышения однородности подлегирования бором шунтов и управляющего электрода со стороны катода и создания неоднородного распределения времени жизни неосновных носителей заряда в n-базе, на анодную сторону осаждают раствор,...

Номер патента: 1269930

Опубликовано: 15.11.1986

Авторы: Павлынив, Полухин, Романовский, Сердюк

МПК: B23K 1/12, H01L 21/02

Метки: полупроводниковых, приборов

...кристалл подвергают травлению, производят контроль параметров прибора., нанесение защитного покрытия и герметизацию прибора.25Проведение травления после пайки, а также введение промежуточной термообработки позволяют снизить остаточные механические напряжения в спаях и полупроводниковом кристалле, что повышает качество приборов и стабильность их характеристик.Пример. Г 1 олупроводниковый кремниевый кристалл с тиристорной структурой в нем паяют с основанием корпуса и выводами (арматура тиристора) в водородной конвейерной печи одновременно - за один температурно-временной цикл, Все паяные швы выполняют припоем одного и того же состава (марки ПОС 2, температура полного расплавления которого близка к 320 С.Пайку ведут при 400+- 10...

Номер патента: 371637

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Павлынив, Романовский, Туцкий

МПК: H01L 23/02, H01L 23/16

Метки: 53uiv"jt, a^lfsofii, f-lha, гг, контак11швуг, прокладка, сr-^b, союзная, тепловых, электрических

...в устзо ройствях, раоотающих в режиме цикличеСки,3изменяющихся тепловых или электрических нагрузок, например в силовых управляемых полупроводниковых вентилях.На чертеже изображена контактная прокладка для разъемного контакта с механическим прижимом применительно к силовому полупроводниковому вентилю на выпрямленный ток 200 а.Внутренний слой 1 выполнен из сплава висмута, олова, свинца, кадмия (сплав Гутри), имеющего температуру плавления 45 С, т. е. ниже рабочей температуры вентиля, работающего в режиме номинальной токовой нагрузки (80 - 100 С).Герметизирующая оболочка 2 выполнена из меди или других металлов с хорошими тепло- и электропроводностью и с коэффициентом теплового расширения, согласованным со значениями этого коэффициента...