Способ изготовления кремниевых структур

Номер патента: 438364

Опубликовано: 05.07.1976

Автор: Павличенко

МПК: H01L 33/00

Метки: диодный, источник, карбтде, кремния, света

...раза выше по сравнению с новыми приборами.Значительный эффект наблюдается у карбидокремниевых светодиодов на эпитаксиальных пленках по величине прямого падения напряжения. При комнатной температуре и при токе в 10 ма оно составляет минимально возможную для карбида кремния величину 2,25 - 2,5 в (весьма близкую к контактной разности потенциалов), причем у основной части приборов (85%) оно равно 2,25 - 2,35 в, Таким образом, у преобладающего большинства приборов разброс значений прямого падения напряжения не превышает 5 О/о (в отношении к его минимальному значению), что по крайней мере в 10 - 15 раз ниже по сравнению с приборами на кристаллах ПМХЗ и ОХМЗ. Значения прямого падения напряжения при этом очень незначительно уменьшаются (до 2,2 -...

Номер патента: 1649616

Опубликовано: 15.05.1991

Авторы: Горбань, Завадовский, Тягушева, Шаповалов, Ясинский

МПК: H01L 21/66

Метки: выращенных, диоксида, кремнии, кремния, пленок, пористости, термически, электрохимический

...не происходит. Для увеличения разрешения способа площадь рамки ограничивающая электролит, составляет 6 см. В замкнутую2цепь включают миллиамперметр. От источника питания подают напряжение из расчета 3 В на 0,01 мкм толщины окисла. Во время исследования напряжение в цепи ПДЭ-системы поддерживают постоянным. Через 40-50 с производят измерение тока, протекающего в замкнутой цепи ПДЭ-системы при нормированной площади структуры Б-БхО, ограниченной рамкой, Легко определить предельно допустимую площадь всех пор на исследуемой поверхности окисла. Так, предельно допустимая пористость БхО принята 15 см , следовательно на площади 6 смколичество пор составляет 90. Предельно допустимая площадь пор 649616 4определяющей предельно...

Номер патента: 894486

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Комаров, Курьязов, Малявко, Соловьев, Тишков, Черненко, Ширяев

МПК: G01N 15/08

Метки: кремнии, нитридных, окисных, пленках, пор, сквозных

...начинают пррекрываться, что ведет к заниженной оценке степени пористости,П р и м е р 1.Проводят контроль пористости пленок в следующих структурах; пластино кремния марки КЭФс ориентацией поверхности (001) диаметрои 60 мм и толщиной 500 мкм с пленкой двуокиси кремния толщиной Оу 12 мки. Структуры помещает в высоковакууиную печь, где с поиощьв натекателя паров гексана поддерживается давление 27. 10 4 Па и на 1,0 мин подни" мают их температуру до 1000 С, при этом в порах на границе раздела пленка подложка в результате химического взаимодействия кремния с парами гексана, проникшими к подложке сквозь поры, образуются включения карбида креиния диаметром -фЗ мкм. Определенная с помощьв металлографичхеского йикроскопа МИРР при 300...

Номер патента: 1820781

Опубликовано: 27.07.1996

Авторы: Вискуп, Кабаков, Козлов, Красницкий, Петрович, Турцевич

МПК: H01L 21/205

Метки: двуокиси, кремния, пленок, формирования

...тем, чтопродувку реактора проводят кислородом ссодержанием озона 2-6 при давлении 5-60Па в течение 3-10 мин при температуре650-770 С,В предлагаемом техническом решенииповышение качества пленки двуокиси кремния обусловлено следующим. Перед осаждением пленки двуокиси кремния проводятпродувку реактора озонированным кислородом при температуре осаждения при соответствующих давлениях и длительности,происходит формирование более совершенного слоя термического окисла, чем припродувке просто кислородом. Кроме того,продувка реактора озонированным кислородом с указанными режимами способствуетболее полному, по сравнению с чистымкислородом, удалению, связыванию илипереводу в неактивное состояние рядапримесей, способствующих коллоидо-...

Номер патента: 1820782

Опубликовано: 27.11.1996

Авторы: Дударчик, Кабаков, Козлов, Красницкий, Турцевич

МПК: H01L 21/205

Метки: двуокиси, кремния, пленок, формирования

...моносилана при осаждении не превышала 50 см /мин, а закиси азота - 3000 см /мин, Величина давлениязпри осаждении составляла 133,3 Па. Температура при продувке реактора и осаждении составляла 800+1 С (пр, 24-7), 650 С (пр,1), 850 С (пр. 3); в примере 8 температура продувки реактора и осаждения составила 680 С, а в примере 9 - 820 С,Всего проведено 10 процентов.Процесс включал следующие стадии:ПР а ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ размещение кремниевых подложек в продуваемом азотом реакторе;- вакуумирование реактора;- продувку реактора закисью азота; - плавное установление потока моносилана, подачу его в реактор, осаждение 31 Ог;- прекращение осаждения, вакуумирование реактора;подача в реактор кислорода (при достижении необходимой температуры) и...