H01L 21/58 — крепление полупроводникового прибора на опоре

Номер патента: 1251213

Опубликовано: 15.08.1986

Авторы: Полухин, Романовский

МПК: B23K 1/12, H01L 21/58

Метки: изготовлении, кристалла, пайки, полупроводникового, прибора

...пластины нанесением сетки рисок. Затем на слой металлизации наносят слой низкотемпературного припоя и разделяют пластину ломкой на отдельные кристаллы, после чего производят сборку кристаллов с кристалло.держателем и выводами и нагрев до температуры пайки.Толщина слоя припоя, наносимого на металлизационный слой, достаточна для образования паяных соединений без внесения дополнительных доз припоя.Пример. Пайка на кристаллодержатель кремниевых структур тиристора Т - -106 на токи 10 А с одновременной пайкой токовых выводов -- силового и управляющего - к кремниевой структуре.На пластину кремния с тиристорны ми элементами, сформированными в ее теле, осаждают никелевое покрытие и подвергают 30 гермообработке для формирования на всех ее...

Номер патента: 865071

Опубликовано: 30.01.1987

Авторы: Большаков, Зенкович, Мистейко, Сегаль

МПК: H01L 21/58

Метки: кристаллов, монтажа, основания

...способ требует затраты значительного времени и не обеспечивает однородное присоединение по всей поверхности кристалла.Известен способ монтажа кристаллов на основании, включающий способ монтажа кристаллов, нагрев основания, совмещение его с кристаллом,нагружение соединяемых элементов и их соединение с подъемно-поперечным перемещением по границе соединения,Недостатком данного способа является большое количество газовых включений и окислов в зоне соединения, что ухудшает его механические и электрические свойства. Кроме того, образование соединения требует значительного времени.Цель изобретения - повышение качества и сокращение .длительности подсоединения. 35Поставленная цель достигается тем, что в способе монтажа кристаллов на...

Номер патента: 1674293

Опубликовано: 30.08.1991

Автор: Суворов

МПК: H01L 21/58

Метки: кристалла, кристаллодержателем, полупроводникового, соединения

...Цель изобретения - повышение надежности соединения. На кристаллодержатель наносят слой алюминия толщиной 2,7 мкм,а на кристалл напыляют слой магния толщиной 1,75 мкм, Температуру нэ рабочем столике устанавливают равной 450-750 С. Кристэллодержатель из ковара помещают на столик и прогревают, наносят на поверхность кристаллодержателя прокладку из звтектики магний - алюминий и присоединяют кристалл в течение 2 с в нейтральной среде, при этом повышается устойчивость полупроводниковых приборов к механическим и климатическим воздействиям. ной 1,75 мкм, Температуру на рабочем столике устанавливают равной 450-750 С. Кристаллодержатель из ковара помещают на столик и прогревают до заданной температуры. С помощью пинцета наносят на поверхность...

Номер патента: 1762340

Опубликовано: 15.09.1992

Авторы: Домарев, Ильичев, Стадник

МПК: H01L 21/58

Метки: нагрева, фотонного

...галогенных ламп.Установка фотонного нагрева состоит из корпуса 1, внутри которого установлен кварцевый реактор 2, выполненный в виде полого параллелепипеда с выпуклыми стенками, внутренняя полость которого является рабочим объемом для проведения технологических процессов, Кварцевый реактор 2 крепится фланцем 3 к водоохлаждаемому основанию 4 корпуса 1. С четырех сторон кварцевого реактора 2 установлены два основных и два дополнительных ряда галогенных ламп 5 по шесть ламп в каждом ряду, причем основные ряды ламп 5 расположены с верхней и нижней сторон кварцевого реактора 2, а дополнительные ряды - с боковых сторон. Галогенные лампы 5 дополнительных рядов закреплены между гало 1762340генными лампами основных рядов и оси этих ламп...

Номер патента: 1774396

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Аранович, Беляев, Дирочка, Киселева, Мейман, Поповян, Трошкин, Экивина

МПК: H01L 21/58

Метки: полупроводниковых, приклеивания

...способствоватьтуннелированию электронов из обогащенной зоны проводимости, которые участвуютв переносе заряда и также способствуютцепной реакции полимеризации как на поверхности полупроводника, так и в объемеклея.П р и м е р, Для осуществления способабыли использованы пластины из полупроводниковьх материалов пЯЬ (толщиной 0,6мм), ОаАз (толщиной 0,7 мм), Я толщиной0,4 мм), ОбхН 91-хТе (толщиной 0,8 мм), склеиваемые с подложками из высокоомногогермания толщиной 0,5 мм. Для получениясравнительных данных указанные пластины из полупроводниковых материалов склеивали с подлокками из сапфира по способу,принятому за прототип.В качестве источника Уф-излученияприменяли ртутно-кварцевую лампу высокого давления ДРТ,В качестве...

Номер патента: 1781732

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Барановский, Лискин, Розинов, Фишель

МПК: H01L 21/58

Метки: корпусу, крепления, кристалла, полупроводникового

...с выступающими из фольги острыми вершинами алмазных зерен, При приложении к кристаллу давления вершины алмазных зерен ввиду своей высокой твердости внедряются в слой естественного окисла на обратной поверхности кристалла,и прикалывают ее с образованием трещин в слое, При колебательном движении кристалла пленка окисла разрушается на мелкие кусочки. В результате этого поверхность кристалла полностью очищается от окисла,э между посадочной площадкой корпуса и обратной поверхностью кристалла образуется равномерный по толщине и не имеющий разрывов и пустот слой эвтектики золото/кремний, Равномерность толщины эвтектичного слоя обеспечивается за счет кэлибрующего эффекта э 41 эзных зерен, В результате применение заявляемого способа...

Номер патента: 730202

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Дурнин, Суворов

МПК: H01L 21/58

Метки: полупроводниковых, приборов, сборки

СПОСОБ СБОРКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ преимущественно с алюминиевой разводкой, включающий соединение кристаллов с металлическим кристаллодержателем пайкой с помощью припойной прокладки из эвтектического германиевого соединения, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности приборов и экономичности способа, используют прокладку из эвтектического соединения германия с алюминием, температура образования которого 350 - 570oС.

Номер патента: 1819066

Опубликовано: 27.03.1995

Авторы: Арутюнян, Бородулина, Новиков, Тюлягин

МПК: H01L 21/58

Метки: кристалла, напайки, никелированную, поверхность, полупроводниковых, приборов, теплоотвода

...10 с при скорости разогрева 500 С/мин и составляет 100 С, В результате максимальная температура поверхности теплоотвода составляет не более 500 С, что не приводит к нарушению поверхности алюминиевых контактов кристалла,При большой скорости разогрева припоя до высокой температуры 500 С гораздо выше температуры плавления припоя 230 ОС), происходит быстрое расплавление припоя и формирование шарика за счет сил Формула изобретенияСПОСОБ НАПАЙКИ КРИСТАЛЛА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ НА НИКЕЛИРОВАННУЮ ПОВЕРХНОСТЬ ТЕПЛООТВОДА, включающий помещение в герметичную камеру теплоотвода, . трафарета, кристалла и навески припоя, откачку камеры, нагрев сборки, прекращение откачки и введение в камеру нейтрального газа, содержащего азот 5 10 15 20 25 30...

Номер патента: 1664079

Опубликовано: 10.09.1995

Автор: Фильцов

МПК: H01L 21/52, H01L 21/58

Метки: герметизации, корпуса, полупроводникового, прибора

...да затвердевания шва,Экспериментально установлено, что при поверхностной плотности энергии менее 70 Дж/см значительно возрастает время разогрева герметика, соединяемых деталей и вследствие этого снижается нада;кность полупроводникового кристалла и ега соединение с основанием пробора.При увеличении значений поверхностной плотности энергии излучения более 300 Дж/см происходит образование эвтектиче 2ских соединений материалов выводов и корпуса палупрооодникооого прибора с их покрытием, что приводит к ухудшению качества прибора. Кроме того, наблюдается оыФормула изобретения СПОСОБ ГЕРМЕТИЗАЦИИ КОРПУСА ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА, оклочающий помещение герметика на основание или на крышку па контуру соединения крышки с основанием, установку...

Номер патента: 1484202

Опубликовано: 27.12.1995

Авторы: Белозубов, Гордиенко, Жучков, Косогоров, Малкина

МПК: H01L 21/58

Метки: диффузионного, диэлектриками, полупроводников, соединения

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ДИФФУЗИОННОГО СОЕДИНЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ С ДИЭЛЕКТРИКАМИ, содержащее основание с стойками, верхнюю плиту, прижимные элементы, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности, оно дополнительно снабжено нижней кассетой, выполненной в виде плиты с отверстиями для фиксации диэлектрических заготовок, и верхней кассетой с отверстиями для прижимных элементов и заготовок, обе кассеты зафиксированы на стойках, при этом отверстия обеих кассет расположены соосно, а прижимные элементы выполнены в виде грузов.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что, с целью обеспечения возможности электростатического соединения полупроводников с диэлектриками, прижимные элементы и основание выполнены электропроводящими, а стойки...

Номер патента: 1484201

Опубликовано: 20.01.1996

Авторы: Болозубов, Гордиенко, Жучков, Косогоров, Малкина

МПК: H01L 21/58

Метки: подложкой, полупроводниковой, соединения, стекла, электростатического

1. СПОСОБ ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКОГО СОЕДИНЕНИЯ СТЕКЛА С ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПОДЛОЖКОЙ, на которой сформирована интегральная схема, заключающийся в контактировании обработанных не ниже 12-го класса чистоты поверхностей, нагревании их до температуры, ниже точки плавления стекла, но достаточной для придания ему электропроводности, при которой удельное объемное сопротивление стекла равно 77 - 83 МОм / см, подача электрического напряжения из интервала 0,2 - 2 кВ на контактируемые элементы при этой температуре в течение 20 - 25 мин и охлаждении, отличающийся тем, что, с целью повышения прочности и герметичности, при охлаждении продолжают подачу напряжения до тех пор, пока удельное объемное сопротивление стекла станет равным 110 - 125 МОм / см.2....

Номер патента: 1586466

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Абраров, Кондратьев, Лисин, Поздняков, Рассохин, Хохлов

МПК: H01L 21/58, H01L 21/68

Метки: закрепления, механической, обработке, пластин, поверхности, полупроводниковых, преимущественно

Способ закрепления полупроводниковых пластин преимущественно при механической обработке их поверхности, включающий размещение полупроводниковых пластин на подложке с электродами, покрытой полимерной пленкой, осуществление прижима пластины к подложке путем подачи напряжения на электроды, расположенные попарно коаксиально один относительно другого, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности закрепления путем увеличения равномерности прижима пластины к подложке, при размещении полупроводниковых пластин на подложке каждую пластину устанавливают соосно с электродами таким образом, чтобы контур пластины находился на поверхности, ограниченной внешним диаметром наружного электрода.

Номер патента: 1523010

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Бучнев, Дмитриев, Зайцев, Рюмшин, Сизова, Смыслов

МПК: H01L 21/58

Метки: кремниевых, мощных, полупроводниковых, приборов, термокомпенсатор

Термокомпенсатор мощных кремниевых полупроводниковых приборов, содержащий графитовое основание с приповерхностным слоем из карбида кремния, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей термокомпенсатора за счет увеличения его смачиваемости алюминием и сплавами на основе алюминия, приповерхностный слой дополнительно пропитан кремнием с концентрацией по привесу 1 10-3 - 2,5 10-2 г/см2 поверхности.