Патенты с меткой «омического»

Номер патента: 10112

Опубликовано: 29.06.1929

Автор: Гарнак

МПК: H01B 19/04

Метки: бракованных, изоляторов, омического, повышения, сопротивления, фарфоровых

...возредме тен омического ных"фарфо актеризуюры в тече- в прокаликоло 350 С, сгружают в у расплав- парафина, нимают из и темпераю дать изфина стечь,Е. ип, Печатный Труд". При испытании телеграфных и телефонных изоляторов часто при хорошо спекшемся черепке и глазури без дефектов, изоляторы бракуются вследствие недостаточного омического сопротивления. Объясняется это тем, что в черепке изолятора имеются микроскопические поры, в которые проникает подкисленная жидкость, увеличивающая проводимость изолятора.Предлагаемое изобретение, касающееся способа повышения омического сопротивления бракованных изоляторов, заключается в следующем, Забракованные изоляторы промываются после испытания водой и прокаливаются - в течение примерно двух часов...

Номер патента: 117490

Опубликовано: 01.01.1958

Авторы: Куров, Монастырский

МПК: C10C 3/12, E01C 19/08

Метки: битуминозных, жидких, котлах, нагрева, омического, открытых, смоляных, хранилищах, электрокалорифер

...теплоотдачи при соответственно пониженной температуре этой поверхности, Электрокалорифер омического нагрева представляет собой пакет листов тонкой черной жести, разрезанных на последовательно соединенные полосы.Схема раскроя листа дана на фиг. 1; на фиг. 2 - схема набора одного нагревательного элемента в виде пакета листов тонкой жести или кровельного железа в трех проекциях.Пластины или листы 1 при помощи керамиковых изоляторов 2 со штифтами 8 насажены на стяжные болты 4, при помощи которых торцовые уголки 5 и продольные уголки б объединены в металлическийМ 117490 рамный каркас, обладающий хорошей жесткостью. Рамка имеет отверстия 7 для прикрепления к батарее, Крайние полосы крайних листов присоединены к выводным кочцам 8. Крайние...

Номер патента: 118909

Опубликовано: 01.01.1959

Автор: Мельник

МПК: H01L 21/28

Метки: контакта, кремнием, металла, омического

...фазы в вакууме слой германия, который покрывают слоем металла контакта, например никелем,Создание омического контакта с кремнием осуществляется следующим образом,В вакууме порядка 10мм Нд на нагретый до 550 кремний, предварительно протравленный в смеси плавиковой и азотной кислот (1: 1),конденсируется испаряемый германий.Затем испарение прекращается и температура кремния повь сядо 700 - 750 и при этой температуре выдерживается 10 мин.Нагревание кремния осуществляется излучением от ленточлибденового нагревателя, помещенного над кремнием.После охлаждения и извлечения из вакуумной установки на полученный на кремнии слой германия гальванически наносится никель,В случае кремния р-типа для испарения применяются р-германийили же германий со...

Номер патента: 173316

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Леонов, Михайловский, Томашев

МПК: G01R 27/04

Метки: омического

...изоляционных покрытий на металлах, погруженных в электролит, содержащие генератор импульсного напряжения, основной и вспомогательный электроды и измерительную схему, сложны в изготовлении и эксплуатации.Предлагаемое устройство отличается от известных тем, что оно имеет дополнительный электрод, выполненный аналогично основному и подключенный к генератору через переключатель для обеспечения попеременной подачи импульсного напряжения на основной и дополнительный электроды. Такое выполнение позволяет упростить процесс раздельного измерения и, следовательно, облегчает эксплуатацию устройства.На чертеже приведена принципиальная схема предлагаемого устройства, которое включает генератор 1 импульсного напряжения, электроды - основной 2,...

Номер патента: 322730

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Данели, Джалагани, Кахишвили, Сихарулидзе, Хведелидзе, Шперлинг

МПК: G01N 25/20, G01R 27/16

Метки: датчика, омического, сопротивления

...прибора 4 мапштоэлектрической системы, подключетшого к выходу дискриминатора, Шкала измернтелытого прибора 4 отградуировапа в процентах углекислого газа, Индуктивность колебательного контура 5 трапзптронного генератора намотана на феррптовом стержне. На тот жс стержень наматываются две раздельные обмотки 6 и 7, в цепи которых через линейные регулируемые сопротивления 8 и 9 последовательно с источниками питания постоянного тока 1 т 1 и 11 вк;цочены терморезнсторы 12 и И с косветшым одОревОм. Направление витков в Обмотках выполнено встречно.Один нз терморезисторов 12 помещен в запаянную стеклянную ампулу (Яп.т), наполненную газовой смесью, соответствующей по составу анализируемой, второй тсрморезн. стор 1 т помещен в открытую стекляштую...

Номер патента: 725044

Опубликовано: 30.03.1980

Авторы: Зедгенидзе, Лордкипанидзе, Таварткиладзе, Читишвили, Шенгелая

МПК: G01R 27/00

Метки: омического, сопротивления, электрических

...к нормальным температурным условиям, оператор пользуется данными, приведенными в таблице. Такая методика опреде. ления омического сопротивления и его приведе. йия к нормальным условиям является трудоемкой и не позволяет установить номи 1 альное омическое сопротивление и в непрерывном автоматическом потоке. Цель изобретения " -автоматизация процесса30измерения,Поставленная цель достигается тем, что вустройство для измерения омического сопротив.пения электрических изделий, содержащее блокизмерения, блок сравнения, источник питания,35подключенный к блоку измерения, введены по следовательно соединенные между собой датчиктемпературы, преобразователь температуры вэлектрический сигнал, блок нелинейности, блокперемножения, другой вход которого...

Номер патента: 1012154

Опубликовано: 15.04.1983

Автор: Курочкин

МПК: G01R 27/04

Метки: исследованиях, омического, поляризационного, сопротивлений, электрохимических

...и значение удельной электропроводности. раствора с методической погрешностью, вносимой суммарным сопротивлением активной составляющей поляризационного импеданса электродов для переменного тока.Наиболее близким к изобретению техническим решением является устройство для измерения омического и поляризационного сопротивлений изоляционных покрытий на металлах,5 10 15 20 25 30 погруженных в электролит, содержащеегенератор, основной, вспомогательный и дополнительный электроды, переключатель основного и дополнительного электродов и измерительную схему, с помощью которой регистрируют ток через вспомогательный электрод и напряжения между вспомогательным и основным, а также между основными дополнительньвю электродами при разных положениях...

Номер патента: 1040433

Опубликовано: 07.09.1983

Авторы: Герасимов, Козвонин

МПК: G01R 27/00

Метки: омического, сопротивления, электрических

...тока и делителей напряжения,а выход первого программируемого 6 Остабилизатора тока соединен с зажимом для подключения контролируемого изделия и первым входом блокавыделения разности напряжений,второй вход которого соединен с выходом второго программируемого стабилизатора тока, датчиком температуры и входом первого делителя напряжения, выход которого через второйпрограммируемый делитель напряжениясоединен с первым входом блока сравнения, выход блока выделения разности напряжений соединен с входомнуль-органа, а также через первыйаналоговый ключ и инвертирующийповторитель напряжения, соединенныйс вторым ключом, с вторым входомблока сравнения выход которого соединен с первым управляющим входомблока управления, второй управляющий вход...

Номер патента: 667007

Опубликовано: 23.03.1986

Автор: Козлов

МПК: H01L 21/18

Метки: омического, соединения

...соединения при одновременном сохранении электрофизических параметров исходных структур.Поставленная цель достигаетсятем, что по предложенному способусплавление проводят при 577-600 Сс выдержкой 40-50 мин,При таком режиме сплавления образуется. сплав алюминия с кремнием,66700 1 О 20 Изготовление омических соединений кремниевых структур с вольфрамовыми компенсаторами проводят при помощи алюминиевых или силуминовых дисков толщиной 40 мкм. Перед сплавлением детали тщательно обезжиривают, затем . помещают в кассету для сплавления в следующей последовательности: кремний, алюминий или силумин и вольфрамовый термокомпенсатор. Сверху устанавливают груз, кассету, помещают в вакуумную печь, нагревают до 577-, 600 ЧС и выдерживают 40-50 мин....

Номер патента: 1432421

Опубликовано: 23.10.1988

Авторы: Крапивин, Машкин, Медведев

МПК: G01R 27/18

Метки: изоляции, омического, сети, сопротивления, электрической

...средних значений напряжения, фазы 8-10 сети. Омическиесопротивления изоляции фаз обозначены К, , К,м , К , , Три вывода переключателя 1 соединены соответственно с тремя фазными проводами 8 -10, а подвижный контакт соединен спервыми выводами ключа 2 и переключателя 3 первого направления. Второйвывод ключа 2 через вольтметр 7 соединен с корпусом и первым выводом переключателя 3 четвертого направления. Второй вывод переключателя 3 первого направления соединен с третьим выводом переключателя 3 второго направления и анодом диода 5, катод которого соединен с третьим и вторым выводами переключателя 3 первого и второго направлений соответственно. Первые выводы переключателя 3 второго и третьего направлений соединены между собой и второй вывод...

Номер патента: 1755213

Опубликовано: 15.08.1992

Авторы: Мокеев, Смирнов

МПК: G01R 27/00

Метки: источников, омического, переменного, сопротивления, электрических

...замеряющего изменение напряжения до и послеподключения нагрузоцного сопротивления,применен вольтметр, фиксирующий постоянную составляющую напряжения сети -среднее значение напряжения сети за период ЛОн.срОмическое сопротивление электрической сети гс определяется по формулеЛ Он.ср(1)н.срВыполним вывод формулы (1). Согласнотеореме аб эквивалентном генераторе (Л - 3)две точки любой электрицескай сети можнопредставить как эквивалентный источник снапряжением Охх и последовательно соединенными активным гс и реактивным Хс сопротивлениями. На фиг.1 изображена схемаэквивалентного источника с параметрамиОхх,гс,Хс, нагруженного на активное сопротивление гн через выпрямительный элемент, Для этого контура можно написатьуравнениеОн(1) = Охх(1)...

Номер патента: 1758593

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Бацежев, Машкин, Машкина, Сафронов

МПК: G01R 27/18

Метки: изолированной, изоляции, нейтралью, омического, сети, сопротивления

...(после затухания переходного процесса)45 определится величиной омического сопротивления фазы 1, в результате на вход делителя 9 поступит напряжение,обусловленное измеренным значениемсреднего тока, поэтому на выходе делите 50 ля появится напряжение, обусловленноезначением омического сопротивления фазы 1: 55 щий блок, переключатель выполнен трехполюсным и трехпозиционным, первый полюс которого соединен с измерительным устройством средних значений напряжения, выход последнего соединен с первым входом делителя, второй и третий полюса переключателя соединены соответственно с магазином шунтов и диодом, общая точка которых соединена с измерительным ус 1- ройством средних значений тока, вь 1 ход ко торого соединен со вторым входом делителя,...

Номер патента: 698450

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Адольф, Вербицкий, Комар, Рыжиков

МПК: H01L 21/283

Метки: контакта, омического

...А 1(54)(57) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОМИЧЕСКОГО КОНТАКТА на подложке из полупроводниковых соединений А - В и-типа путемЧнанесения слоя индия с последующей термообработкой полученной системы в кисло. родсодержащей среде, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью повышения механической прочности контакта, на слой индия наносят слой серебра или алюминия и термообработку проводят при температуре 190 - 220 С в течение 3 - 4 мин,Поставленная цель достигается тем, что на слой индия наносят слой серебра или алюминия и термообработку проводят при температуре 190 - 220 С в течение 3 - 4 мин,Наличие второго слоя металла обеспечивает в процессе термообработки необхо- О димые условия, при которых индий, СО находясь в жидкой фазе, активно диффунди- ф рует в...

Номер патента: 1533567

Опубликовано: 10.03.1997

Авторы: Маркин, Никулов, Рябов, Снегирев

МПК: H01L 21/223

Метки: контакта, омического

Способ получения омического контакта к полупроводниковой структуре, включающий эпитаксиальное наращивание приконтактного слоя из газовой фазы при пониженном давлении сильнолегированного бором слоя кремния и нанесения системы металлов, отличающийся тем, что, с целью повышения качества контакта путем снижения переходного сопротивления контакта, приконтактный слой формируют из газовой смеси, содержащей водород, диборан и кремнийсодержащий компонент при следующем соотношении реагентов, об.Кремнийсодержащий компонент (в пересчете на кремний) 0,05 1,0Диборан 0,0005 0,001Водород Остальноенаращивание проводят при 950 970oС, отключают нагрев и повышают давление водорода в реакторе до атмосферного не более, чем...

Номер патента: 1589942

Опубликовано: 10.06.2000

Автор: Козлов

МПК: H01L 21/40

Метки: контакта, омического, создания

Способ создания омического контакта, включающий размещение между кремниевой структурой со стороны n-типа и термокомпенсатором алюминиевой прокладки и сплавление, отличающийся тем, что, с целью уменьшения контактного сопротивления за счет создания прерывистого рекристаллизованного слоя p+-кремния и улучшения качества омического контакта, перед размещением алюминиевой прокладки осуществляют равномерное тиснение 10 - 50% ее площади.

Номер патента: 1400378

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Локтаев, Лягущенко, Мишанин

МПК: H01L 21/28

Метки: выпрямительного, контакта, омического, элемента

Способ изготовления омического контакта выпрямительного элемента, включающий помещение припоя алюминиевой основы между кремниевой структурой и электродом и термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения обратного напряжения выпрямительного элемента, между поверхностью кремниевой структуры и припоем алюминиевой основы помещают слой силумина заэвтектического состава, термообработку проводят при температуре от 577oC до 0,95 температуры плавления силумина заэвтектического сстава.