Патенты с меткой «кубической»

Номер патента: 32

Опубликовано: 15.09.1924

Автор: Вознесенский

МПК: D06P 1/32, D06P 1/34

Метки: волокне, кашевого, кашу, коричневых, кубической, образования, окрасок, подобных, производных, ряда

...или по товару печатают раствор кашу, хлората, хромовой соли и медного купороса и затем запаривают товар, причем присутствие медного купороса ускоряет окисление, или же медный купорос не употребляют, но тогда для завершения окисления товар пропускают на раствор хромпика,Первый способ представляет то боль 1 пое неудобство, что присутствие медной соли в печатной краске портит стальные ракли печатной машины, второй же способ не выгоден, ибо требует специальной проводки товара.Предлагаемый способ основан на применении парафенилен-диамина как катализатора для ускорения окисления кашу. При этом оказывается возмож; ным избегнуть применения медного ку-пороса и освободиться от дополнитель ной хромпиковой обработки. Согласно ,...

Номер патента: 326250

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Канаев, Лившиц, Малинина, Московский, Сплавов

МПК: C21D 8/12

Метки: кубической, стали, текстуры, трансформаторной

...1000 - 1200 С, вторую холодную прокатку с обжатием 50 - 60%, промежуточный отжиг при температурах 1000 - 1200 С, третью холодную прокатку с обжатием 70 - 80% и окончательный отжиг при температурах 1000 - 1200 С. Холодную прокатку со степенями деформации 6 - 20% можно проводить перед вторым промежуточным отжигом. КУБИЧЕСКОЙ ТЕКСТУРЬАТОРНОЙ СТАЛИ Сталь, содержащую следующие компоненты (в вес. %):Кремний 3,09Углерод 0,0095 Марганец 0,1 1Фосфор 0,01Сера 0,003Азот 0,011Алюминий 0,01510 в виде горячекатаной полосы толщиной2,55 льи подвергают холодной прокатке с обжатисм 10%. Затем проводят промежуточный отжиг при температуре 1100 С в тсчшше 5 час, холодную прокатку с обжатием 50%, 15 промсжуточныи отжиг при температуре 1100 Св течение...

Номер патента: 385923

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Апраксин, Зайцев, Ключников, Коровин, Сахаров, Федосов

МПК: C01G 25/02

Метки: кубической, стабилизированной

...при температуре 800 в 11 С в течение 3 час.Недостатками известного способа являются высокая температура процесса и длительность его во времени. Кроме того, при осуществлении способа получают сравнительно крупнодисперсный продукт, что затрудняет его использование, в частности, в процессах шлифования гермапиевых и кремниевых пластин.Цель изобретения состоит в снижении температуры процесса и его упрощении. Это достигается тем, что смесь исходных компонентов перед прокаливанием предварительно об,рабатывают раствором гидроокиси аммония или щелочи.При осуществлеши описываемого способа значительно ускоряется процесс (10 - 15 мин) и снижается температура (до 550 - 700 С) при тносится к способам получестабилизированной двуокиси я может...

Номер патента: 378749

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Фомин

МПК: E02D 1/04, G01N 1/04

Метки: грунта, кубической, монолита, отбора, формы, шурфов

...8 силового цилиндра 9. Последний 15 шарнирно закреплен с помощью оси 10 внижпей части корпуса 1.Описываемое устройство работает следующим образом. Для отбора монолита грунта кубической формы открывается шурф диа метром несколько больше диаметра трубчатого корпуса, в который на канате или штангах с помогцью тяги 11 опускается на заданную глубину предложенное устройство, При этом верхний и нижний силовые цилиндры, 25 соединенные с подрезным 5 и П-образным бножами находятся в исходном положении (на фнг. 1 показано пунктиром).Затем по магистрали 12 высокого давленияв силовой цилиндр 9 подается сжатый воздух, З 0 который перемещает шток 8. При этом П-образный нож пройдет через вертикальную прорезь а в трубчатом корпусе 1 и врежется в грунт...

Номер патента: 441551

Опубликовано: 30.08.1974

Авторы: Глаговский, Голенко, Линдунен, Лысанов, Непопушев, Олейник, Пивоваров, Ройтштейн, Скиданенко, Хаит, Яшин

МПК: G05D 15/01

Метки: высокотвердых, кубической, синтезом, структуры

...появляется ток управления, от действия которого на выходе усилителя 1 возрастает напряжение, что приводит к повышению напряжения и тока во вторичной цепи, С нагозочного резистора трансшорматора 5 снимается Напряжение, пропорциональное величине тока. Это напряжение подается на трайсформатор б. С камеры высокого давления сйимается напряжение, которое подается на трансформатор 5. С вторичных обмоток трансформаторов Ь и б сигналы подаются на преобразователи 13 и 1 Ф.Напряжение и ток после преобразования на преобразователях 13 и 1 Ф складываются на резисторах 28 и 29 и вычитаются из напряжения на резисторах 27, 51 и 52. Это происходит до тех пор, пока на ходе усилителя 11 сигйал не достигнет зоны нечувствительности.Напряжение с...

Номер патента: 477736

Опубликовано: 25.07.1975

Авторы: Мининзон, Штернберг

МПК: B01J 17/04

Метки: выращивания, кубической, модификации, монокристаллов, сульфида, цинка

...в каодуляторов света,выращивания монока растворителем саяН РО4 м 125 см3ют (в корзХпэ маркиВ зоне утерованный платиной,ику) 25 г шихты - по"Для люминофоров".оста развешивают пять затраталлов Еь 8, представляющих инки толщиной 1,5-2 мм, вырелледьно граням (111) и (100). помещарошка вочных кри собой пласт занные пар 30% н в печь ро н к полуерами . и хоро и и моЭто достигается тем, чтв водных растворах ортофосфоконцентрацией 20-40% при и цесс ведут рной кислоты 20-460 С и . Однако оптические свойст"а монокри таллов Еиб, выращиваемых в концентрированных растворах Н ГОе, ухудшаются из-за вхождения фосфора в кристаллы. Кроме того, растворимость сульфидв цинка в концентрирована ной Н РО высока, что приводит к растворению затравочных...

Номер патента: 600387

Опубликовано: 30.03.1978

Авторы: Абен, Бросман, Каплан

МПК: G01B 11/16

Метки: кубической, монокристаллов, напряжений, образцах, поляризационно-оптический, сингонии, цилиндрических

...=Сг+ С 4 (х 1+ г 1+ С 4 ХС 4 - СХ (х 1+ г 1)1+ (х 1 - г 1) бй. (13)После интегрирования последнего выражения получим линейную систему уравнений дляопределения коэффициентов С 2, С 4, Сб,СгРг(х)+С 4 Р 4(х,1) + .С 4 - С,",1 ХГ - 6(5) 55 где хх у 111 1 (6)60Если измерить разность ходами(х) притзначениях координаты х, т. е. при х;=1, 2 , то из соотношения (4) получим линейную систему уравнений для определения коэффициентов а 0 а 2 а 4 а 2 п 65 21 а - / 61 - Х 111(16) дающем с одной из двух кристаллографических осей 100 или 001 образца. Измеряют по всему. диаметру образца суммарную разность хода излучения, прошедшего через излучения, прошедшего через образец, Лналогично проводят измерения при просвечивании образца под углом Р к оси г в...

Номер патента: 644727

Опубликовано: 30.01.1979

Авторы: Верещагин, Евдокимова, Новокшонов

МПК: C01B 31/30

Метки: карбида, кубической, лютеция, объемно-центрированной, полуторного, структурой

...на смесях указанных составов в соотношении 1: 1,30;1: 1,35; 1: 1,40; 1; 1,45; 1: 1,50; 1; 2 полуторный карбид лютеция с данной структурой появляется при режиме 50 кбар, 1200 С, Наибольший выход - до 90% получается при режиме 70 - 90 кбар, 1300 С. Остальные 10 оо образца относятся к карбиду, который образуется при более низких температурах синтеза и обладает сложной, еще не расшифрованной кристаллической структурой, и не проявляет свойств сверхпроводимости.44727 Составитель В. Пополитов Техред С, Антипенко Корректор Е. Хмелева Редактор Т. Кузьмина Заказ 2630/10 Изд,130Тираж 590 Подписное НПО Поиск Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр, Сапунова, 2...

Номер патента: 726189

Опубликовано: 05.04.1980

Авторы: Барятинский, Булатников, Голяев, Гребеник, Зенченко, Казаджан, Лившиц, Малинина, Миндлин, Урванцев, Шаповалов

МПК: C21D 1/78

Метки: кубической, плоскостной, стали, текстурой, электротехнической

...кубической текстурой.Для достижения поставленной цели предложен способ получения электротехнической стали с плоскостной кубической структурой, включающий постадийную холодную прокатку горячекатаного металла, .промежуточный и окончательный отжнгн, который отличается от известного способа тем, что холодную прокатку%3 7261 проводят в две стадии, а окончательный отжиг при 850-980 оС.П р.и м е р. 1. Сталь, содержащую, %; кремния 2,2; углерода 0,04; марганца 0,1; фосфора 0,01; серы 0,003, азота ,0,01: алюминия 0,012, в виде горячекатайой полосы подвергают холодной прокатке с обжатием 28%, затем отжигают при 1100 С в течение 6 ч в вакууме 10- 10 мм рт.ст.оПосле промежуточного отжига и второй холодной прокатки с обжатием 66% до толщины 0,5...

Номер патента: 730834

Опубликовано: 30.04.1980

Авторы: Барятинский, Лившиц, Малинина, Михайлова, Соснин

МПК: C21D 1/78

Метки: кубической, плоскостной, стали, текстурой, электротехнической

...до шестидесяти минут.Сталь после второй прокатки и старения до окончательного отжига должна храниться при минусовых температурах. Без соблюдения этих условий невозможно получить стабильные, воспроизводимые результаты. Установка холодильных камер требует больших капитальных вложений, Кроме730834 4Предварительное старение при 301 - 800 С, вероятно, оказывает влияние на распад пересыщеного твердого раствора прп последующем нагреве и окончательном отжиге.Для сравнения приведены результаты испытаний по прототипу и по предлагаемому способу.Степень деформации стали при первой холодной прокатке составляет 75%, по предлагаемому способу степень деформации при первом холодной прокатке во всех испытаниях 68%. Температура промежуточного отжига...

Номер патента: 1065344

Опубликовано: 07.01.1984

Авторы: Бутузов, Доброхотова, Карлов, Климов, Старенченко

МПК: C01G 30/00

Метки: кубической, сурьмы, трехокиси

...качествемодификатора в произьодстве магнитного покрытия. По техническим условиям магнитное покрытие видеолент 40должно иметь значение коэрцитивной(силы не менее 37 кА/м, использованиеже продукта, полученного по известному способу в качестве модификатора, позволяет получить магнитное 45покрытие видеолент со значениемкоэрцитивной силы лишь 34 кА/м.целью изобретения является улучшение качества продукта за счет повышения монодисперсности при использовании его в качестве модификато-ра в производстве магнитного покрытия видеолентПоставленная цель достигаетсяспособом получения кубической трехокиси сурьм, заключающимся в термообработке оксалатного соединениятрехвалентной сурьма при 250-300 С,причем в качестве оксалатного соединения...

Номер патента: 1209462

Опубликовано: 07.02.1986

Авторы: Айзикович, Безъязыкова, Дерюжинский, Жеребцов, Киюц

МПК: B29B 11/12, B29C 35/02

Метки: восприимчивости, кубической, магнитной, мер, рабочих, формы, эластичных

...иллюстрируются следующими примерами.Пример 1. Из резиновой смеси на основе каучука СКИ, содержащей в качестве магнитного наполнителя порошок феррита марки 600 НН в количестве 92,16 мас. %, изготав. ливался путем вальцевания (температуры валков 30 - 40 С, фрикция 1 в 1,08) лист толщиной 2,0+О, мм. Требуемый угол выреза полосы, соответствующий максимальной изотропии магнитной восприимчивости изделия, определяют расчетным или графическим путем (фиг, 4 кривая ) после пред. варительного изготовления изделий из загото вок, вырезанных под углами 0,45 и 90, и измерения анизотропии о, из магнитной восприимчивости относительно оси Х, рассчитываемой по формулео,%) = .4 т+4 х. 1) НЮ2 ХкгдеЖ 3, , - магнитная восприимчивостьизделия вдоль осей...

Номер патента: 1267232

Опубликовано: 30.10.1986

Авторы: Дудниченко, Корниенко, Малый, Понежа

МПК: G01J 3/44, G01N 21/65

Метки: вещества, восприимчивости, знака, кубической, нелинейной, нерезонансной

...интенсивностях лазерного излучения ВКР в веществе не наблюдается, В результате процесса ВКР в веществе возникает излучение сток- сового и антистоксового рассеяния. Стоксовое излучение на длине волны 35 11 с распространяется в направлении распространения пучка лазерного излучения, Излучение антистоксового рассеяния с длиной волны ас распространяется в телесном угле, причем 40 осевая компонента этого излучения также совпадает с направлением пучка лазерного излучения. После прохождения через вещество в спектр разлагают излучение, выходящее из вещест ва В направлении распространения пучка лазерного излучения, Далее измеряют длины волн 1 с и 3 ас, причем для измерений выбирают первую стоксову и первую антистоксову компонен ты спектра ВКР....

Номер патента: 1300508

Опубликовано: 30.03.1987

Авторы: Тафель, Шварцбанд

МПК: G06G 7/30

Метки: интерполяции, кубической

...блоки 4,5 выборки-хранения,первый - третий интеграторы 6-8, выход 9, синхронизирующий вход 10,Устройство работает следующим образом.В равноотстоящие моменты временина.информационный вход 1 поступаютзначения интерполируемого сигнала вточках дискретизации, В это же время 20на входы записи блоков 4,5 выборкихранения подается короткий управляющий импульс, по которому блоки 4,5запоминают сигналы.При значениях,коэффициентов передачи блоков: К, = К 4 -1; К К =К =К = 1; К 2; К = -2; К = 3,9 у Э5 юработа устройства описывается соотношениями: где х - входные дискреты;135у;, - значения выходного сигнала,задержанные на два периодаотносительно входного. Уравнения (1) определяют кубический сплайн Бесселя. При выполнении условий: КК 6=-2, Кэ КК К...

Номер патента: 1569900

Опубликовано: 07.06.1990

Авторы: Дудоров, Куделькин, Рандошкин

МПК: G11C 11/14

Метки: анизотропии, доменосодержащей, кристаллографической, кубической, ориентации, осей, пленке

...ОО йгй Составйитель й,Аьйийкееь8;"Ред Гй:"й 10)Геьг; ал ОР 1амОРСК.Я Реда кт.Шандор ПОдпи"ное008 тениям и Открытигйм ГОи ,йййй(: йй й 1 й/5 ж 408ОМИТ 8 ТЯ ПО .30Осква, )й(-", Ра Тира ТВ 8 НЧОГО К 1 1:Р)й) Ч аказ 1453 ВНИИ Осуда Производственно-издательскич комбинат йПй)теьйт", й, Ужгород, ул, Гай арийча,векторов намагниченности в ионно-имплантированном слое, в результате которого они выстраиваются вдоль трех эквивалентных направлений, составляющих друг с другом углы 120 О, При этом в окрестности пеоесечения осью симметрии пространственно- неоднородного магнитного поля доменосадержащей пленки,в, ирнно-имплантирован. ном слое образуются три домена, разделенные дОменньйми стенками, Зт(1 , стенки ориентированы под улом 12 О другк другу...

Номер патента: 1365756

Опубликовано: 15.08.1990

Авторы: Доливо-Добровольская, Коломенский, Перелыгин, Стеценко

МПК: C30B 33/00

Метки: кубической, монокристаллов, симметрии

...фф дает либо с направлением (111)(табл.1) либо с направлением (011)(табл.2),эти направления соответствуют осям выращивания промышленных монокристал. - лов Криста лы устанавливают на станке для юстировки и резки (4) и юстируют по отражениям от гребней, боковую грань (011) совмещают с 0 на горизонтальном лимбе, Верх и них кристалла разрезают по плоскостям (211) с коррдинатами: долгота у = 90, широта= 1928, боковые стороны раз3 365756 4резают по плоскостям (011) с коорди- . тами: долгота с= 99 о 28, широтанатами; долгота= 6600,:широта= 6446.ое 90 00 ,ф о р м у л а из о б р е т е н и яАналогично отъюстировывают и раз- Способ обработки монокристалло5врезыот кристаллы, удлиненные по оси кубической симметрии, включающий рас(011), координаты...

Номер патента: 1713949

Опубликовано: 23.02.1992

Авторы: Василивицкий, Евсеев, Кавтрев, Катаев, Пятыгин, Стародубцев, Тимофеев, Франтова, Цырлин

МПК: C21D 8/12

Метки: кубической, производства, стали, текстурой, электротехнической

...- тв электротехн текстурой, соде кристалл иротехниотносителствами. Квакуум ноемкой опеЦельНЫХ СВОЙСбическойкремния.Указагласно спческой свключаюрок ристамашинеработку,ых способов являй отжиг в вакууме, реализовать все каленной микро- частности электполучается с агнитными свойпс себе отжиг вдорогой и трудо1713949 Составитель С. ДеркачеваРедактор Н. Яцола Техред М.Моргентал Корректор О Кравцоваказ 662 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ ССС 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101 водорода с температурой точки росы от -20до -50 ОС,Для формирования кубической текстуры необходимо, чтобы поверхностная энергия...

Номер патента: 552860

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Герасименко, Кузнецов, Лежейко, Любопытова, Смирнов, Эдельман

МПК: H01L 21/265

Метки: карбида, кремния, кубической, модификации, синтеза

Способ синтеза карбида кремния кубической модификации путем внедрения в подложку кремния, нагретую до температуры 600 - 650oC, ионов углерода при плотности тока 15 - 20 мка/см2, отличающийся тем, что, с целью получения монокристаллического карбида кремния в объеме подложки, содержащей внедренные атомы углерода, после внедрения проводят термообработку подложки при температуре 1100 - 1300oC.

Номер патента: 1600189

Опубликовано: 27.09.2013

Авторы: Агей, Зеленин, Ковшик, Мельников, Тарасевич

МПК: B28D 5/00

Метки: кубической, монокристаллов, пластины, полупроводниковых, резки, сингонии, слитков

Способ резки слитков полупроводниковых монокристаллов кубической сингонии на пластины кольцевым инструментом, включающий изготовление базового среза слитка, ориентирование плоскости реза по кристаллографической плоскости (001), наклейку слитка на оправку и закрепление их на суппорте станка и перемещение вращающегося инструмента относительно слитка по дуге окружности в плоскости реза, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных изделий за счет снижения их прогиба и уменьшения количества микротрещин и сколов в начале и конце резки, при наклейке слитка базовый срез его располагают в нижнем правом квадранте при наблюдении со стороны приклеиваемого торца под углом 40-45° к...