H01L 23/18 — отличающиеся материалом, его физическими или химическими свойствами, или расположением внутри собранного прибора

Номер патента: 124034

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Оржевский, Фистуль

МПК: H01L 23/18

Метки: полупроводниковый, прибор

...аю щ и й с я т электрического пробоя при помещен в вакуум-плотный д определенным давлением. азового разряда между элек. о напряжения данного прибоены дополнительные электро- между которыми размещена например прибора о жени ю, он газом по жигания г пробивног ть размещ сновными,Известные полупроводниковые приборы, например триоды, могут использоваться только тогда, когда обратное напряжение не превышает определенной для данного типа приборов величины. В случае ее превышения прибор выходит из строя.В описываемом изобретении полупроводниковый прибор предохранен от электрического пробоя при перегрузке по обратному напряжению. Для этого он помещается в вакуум-плотный корпус, заполненный инертным газом под давлением. Род газа, его давление, а...

Номер патента: 150941

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Антонов, Борисов, Дохман, Иоселевич, Уклонский, Чичерова

МПК: H01B 3/46, H01L 23/18

Метки: вазелина, защиты, паста, переходов, поверхности, р-п, типа

...жидкости с вязкостью от 300 до б 00 сст. В качестве наполнителя используются мелкодисперсные порошки окисей титана, к емнияи алюминия, которые вводятся в зависимости от требуемой консистенции в количествах от 5 до 100% к весу жидкости, Смесь тщательно пе Ъ 150941ретирается и подвергается прогреву в вакууме для удаления летучих составляющих. Полученная высоковязкая вазелиноподобная паста нассится непосредственно на р - и переход, пастой можно также заполять корпус прибора.Предлагаемые пасты могут применяться для защиты переходов как ерманиевых, так и кремниевых полупроводниковых приборов.В качестве исходных компонентов для изготовления пасты КВприменяются: полиметилсилоксановая жидкость ПМСс вязкостью 432 сст (20), белая сажа У-ЗЗЗ,...

Номер патента: 351266

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Рюмшин

МПК: H01L 23/18

Метки: вакуумноплотного, металл, соединения, —полупроводник

...квантовых генераторов, работающих в ИК-области спектра в значительной мере сдерживается технологическими трудностями, связанными с получением вакуумноплотных паяных соединений выходного окна (например, в германии) с металлической (например, коваровой) оправой, выдерживающих нагрев до 250 в 3 С.Известные припои обеспечивают устойчивую работу приборов лишь при температуре не более 60 - 70 С, При использовании известных пластичных тугоплавких припоев на основе свинца и кадмия образующиеся паяные соединения германий - ковар не отвечают требованиям эксплуатации по вакуумной плотности.Трудности получения вакуумноплотных паяных соединений связаны с тем, что скорость взаимодействия этих припоев с германием значительно превышает их скорость...

Номер патента: 1774399

Опубликовано: 07.11.1992

Автор: Мальцев

МПК: H01L 23/18

Метки: полупроводниковый, прибор

...изобретения является повышение эффективности охлаждения полупроводникового прибора.Цель достигается введением пьезоэлемента, размещенного в центре окружности сечения стакана, двух параллельно жестких электровводов, размещенных в основании зеркально симметрично относительно оси корпуса стакана, двух упругих стержней, первые концы которых соединены с электровводами, а вторые - с саответствующими электродами пьезоэлемента, собственная .резонансная частота которого выбрана кратной резонансной частоте стержней, управляемого генератора колебаний, подключенного к электровводам амплитудного детектора, вход которого соединен с выходом генератора, а выход - с управляющим входом генератора, Управляемый генератор вырабатывает импульсы...

Номер патента: 1780469

Опубликовано: 27.10.1995

Авторы: Крячков, Куваев, Носухин, Царева

МПК: H01L 23/18

Метки: герметизации, интегральных, пластмасса, полупроводниковых, приборов, схем, термореактивная

ТЕРМОРЕАКТИВНАЯ ПЛАСТМАССА ДЛЯ ГЕРМЕТИЗАЦИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающая эпоксидную смолу, отвердитель, смазку и кварцевый песок в качестве наполнителя, отличающаяся тем, что, с целью повышения теплопроводности и электросопротивления, наполнитель дополнительно содержит порошок синтетического алмаза при следующем соотношении компонентов, об. ч.Кварцевый песок 5Алмазный порошок 1 106при этом кварцевый песок и алмазный порошок равномерно распределены по объему пластмассы, а объем наполнителя в пластмассе составляет 20 80% ее объема.

Номер патента: 1480684

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Абрамович, Либер, Сакович

МПК: H01L 23/18

Метки: полупроводниковый, прибор, силовой

Силовой полупроводниковый прибор, содержащий полупроводниковую структуру, расположенную между токоподводами с мембранами и помещенную в изолирующий корпус, отличающийся тем, что, с целью повышения механической стойкости прибора при возникновении электрической дуги между токоподводами, на внутреннюю поверхность по крайней мере одного токоподвода с мембраной нанесен слой цинка или кадмия.