Патенты с меткой «кремниевые»

Номер патента: 1400387

Опубликовано: 30.06.1994

Авторы: Кузнецов, Нарышкин

МПК: H01L 21/324

Метки: диффузии, интегральные, кремниевые, микросхемы, полупроводниковые, приборы

СПОСОБ ДИФФУЗИИ В КРЕМНИЕВЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ И ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ, включающий диффузию фосфора с последующим отжигом при понижении температуры до 650oС, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров за счет снижения концентрации генерационно-рекомбинационных центров, отжиг проводят при понижении температуры от температуры диффузии со скоростью 2 - 4 град/мин.

Номер патента: 1369598

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Зайцев, Пинчук, Рюмшин

МПК: H01L 21/28

Метки: контактного, кремниевые, никелевого, осаждения, покрытия, полупроводниковые, раствор, структуры, химического

Раствор для химического осаждения никелевого контактного покрытия на кремниевые полупроводниковые структуры, содержащий никель сульфаминовокислый, натрий гипофосфат и воду, отличающийся тем, что, с целью уменьшения переходного сопротивления контакта к кремнию р-типа проводимости с поверхностной концентрацией основных носителей ниже 5 1018 см-2 при сохранении стабильной скорости осаждения, он дополнительно содержит гидразинсодержащую соль при следующем соотношении ингредиентов, г/л:Никель сульфаминовокислый - 30 - 70Натрий гипофосфит - 5 - 35Гидразинсодержащая соль - 0,4 - 1,45Вода...

Номер патента: 1593508

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Губарев, Локтаев, Нисневич

МПК: H01L 21/225

Метки: алюминия, галлия, диффузии, кремниевые, пластины

Способ диффузии алюминия и галлия в кремневые пластины, включающий очистку поверхности, осаждение из растворов легированных пленок, складывание пластин одноименными сторонами в стопку, загрузку в окислительной атмосфере в реактор диффузионной печи, нагретой до температуры ниже температуры диффузии, выдержку при этой температуре для проведения деструкции, нагрев до температуры диффузии в потоке газа и термообработку, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров изготавливаемых силовых полупроводниковых структур на основе полированных пластин за счет повышения времени жизни дырок и повышения воспроизводимости легирования, стопку пластин предварительно помещают в заваренный с одного...