Марквичева

Номер патента: 1340476

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Грипас, Локтаев, Марквичева, Насекан, Нисневич, Павлынив

МПК: H01L 21/225

Метки: n+pnpp+, многослойных, структур, типа

1. Способ изготовления многослойных структур n+-p-n-p-p+ типа силовых тиристоров, включающий создание на p-n-p-структуре маскирующей пленки, локальной со стороны катода и сплошной со стороны анода, загонку донорной примеси, полное удаление маскирующей пленки, осаждение на анодную сторону раствора, содержащего соединения бора, складывание пластин в стопку и разгонку, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических параметров тиристора за счет повышения однородности подлегирования бором шунтов и управляющего электрода со стороны катода и создания неоднородного распределения времени жизни неосновных носителей заряда в n-базе, на анодную сторону осаждают раствор,...

Номер патента: 1602275

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Губарев, Марквичева, Нисневич

МПК: H01L 21/225

Метки: кремниевых, структур

Способ изготовления кремниевых структур, включающий химическую обработку пластин кремния n-типа проводимости, загрузку пластины и источника алюминия в печь, проведение первой термообработки - диффузии алюминия, выгрузку из печи, загрузку пластин и источника галлия в печь и проведение второй термообработки - диффузии галлия, отличающийся тем, что, с целью повышения времени жизни дырок в n-слое в качестве источника алюминия используют пленку оксида кремния толщиной 0,2-0,4 мкм, осажденную на кремниевую пластину из раствора и содержащую 0,3-4,8 мас.% оксида алюминия, а в качестве источника галлия используют пленку оксида кремния толщиной 0,2-0,4 мкм, осажденную на кремниевую пластину из...

Номер патента: 1082233

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Колоскова, Корольков, Круус, Кузьмин, Локтаев, Марквичева, Нисневич, Сурженков, Фихтенгольц, Хуторянский

МПК: H01L 21/24

Метки: выпрямительных, элементов

Способ изготовления выпрямительных элементов силовых полупроводниковых приборов, включающий операции шлифовки и химической очистки пластин кремния, изготовления высоковольтных p-n-переходов и создания омических контактов методом диффузионной сварки, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных приборов, после изготовления высоковольтных p-n-переходов с обеих сторон пластины кремния удаляют нарушенный слой толщиной 5 - 20 мкм.

Номер патента: 1721088

Опубликовано: 23.03.1992

Авторы: Амбросова, Грицкова, Завальный, Зубов, Карапутадзе, Кирш, Кузькина, Марквичева, Плечко, Симакова, Стерлигова, Туркин

МПК: C12N 11/08

Метки: гранулах, животных, клеток, культивирования, полимерных

...их количество в камере Горяева, Индекс пролиферации (коэффициент прироста количества клеток) рассчитывают по отношению концентрации клеток, полученных на 6-е сутки инкубирования, к их посевной концентрации.П р и м е р 1. 15 мл 8%-ного раствора поли-й-винилкапролактама с мол.м. 900000 стерилизуют автоклэвированием, получают белый осадок полимера, декантируют воду и заменяют ее на среду для культивирования, либо стерильный фосфатный буфер(рН 7,0), После снижения температуры до комнатной получают раствор полимера; к которому добавляют 15 мл стерильного 2%-ного раствора овальбумина в 0,9%-ном МэС, К полученному водному раствору полимера, содержащему стабилизатор дисперсии (конечная концентрация полимера 4%, а стабилизатора 17 ь), добавляют...

Номер патента: 1687615

Опубликовано: 30.10.1991

Авторы: Баклашова, Грицкова, Донова, Зубов, Карапутадзе, Кирш, Кощеенко, Кузнецов, Кузькина, Марквичева, Пашкин, Симакова

МПК: C12N 11/04, C12N 11/08

Метки: иммобилизации, клеток, микроорганизмов

...активность 96 мМоль/мл гранул в 1 ч, операционная стабильность 15 сут.П р и м е р 4, Способ осуществляют по 35 примеру 1, но в качестве гелеобразующего раствора используют 7,2 -ный водный раствор сополимера Й-этил-Й-виниламида масляной кислоты с метилметакрилатом (содержание метилметакрилата 10 мас.), 40 имеющего мол,м, 350000. Полимерные гранулы получают, используя физиологический раствор, содержащий 1 отанина, подогретый до 40 С.Максимальная сорбитолдегидрогеназ ная активность 66 мМоль/мл гранул в 1 ч, стабильность 14 сут.П р и м е р 5. Способ осуществляют по примеру 1, но берут 10,8-ный раствор сополимера й-метил-й-виниламида масля ной кислоты с метилметакрилатом (содержание метилметакрилата 15 мас,) с мол,м. 250000, Полимерные...

Номер патента: 1567623

Опубликовано: 30.05.1990

Авторы: Али-Заде, Завальный, Зицманис, Зубов, Клявиньш, Лукин, Марквичева, Скуиньш, Туркин

МПК: C12N 11/02, C12N 5/00

Метки: клеток, культивирования, магнитных, микроносителей, эукариот

...раствора желатина в воде(соотношение МН и желатина 1:3), перемешивают до образования однороднойсуспензии и нагревают в течение 30 минпри 90 С. Все дальнейшие операции,начиная с добавления 35 мл 251-ногораствора глутарового альдегида, осуществляют по примеру 1. Получают45 400 г ММН с содержанием 6,4 Ж ферритакобальта.П р и м е р 7. Соли, 54 г РеС 1 хх 6 НО и 20 г Ч 1 С 1, растворяют в550 мл воды каждую, растворы объединяют и нагревают до 90 С, При перемешивании добавляют 150 мл 25 ь-ногораствора гидроокиси натрия и продолжают перемешивание в течение 40 мин 1 рпри той же температуре, Образовавшийся осадок (ИЮе 04 с размером частиц 0,05 мкм) промывают раствором0,05 М соляной кислоты до рН 6-8, Кпромытому осадку добавляют 400...

Номер патента: 669695

Опубликовано: 23.03.1986

Авторы: Берлин, Локтаев, Лягущенко, Марквичева, Нисневич, Петрова

МПК: C30B 31/06

Метки: диффузии, донорной, источника, примеси, раствор

...при диффузии,происходит уменьшение поверхностной концентрации фосфора ниже требуемых значений.Тетраэтоксисилан 7 - 19Кроме того, раствор может содержать азотнокислые соли элементов 111 группы главной подгруппы при содержании азотной кислоты 0,2-1,0 мас.7 или элементов 11 группы главной подгруппы при содержании азотной кислоты 1,0-9,0 мас. .При приготовлении раствора в эти-, ловом спирте растворяют сначала азотнокислые соли элементов, затем ортофосфорную кислоту. При этом часто выпадают в осадок фосфаты элементов, которые затем растворяются при введении в раствор азотной кислоты.П р и м е р. Было испытано несколько растворов для получения источника диффузии (составы представлены в табл.1-3), которые наносят на поверхность пластин...

Номер патента: 1098455

Опубликовано: 15.02.1985

Авторы: Локтаев, Лопуленко, Марквичева, Нисневич, Писарева

МПК: H01L 21/225

Метки: многослойных, областей, сильнолегированных, структурах, формирования

...полная. деструкция легированных фосфором и мышьяком пленок происходит при температуре 800 фС, а легированных бором при 1050 С. Поэтому загрузка пластин должна производиться в печь, нагретую на 50-350 С ниже, чем температура диффузии, Если температура загрузки пластин в печь будет ниже более чем на 350 С или менее чем нао50 С по сравнению с температурой диффузии, то в первом случае за счет увеличения длительности нагрева печи до температуры диффузии будет уменьшаться уровень легирования из-за излишнего испарения примесей, а во втором случае сближение температуры деструкции и диффузии ухудшит однородность и воспроизводимость легирования, так как диффузия и деструкция будут происходить одновременно, В зависимости от массы загружаемых...