Патенты с меткой «или-не»

Номер патента: 525250

Опубликовано: 15.08.1976

Авторы: Анурьев, Грибок, Дивин, Донской, Лазаренко

МПК: H03K 23/02

Метки: «и-не, делитель, или-не, импульсов, потенциальных, пять, частоты, элементах

...этого на всех входах элемента И - НЕ/ИЛИ - НЕ 14 и третьего элемента И - НЕ/ИЛИ - НЕ 6, не входящих в какой-либо триггер, оказываются единичные уровни напряжения, вследствие чего на их выходах формируются нулевые сигналы. Сигнал с выхода элемента И - НЕ/ /ИЛИ - НЕ 14 переводит потенциал на выходе элемента И - НЕ/ИЛИ - НЕ 17 в состояние 1. Других изменений сигналов на выходах схем в момент 4 не произойдет, и в нем окажется содержимое 010,С приходом третьего положительного импульса (момент 15) на всех входах первого элемента И - НЕ/ИЛИ - НЕ 4 оказываются все высокие сигналы, что вызывает появление на его выходе низкого сигнала, Он подтверждает наличие высокого сигнала на выходе второго элемента И - НЕ/ИЛИ - НЕ 5 и попадает на вход...

Номер патента: 624369

Опубликовано: 15.09.1978

Автор: Бубенников

МПК: H03K 19/02

Метки: быстродействующий, и-илии, или-не, логический, микромощный, элемент

...с соответствующим эмиттером транзистора 2, Резистор 3 в коллекторной цепи транзистора 2 может быть зашунтирован диодом 4 Шоттки для цредотврвщения режима насыщения при большом числе М, Вторая ступень, необходимая для реализации йогической функции И-ИЛИ-НЕ, имеет переключатель тока на двух транзисторах 8 и 6, на фазу опорного транзистора 8, связанную с базой транзистора 2 первой ступени, подает ся опорнсе напряжение источника 7, а база транзистора 6 подключена к коплектсьру транзистора 2, В коллекторную цепь транзистора 6 включен нагрузочньй резистор 8, а коллектор транзистора 8-заземлен, Для некоторых применений ЛЗ целесообразнее использовать в коллекторной цепи транзистора 8 нвгруэочный резистор.Для анализа работы ЛЭ используется...

Номер патента: 656214

Опубликовано: 05.04.1979

Автор: Кармазинский

МПК: H03K 19/08

Метки: или-не, логический, элемент

...пары, сток транзистора 10 подключен к стокам транзисторов 13 и 21, к выходу 6 и к истоку дополняющего р -канального транзистора 22 ретьей пары, сток которого подключен к стокам транзисторов 11, 14, 15, к выходу 7 и к истоку дополняющего р -канального транзистора последующей пары (при е - -4 к истоку транзистора 23 е -ой пары).Сток дополняктщего р -канального транзистора 23 п -ой пары подключен к выходу 8 и к стокам транзисторов 12, 16-18. Исток и подложка транзистора 20 первой пары и подложки транзисторов 21- 23 остальных пар подкл 1 очены к шине 24 питания. В каждой паре затворы дополняющих й:и р -канальных транзисторов (9 и 20, 10 и 21, 11 и 22, 12 и 23) подключены, соответственно, к логическим входам 1-4, Затворы дополнительных...

Номер патента: 546247

Опубликовано: 15.02.1987

Авторы: Игнатенко, Кузовлев, Чернихов

МПК: H03K 19/20

Метки: или-не, логический, тиристорный, элемент

...и катодом тиристора через диоды, а коллектор через резистор - с шиной питания; 10 поджигающий электрод тиристора соединен с источником напряжения через последовательно включенные диод и резистор, а его управляющий электрод связан с общей шиной через резистор, входные диоды, аноды которых объединены и через резистор подключены к коллектору входного транзистора, эмиттер которого непосредственно, а база через резистор связаны с общей шиной. электрод связан с общей шиной через резистор, входные диоды, аноды которых объединены и через резистор подключены к коллектору входного транзистора, эмиттер которого непосредственно, а база через резистор соединены с общей диной, введены дополнительные транзистор, диод и резистор, причем эмиттер...

Номер патента: 1023973

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Бобылев, Коржов, Косцов, Кравченко

МПК: H01L 27/04, H01L 31/16

Метки: или-не, логический, элемент

Логический элемент "ИЛИ-НЕ", состоящий из прозрачной непроводящей подложки, на которой размещены модулятор света и фотоприемник, отличающийся тем, что, с целью снижения рабочего напряжения, увеличения быстродействия и упрощения конструкции, модулятор света и фотоприемник выполнены в виде однотипных мезаструктур, представляющих собой поверхностно-барьерные контакты Шоттковского типа на эпитаксиальной полупроводниковой пленке, в которой созданы глубокие центры, причем модулятор света и фотоприемник электрически включены последовательно.