H01L 27/11 — структуры статических запоминающих устройств с произвольной выборкой

Номер патента: 1153768

Опубликовано: 27.05.1996

Авторы: Ильичев, Маслобоев, Полторацкий, Родионов, Слепнев

МПК: H01L 27/11

Метки: памяти, элемент

1. Элемент памяти, содержащий полупроводниковую подложку из арсенида галлия и активный полупроводниковый слой на ней с контактами стока и истока, а также электрод затвора, отделенный от активного слоя изолирующим слоем с захватом заряда, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия и уменьшения величин пороговых напряжений записи и стирания, изолирующий слой расположен между активным слоем и подложкой и выполнен из монокристаллического слоя твердого раствора Ga1-xAlxAs (0,1 X 0,6), содержащего кислород в...

Номер патента: 1153769

Опубликовано: 27.05.1996

МПК: H01L 27/11

Метки: варианты, его, памяти, элемент

1. Элемент памяти, содержащий структуру, включающую подложку из арсенида галлия и активный полупроводниковый слой на ней с контактами стока и истока, а также электрод затвора, отделенный от активного слоя изолирующим слоем с захватом заряда, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности считывания информации в виде оптического излучения, между активным слоем и подложкой введены дополнительный изолирующий слой и два дополнительных полупроводниковых слоя из твердого раствора соответственно Ga1-yAlyAs и Ga1-zAlzAs, где z < y противоположных типов проводимости, причем дополнительный изолирующий слой примыкает к активному слою, а дополнительный...

Номер патента: 405474

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Белый, Воскобойников, Гиновкер, Синица

МПК: H01L 27/11

Метки: памяти, полупроводниковый, элемент

Полупроводниковый элемент памяти, выполненный на основе структуры металл-диэлектрик-полупроводник, диэлектрик которой состоит из слоев двуокиси кремния и нитрида кремния, причем окись кремния обеспечивает туннельное прохождение электронов, отличающееся тем, что, с целью расширения диапазона времени хранения информации, между двумя диэлектрическими слоями расположен островковый слой проводящего материала, например кремния.