Способ получения структур нитрид кремния антимонид индия

Номер патента: 665611

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Коршунов, Миркин, Тихонов

МПК: H01L 21/265

Метки: антимониде, индия, структур, электронно-дырочных

1. Способ получения электронно-дырочных структур в антимониде индия, включающий легирование исходного материала, изготовление подложек, облучение ионами и создание инверсионного слоя последующим отжигом, отличающийся тем, что, с целью упрочнения имплантированного слоя, облучение проводят при температурах подложек от 0,6 Tпл до 0,95 Tпл дозами от 6 1014 до 6 1017 см-2 и греющими плотностями ионного тока от 10 до 50 мкА/см2.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью увеличения...

Номер патента: 1819356

Опубликовано: 30.05.1993

Авторы: Иванковский, Куницин, Меерталь, Остапчук, Стасюк, Фоминых

МПК: H01L 21/302

Метки: кремний-металлосодержащего, многослойных, селективного, слоя, структурах, травления

...подложке, например пластине кремния, создают диэлектрические изолирующие слои, например термически выращенную двуокись кремния (3102, нитрида кремния (3 за), фосфорно-силикатного стекла (ФСС) или их комбинации, на которых формируют кремний-металлсодержащий слой на основе кобальта (Со) и (или) титана (Т) путем, например, совместимого катодного распыления мишени из металла и мишени из кремния с последующим отжигом наносимого слоя, либо в виде металл- кремниевого (кобальт-кремниевого или титан-кремниевого) сплава в виде резистивных слоев типа РС 3000 К(Со - 30, Я 1-707 ь), РС 2310 К (Соь, Т, 3-67) и других, например путем одновременно ионноплазменного распыления их из мишени, с содержанием металла в слое не более 40, после...

Номер патента: 1830057

Опубликовано: 23.07.1993

Авторы: Адам, Алан, Дэйв, Дэннис, Мерек, Нарасима, Стивен

МПК: C04B 35/65

Метки: композиционного, поликристаллического

...кристаллами, образующими макрочастицу (гранулу), Такие частицы или кристаллы в некоторых случаях могут быть равноосными. Неравноосные частички могут состоять из проволочек, чешуек, нитевидных кристаллов и т.п. Внутренняя пористость в гранулах(агломератах) образуется промежутками между кристаллитами или составляющими относительно мелкими частичками,Исходный металл при инфильтрации заполняет мелкую пористость внутри частиц наполнителя и промежуточные пустотныеканалы, образованные между относительно крупными частицами-агломератами, Если наполнитель состоит из непористых частиц, они должны быть достаточно большими, так, чтобы каналы между ними смогли вобрать в себя как смачивающую пленку расплавленного металла, так и газообразный...

Номер патента: 1663463

Опубликовано: 15.07.1991

Авторы: Белов, Иванов

МПК: G01L 21/00

Метки: газов, давления

...электронов с атомами газа, приводящая к уменьшению ионизационной способности электронов, т.е. к уменьшению длины светящегося столба, Увеличить длину светящего ся столба можно увеличениемнапряженности электрического поля, При давлениях Р 1 Па необходимо увеличивать амплитуду поля, что приведет к увеличению вероятности столкновения электрона с ато мами в условиях, когда частота столкновений электронов с атомами меньше частоты поля, Следовательно, оптимальным диапазоном применения способа измерения давления является диапазон давлений от 1 45 Па до 10 Па,П р и м е р. Измерение давления воздухавдиапазонеот 10 до 10 Па, согласноданному способу осуществляют с использованием стеклянной трубки длиной около 100 см и 50 внешним диаметром 10 мм и...

Номер патента: 1424643

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Балин, Гузев, Шкляев

МПК: H01L 21/316

Метки: антимонида, диэлектрик-полупроводник, индия, основе, структур

Способ получения структур диэлектрик - полупроводник на основе антимонида индия, включающий очистку поверхности полупроводниковой подложки, формирование потока молекул окиси кремния в атмосфере кислорода при давлении от 1,15 до 4,0 Па, зажигание ВЧ-разряда с плотностью мощности от 0,3 до 1,0 Вт/см2 на электроде с подложкой, охлаждение на подложке пленки двуокиси кремния, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств структур за счет уменьшения влияния высокочастотного газового разряда, перед зажиганием газового разряда осаждают подслой двуокиси кремния толщиной от 150 до при температуре от 293...