Способ определения параметров глубоких уровней в полупроводниках

Номер патента: 1370683

Опубликовано: 30.01.1988

Автор: Чихрай

МПК: H01L 21/66

Метки: глубоких, параметров, полупроводниках, уровней

...первого блокапреобразования и устройства 12 выборки и хранения второго блока 11 преобразования поступают на вторые входывычитающего устройства 10 первого бло 10 15 20 25 телей из области локализации - режимобеднения. При этом меняются электрофизические характеристики образца 2,в том числе и емкость от неравновесных значений к равновесным эа счетэмиссии носителей с заполненных глубоких уровней в обедненной областивыше уровня ферми в зону проводимости или в валентную зону в зависимости от типа глубоких уровней. Релаксация емкости исследуемого образцанепрерывно измеряется измерителем5 емкости, однако выборку значенийрелаксационного сигнала производятв определенные моменты времени с1 Эс и с каждого релаксационногопроцесса с помощью...

Номер патента: 1250107

Опубликовано: 30.11.1987

Авторы: Витусевич, Зюганов, Малютенко, Смертенко

МПК: H01L 21/66

Метки: глубоких, параметров, полупроводниках, уровней

...относительно рекомбинацион ного уровня по следующим формулам минимальное значение диренциального наклона ВАХдвойном логарифмическомштабе;значение тока при 3значение напряжения придлина кристалла;сечение кристалла;подвижность основных нолей заряда;эффективная масса основносителей;1 1250Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для измерения параметровглубоких уровней в полупроводниках.Цель изобретения - повышение точности.На фиг.1 приведена вольт-ампернаяхарактеристика (ВфХ) образца в двойном логарифмическом масштабе, измере,иная в режиме эксклюзии,на фиг.2 -по.левая зависимость дифференциальногонаклона ВАХ в двойном логарифмическом масштабе,П р и м е р . Исследовалась полупроБводниковая пластина...

Номер патента: 1101088

Опубликовано: 28.02.1985

Авторы: Гусев, Лысенко, Турчаников

МПК: H01L 21/66

Метки: глубоких, параметров, поверхностно-барьерных, структурах, уровней

...выполненный на базе дифференциального интегратора и устройства выборки и хранения, устройство дополнительно содержит цифроаналоговый преобразователь, соединенный с двухкоординатным самописцем и стробоскопическим интегратором, который дополнительно содержит блок управления, а блок регулировки температуры и источник импульсного смещения соединены со стробоскопическим интегратором. Блок управления стробоскопического инте. - гратора дополнительно содержит схему И, вычитающий и суммирующий счетчики,жение выбранного пика разностного релаксационного .сигнала на оси времени, определяют энергетическое поло. жение глубоких уровней по наклону прямой зависимости и 1Т от при построении которой необходимо знать координаты как минимум двух...

Номер патента: 1141869

Опубликовано: 23.10.1989

Авторы: Гринсон, Гуткин, Метревели

МПК: G01R 31/26

Метки: глубоких, параметров, полупроводниках, уровней

...10 В, где О контактная разность потенциалов в исследуемом, образце. Следовательно, прототип.не позволяет без потери5 чувствительности исследовать глубокие уровни, сконцентрированные на расстояниях от границы раздела р- и и-областей в р-и-переходе ифметалл-полупроводник в барьере Шоттки, меньше 10 ширины слоя объемного заряда при напряжении смещения 10 В.Цель изобретения - повышение чув,ствительности.Поставленная цель достигается тем, 15 Мто в способе определения параметров глубоких уровней в полупроводниках включающем подачу на образец напряжения смещения и импульса напряжения, изменяющего напряжение смещения, и 20 компенсацию изменения емкости образца после окончания импульса напряжения путем изменения напряжения смещения, Перед...

Номер патента: 1005221

Опубликовано: 15.03.1983

Авторы: Гармаш, Орешкин, Перелыгин

МПК: H01L 21/66

Метки: глубоких, ионизации, полупроводниках, уровней, энергии

...Переходной процессзаканчивается через вполне определен 40ное время 1 С, которое можно зафиксировать с погрешностью не более 10%,поскольку с помощью запоминающего, осциллографа легко сделать отсчетвизуально. На фиг, 2 приведены кривые 4 1 г как функции обратного смещенияна кремниевой МДП-структуре при различных температуры. Наблюдаетсяувеличениес ростом обраатного напряжения до некоторого установившегося ф (максимального) значения. Последнееи соответствуетпо ( 1), Поскольку= Д ЕХр Ь Е /КТстроят зависимость 3 1 =ф 7 и находят Ь: для различных значений обратного напряжения и, в часъ- Я ности, для установившегося (максимального) 1, Отсюда определяют ЬЕ исравнивают + с 1," при расчете поформуле( 1) . Как показал эксперимент,б 10 15 20 2 30...