Патенты с меткой «cdxhg»
Способ изготовления p-n-переходов в монокристаллах cdxhg 1-xte с x = 0, 200 0, 225
Номер патента: 1816161
Опубликовано: 20.05.2000
Авторы: Гареева, Ловягин, Мигаль
МПК: H01L 21/324
Метки: 1-xte, cdxhg, p-n-переходов, монокристаллах
Способ изготовления p-n-переходов в монокристаллах CdxHg1-xTe с х = 0,200 - 0,225, включающий помещение исходного кристалла n-типа проводимости с концентрацией носителей 1014 - 1016 см-3 в замкнутый объем, нагрев до выбранной температуры и последующий отжиг при постоянстве температуры в течение времени необходимого для создания на поверхности слоя p-типа проводимости заданной толщины, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества изготавливаемых переходов за счет повышения времени жизни носителей заряда, исходный кристалл помещают в замкнутый объем, заполненный деионизованной водой, а отжиг проводят при 170 - 220oC в...